【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电池冷却系统和应用该电池冷却系统的电池架
本公开涉及电池冷却系统和应用该电池冷却系统的电池架,更具体地说,涉及具有Z型冷却通道的电池冷却系统和应用该电池冷却系统的电池架。 本公开要求于2011年5月31日在韩国提交的韩国专利申请第10-2011-0052262号的优先权,其公开内容通过弓I用并入本文。 此外,本公开要求2012年5月15日在韩国提交的韩国专利申请第10-2012-0051678号的优先权,其公开内容通过弓I用并入本文。
技术介绍
电池架上装载有多个电池模块,所述电池架包括:框架,所述框架被制造成具有大致六面体形状;多个水平板,所述多个水平板将框架划分成多个层级,并将电池模块安装固定在其中;侧面板、上面板、下面板和后面板,所述侧面板、上面板、下面板和后面板分别固定到框架的侧部、顶部、底部和后部;以及门或前面板,所述门或前面板联接到框架的前部。 电池架联接到预定的冷却设备,以便大致保持安装在架内部的电池模块的温度。为了联接冷却设备,在电池架的上面板和下面板中形成狭缝以允许冷却剂如空气经过。上面板和下面板分别连接到冷却剂引入 ...
【技术保护点】
一种电池冷却系统,包括:主框架,所述主框架用于限定电池架的结构;空间划分框架,所述空间划分框架用于将所述主框架的内部划分成多个层级;电池模块,所述电池模块位于所述主框架的内部并且由所述空间划分框架支撑;一对冷却剂引导板,所述一对冷却剂引导板分别安装在所述电池模块的上端和下端并且被安装成相对于所述电池模块的上表面和下表面成预定角度地在相同的方向上倾斜;以及侧面板,所述侧面板联接到所述主框架的侧部,并且在所述侧面板的至少一部分中形成有通道狭缝。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.31 KR 10-2011-0052262;2012.05.15 KR 10-2011.一种电池冷却系统,包括: 主框架,所述主框架用于限定电池架的结构; 空间划分框架,所述空间划分框架用于将所述主框架的内部划分成多个层级; 电池模块,所述电池模块位于所述主框架的内部并且由所述空间划分框架支撑; 一对冷却剂引导板,所述一对冷却剂引导板分别安装在所述电池模块的上端和下端并且被安装成相对于所述电池模块的上表面和下表面成预定角度地在相同的方向上倾斜;以及 侧面板,所述侧面板联接到所述主框架的侧部,并且在所述侧面板的至少一部分中形成有通道狭缝。2.根据权利要求1所述的电池冷却系统,其中,在所述电池模块的至少一部分中形成有放热狭缝。3.根据权利要求2所述的电池冷却系统,其中,所述放热狭缝形成在所述电池模块的至少上侧和下侧。4.根据权利要求1所述的电池冷却系统,其中,所述电池模块包括: 第一电池模块,所述第一电池模块装载在所述多个层级中的第一层级中;以及 第二电池模块,所述第二电池模块装载在与所述第一层级相邻且位于所述第一层级下方的第二层级中。5.根据权利要求4所述的电池冷却系统,其中,所述冷却剂引导板包括: 第一冷却剂引导板,所述第一冷却剂引导板设置在所述第一电池模块的上部; 第二冷却剂引导板,所述第二冷却剂引导板设置在所述第一电池模块的下部; 第三冷却剂引导板,所述第三冷却剂引导板设置在所述第二电池模块的上部;以及 第四冷却剂引导板,所述第四冷却剂引导板设置在所述第二电池模块的下部。6.根据权利要求5所述的电池冷却系统,其中,所述第一冷却剂引导板和所述第二冷却剂引导板彼此平行地放置,并且所述第三冷却剂引导板和所述第四冷却剂引导板彼此平行地放置。7.根据权利要求6所述的电池冷却系统,其中,所述第二冷却剂引导板以与所述第三引导板的倾斜相反的方式倾斜。8.根据权利要求5所述的电池冷却系统,其中,所述第一冷却剂引导板、所述第二冷却剂引导板、所述第三冷却剂引导板和所述第四冷却剂引导板在相同的方向上倾斜。9.根据权利要求8所述的电池冷却系统,其中,所述第一冷却剂引导板、所述第二冷却剂引导板、所述第三冷却剂引导板和所述第四冷却剂引导板彼此平行地放置。10.根据权利要求5所述的电池冷却系统,其中,所述通道狭缝形成在所述侧面板的在其宽度方向上的两侧。11.根据权利要求10所述的电池冷却系统,其中,所述通道狭缝包括: 第一通道狭缝,所述第一通道狭缝形成在与在所述第一冷却剂引导板和所述第一电池模块的上表面之间的空间对应的区域中; 第二通道狭缝,所述第二通道狭缝形成在与在所述第二冷却剂引导板和所述第一电池模块的下表面之间的空间对应的区域中; 第三通道狭缝,所述第三通道狭缝形成在与在所述第三冷却剂引导板和所述第二电池模块的上表面之间的空间对应的区域中;以及 第四通道狭缝,所述第四通道狭缝形成在与在所述第四冷却剂引导板和所述第二电池模块的下表面之间的空间对应的区域中。12.根据权利要求11所述的电池冷却系统,进一步包括冷却风扇,所述冷却风扇安装到如下区域:形成有所述第一通道狭缝的区域和形成有所述第二通道狭缝的区域中的至少一个区域...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔知荣,郑在皓,李汎炫,朴元灿,崔容硕,
申请(专利权)人:株式会社LG化学,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。