蚀刻工件的方法、蚀刻工件的装置及非瞬态计算机可读介质制造方法及图纸

公开了用于蚀刻工件的方法、被配置为蚀刻工件的装置以及非瞬态计算机可读介质。可以提供一种用于蚀刻工件的方法，所述方法可以包括：确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应；确定所述工件的厚度曲线；基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化；以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻工件的方法、蚀刻工件的装置及非瞬态计算机可读介质
各个方面涉及用于蚀刻工件的方法、一种被配置为蚀刻工件的装置以及一种非瞬态计算机可读介质。
技术介绍
工件可以包括于或使用在可以用在很多技术和产业(例如电力产业，例如电力应用产业)的大范围的设备(例如太阳能板)中。工件可以包括或可以是晶片(例如半导体晶片，例如硅晶片)和/或载体(例如玻璃载体)。 工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备(例如太阳能板)的寿命、可靠性和/或性能(例如电性能、速度、容量等)可能取决于工件的厚度的均匀性，其可以通过工件的总厚度变化得以量化。在工件的总厚度变化减少或最小化的情况下，可以改进工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备的寿命、可靠性和/或性能。换句话说，具有跨工件的更均匀的厚度的工件可以增加工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备的寿命、可靠性和/或性能。替换地，或此外，在工件的厚度至少基本上等于可以指定以提供工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备的更长寿命、更大可靠性和/或更好性能的预定目标厚度的情况下，可以改进工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备的寿命、可靠性和/或性能。 工件的厚度和/或总厚度变化可以取决于对工件所执行的工艺(例如薄化工件)。随着技术进展，当前用于薄化工件的方法可能不足以提供工件和/或设备的所要求的寿命、可靠性和/或性能可能需要的总厚度变化和/或预定目标厚度。可能需要新的薄化工件的方式。
技术实现思路
可以提供一种用于蚀刻工件的方法，所述方法可以包括:确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应；确定所述工件的厚度曲线；基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化；以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间。 【附图说明】 在附图中，相似的参考标号通常贯穿不同的图提及相同的部分。附图并不一定按比例，替代地重点通常被放在图解本专利技术的原理上。在以下描述中，参照以下附图描述本专利技术各个方面，其中:图1A至图1D示出用于薄化工件的常规方法。 图2示出已薄化的工件的平面图、已薄化的工件的厚度曲线以及已薄化的工件的总厚度变化。 图3示出用于蚀刻工件的方法。 图4A-1至图4E示出用于确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线的处理流程。 图5A至图示出用于经由蚀刻剂分配器在工件上分配蚀刻剂的处理流程。 图6示出工件的第一厚度曲线与工件的第二厚度曲线的比较。 图7示出用于蚀刻工件的另一方法。 图8示出可以被配置为蚀刻工件的装置。 图9示出存储程序的非瞬态计算机可读介质。 图10示出流程图，该流程图示出用于蚀刻工件的方法的示例。 【具体实施方式】 以下详细描述提及随附的附图，附图通过图解的方式示出其中可以实践本专利技术的具体细节和方面。足够详细地描述这些方面，以使得本领域技术人员能够实践本专利技术。在不脱离本专利技术的范围情况下，可以利用其它方面，并且可以作出结构、逻辑和电改变。由于一些方面可以与一个或更多个其它方面组合以形成新的方面，因此各个方面并不一定是相互排除的。对于结构或设备描述各个方面，并且对于方法描述各个方面。可以理解，与结构或设备相关地描述的一个或更多个(例如所有)方面可以等同地应用于方法，并且反之亦然。 词语“示例性”在此用于意味着“充当示例、实例或图解”。在此描述为“示例性”的任何方面或设计不一定解释为优于或利于其它方面或设计。 在此用于描述在一侧或表面“之上”形成特征(例如层)所使用的词语“之上”可以用于意味着该特征(例如层)可以“直接形成在隐含侧或表面上”(例如与之直接接触)。在此用于描述在一侧或表面“之上”形成特征(例如层)所使用的词语“之上”可以用于意味着该特征(例如层)可以“间接形成在隐含侧或表面上”，其中，一个或更多个附加层被布置在隐含侧或表面与所形成的层之间。 以类似方式，在此用于描述“覆盖”一侧或表面在另一特征之上所部署的特征(例如层)所使用的词语“覆盖”可以用于意味着该特征(例如层)可以被部署在隐含侧或表面上并且与之直接接触。在此用于描述“覆盖”一侧或表面在另一特征上所部署的特征(例如层)所使用的词语“覆盖”可以用于意味着该特征(例如层)可以被部署在隐含侧或表面上并且与之间接接触，其中，一个或更多个附加层被布置在隐含侧或表面与覆盖层之间。 在此用于描述特征连接到至少一个另外隐含特征的术语“耦接”和/或“电耦接”和“连接”和/或“电连接”并非意味着意思是说该特征和所述至少一个另外隐含特征必须直接耦接或连接在一起；可以在该特征与至少一个另外隐含特征之间提供中间特征。 可以参照所描述的(多个)图的方位来使用方向性术语(例如比如“上”、“下”、“顶”、“底”、“左边”、“右边”等)。因为(多个)图的组件可以位于多个不同的方位上，因此为了图解而绝非限制的目的来使用方向性术语。应理解，可以在不脱离本专利技术的范围的情况下作出结构或逻辑改变。 工件(例如晶片(例如半导体晶片，例如硅晶片)和/或载体(例如玻璃载体))广泛地用于制造用在宽范围的技术和产业中(包括但不限于移动通信产业(例如在网络组件、移动设备等中)、交通产业(例如在飞机、汽车等中)以及电力生成、发布和应用产业(例如在太阳能板中))的设备。因此，工件(例如晶片和/或载体)可以包括于或用在可以在很多技术或产业(例如电力产业，例如电力应用产业)中使用的宽范围的设备(例如太阳能板)中。 工件(例如晶片和/或载体)在工件加工的某阶段期间可能需要薄化，例如，以便工件和/或包括所述工件或产生自所述工件的设备符合规范(例如尺寸，例如厚度)和/或电参数。 图1A至图1D示出用于薄化工件的常规方法。 图1A示出在载体104之上所部署的工件102。 载体104 (例如玻璃载体)可以被配置为:例如在工件102的随后薄化期间，提供对工件102的支撑(例如机械支撑)。工件102可以被部署在载体104之上，并且可以安装到载体104上。例如，工件102可以通过可以在工件102与载体104 (例如玻璃载体)之间部署的粘接剂106 (例如不导电粘接剂，例如胶水、胶带、箔等)附接到载体104，如图1A所 /Jn ο 工件102可以包括或可以是晶片。在这样的示例中，工件102 (例如晶片)可以包括半导体衬底，其可以包括半导体材料，或可以由半导体材料组成。在这样的示例中，工件102 (例如晶片)可以包括一个或更多个半导体材料层。虽然其它材料同样可以是可能的，但半导体材料可以包括或可以是选自材料组的至少一种材料，所述组包括:硅、锗、氮化镓、砷化镓和碳化硅。在另一示例中，工件102可以包括或可以是载体。在这样的示例中，工件102 (例如载体)可以包括或可以是玻璃载体。在又一示例中，工件102可以包括或可以是载体(例如玻璃载体)，具有在载体(例如玻璃载体)之上所部署的一个或更多个层(例如一个或更多个半导体层)。在又一示例中，工件102可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于蚀刻工件的方法，所述方法包括：确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应；确定所述工件的厚度曲线；基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化；以及对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间。

【技术特征摘要】
2013.07.22 US 13/9472141.一种用于蚀刻工件的方法，所述方法包括: 确定用于蚀刻剂分配器的多个位置的多个基准蚀刻曲线，每个基准蚀刻曲线与所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置对应； 确定所述工件的厚度曲线； 基于所确定的厚度曲线和所述多个基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的各个蚀刻持续时间，以减少所述工件的总厚度变化；以及 对于所述多个位置中的每个位置经由所述蚀刻剂分配器在所述工件之上分配蚀刻剂到达所确定的各个蚀刻持续时间。2.如权利要求1所述的方法，其中，与所述各个位置对应的所述基准蚀刻曲线包括当在所述蚀刻剂分配器位于所述基准工件之上的所述各个位置处并且所述蚀刻剂经由所述蚀刻剂分配器在所述基准工件之上得以分配的情况下从基准工件蚀刻材料时所获得的蚀亥Ij曲线。3.如权利要求1所述的方法，其中，确定所述工件的所述厚度曲线包括:确定所述工件沿着穿过所述工件的中心的直线的厚度。4.如权利要求3所述的方法，其中，所述工件是圆形工件，并且其中，穿过所述工件的中心的直线是所述圆形工件的直径。5.如权利要求1所述的方法，其中，确定所述工件的所述厚度曲线包括无接触测量工艺和接触测量工艺中的至少一个。6.如权利要求1所述的方法，其中，确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置的所述多个基准蚀刻曲线包括: a)确定基准工件的初始厚度曲线； b)在所述多个位置中的各个位置处在所述基准工件之上定位所述蚀刻剂分配器； c)经由所述蚀刻剂分配器在所述基准工件之上分配所述蚀刻剂达到预定基准蚀刻持续时间； d)随后确定所述基准工件的最终厚度曲线； e)从所确定的初始厚度曲线和所确定的最终厚度曲线来确定所述基准蚀刻曲线；以及 f)对于所述多个位置中的每个位置执行a)— e)。7.如权利要求6所述的方法，其中，e)包括: 计算所述最终厚度曲线与所述初始厚度曲线之间的差，并且除以所述预定基准蚀刻持续时间。8.如权利要求6所述的方法，还包括: 在所述基准工件之上分配所述蚀刻剂的同时旋转所述基准工件。9.如权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂分配器的所述多个位置在所述工件的表面上的投影跟踪穿过所述工件的中心并且被横向部署在所述工件的边界内的弧线。10.如权利要求1所述的方法，其中，在所述工件之上分配所述蚀刻剂包括: 将所述蚀刻剂分配器移动到所述多个位置中的第一位置； 随后在所述工件之上分配所述蚀刻剂达到对于所述第一位置所确定的各个蚀刻持续时间； 随后将所述蚀刻剂分配器从所述第一位置移动到所述多个位置中的第二位置；以及 随后在所述工件之上分配所述蚀刻剂达到对于所述第二位置所确定的各个蚀刻持续时间， 其中，在把所述蚀刻剂分配器从所述多个位置中的所述第一位置移动到所述第二位置的同时，停止在所述工件之上分配所述蚀刻剂。11.如权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的各个位置位于所述工件的表面上的各个高度处，与所述多个位置中的所述各个位置对应的所述各个高度至少基本上相等。12.如权利要求1所述的方法，其中，基于所确定的厚度曲线和基准蚀刻曲线来确定用于所述蚀刻剂分配器的所述多个位置中的每个位置的所述各个蚀刻持续时间包括: 确定减少所述工件的所述总厚度变化的所述多个基准蚀刻曲线的线性组合，所述各个蚀刻持续时间是与所述多个基准蚀刻曲线的所述线性组合的各个基准蚀刻曲线对应的各个系数。13.如权利要求12所述的方法，其中，确定减少所述工件的所述总厚度变化的所述多个基准蚀刻曲线的所述线性组合包括:最小二乘拟合。14.如权利要求1所述的方法，还包括: 在所述工件之上分配所述蚀刻剂的同时旋转所述工件。15.—种用于蚀刻工件的方法,所述方法包括: 确定所述工件的厚度曲线，所述工件具有总厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：S穆林格，K皮尔希，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE