用于双面镀膜的石墨舟片及石墨舟制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于双面镀膜的石墨舟片，所述石墨舟片设置有镂空硅片位；所述镂空硅片位边缘设置有硅片卡件。本实用新型专利技术还提供了一种用于双模镀膜的石墨舟，包括多片上述技术方案所述的石墨舟片。本实用新型专利技术提供的石墨舟包括的石墨片上设置有镂空的硅片位，通过镂空硅片位边缘设置的硅片卡件将待镀膜的硅片卡在硅片位上，从而在镀膜时实现硅片的双面镀膜。而且，本实用新型专利技术提供的石墨舟与传统的太阳能电池生产线兼容，适合大规模工业生产。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种用于双面镀膜的石墨舟片，所述石墨舟片设置有镂空硅片位；所述镂空硅片位边缘设置有硅片卡件。本技术还提供了一种用于双模镀膜的石墨舟，包括多片上述技术方案所述的石墨舟片。本技术提供的石墨舟包括的石墨片上设置有镂空的硅片位，通过镂空硅片位边缘设置的硅片卡件将待镀膜的硅片卡在硅片位上，从而在镀膜时实现硅片的双面镀膜。而且，本技术提供的石墨舟与传统的太阳能电池生产线兼容，适合大规模工业生产。【专利说明】用于双面镀膜的石墨舟片及石墨舟
本技术涉及太阳能电池镀膜
，尤其涉及一种用于双面镀膜的石墨舟。
技术介绍
太阳能硅片的生产加工中有一道工序叫做等离子增强化学气相沉积(PECVD)镀膜，其作用是提高硅片的太阳能转化率。这个工序就用到石墨舟。把硅片放到石墨舟中，通过等离子化学气相沉积，在骨片表面沉积一层深蓝色氮化硅膜。 石墨舟是给太阳能电池片中的硅片镀膜的载体，其结构和大小直接影响硅片的转换效率和生产效率。目前，石墨舟均包括间隔设置的若干第一石墨舟片、第二石墨舟片、陶瓷套、陶瓷杆、石墨杆、石墨螺母、第一连接块和第二连接块；第一石墨舟片的结构和第二石墨舟片的结构相同，第一石墨舟片一端的下部和中部分别设置有第一接线凸耳，第二石墨舟片另一端的下部和中部分别设置有第二接线凸耳；陶瓷套设置在第一石墨舟片和第二石墨舟片之间，再通过陶瓷杆穿过若干第一石墨舟片、第二石墨舟片和陶瓷套与石墨螺母配合将若干第一石墨舟片、第二石墨舟片和陶瓷套固定；第一连接块设置在相邻两第一接线凸耳之间，再通过陶瓷杆、石墨杆穿过若干第一接线凸耳和第一连接块与石墨螺母配合将若干第一石墨舟片和第一连接块固定；第二连接块设置在相邻两第二接线凸耳之间，再通过陶瓷杆、石墨杆穿过若干第二接线凸耳和二连接块与石墨螺母配合将若干第二石墨舟片和第二连接块固定。 在采用上述石墨舟对硅片进行镀膜时，每个硅片位的硅片通常是背靠背装片，石墨舟片间接入射频电源，硅片作为电极的一部分，两舟片间通过射频放电形成等离子体，使硅片上沉积上减反射膜。现有技术公开的石墨舟在镀膜时只在硅片一面镀上了钝化膜或减反膜，不利于其推广应用。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于双面镀膜的石墨舟，本技术提供的石墨舟能够对硅片进行双面镀膜。 本技术提供了一种用于双面镀膜的石墨舟片，所述石墨舟片设置有镂空硅片位； 所述镂空硅片位边缘设置有硅片卡件。 优选的，每个镂空娃片位上设置2个?5个娃片卡件。 优选的，所述镂空硅片位为四边形； 所述四边形的镂空硅片位的四个侧边中至少I个不设置硅片卡件。 优选的，所述硅片卡件为V型。 优选的，所述硅片卡件包括第一卡面和第二卡面； 所述第一卡面的一端和第二卡面的一端相接构成V型硅片卡件。 优选的，所述镂空硅片位的尺寸大于待镀膜的硅片。 优选的，所述石墨舟片的长度为100mm?1500mm; 所述石墨舟片上的镂空硅片位为3个?10个。 优选的,所述石墨舟片的长度为IlOOmm?1300mm。 本技术提供了一种用于双面镀膜的石墨舟，包括多片上述技术方案所述的石墨舟片。 优选的，所述石墨舟片的片数为11片?21片。 本技术提供了一种用于双面镀膜的石墨舟片，所述石墨舟片设置有镂空硅片位；所述镂空硅片位边缘设置有硅片卡件。本技术还提供了一种用于双模镀膜的石墨舟，包括多片上述技术方案所述的石墨舟片。本技术提供的石墨舟包括的石墨片上设置有镂空的硅片位，通过镂空硅片位边缘设置的硅片卡件将待镀膜的硅片卡在硅片位上，从而在一次镀膜的进程中，实现硅片的双面镀膜。而且，本技术提供的石墨舟与传统的太阳能电池生产线兼容，适合大规模工业生产。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为本技术实施例中硅片卡件的结构示意图； 图2为本技术实施例中硅片位边缘设置有3个硅片卡件的石墨舟片结构示意图； 图3为本技术实施例中硅片位边缘设置有4个硅片卡件的石墨舟片结构示意图； 图4为本技术实施例中石墨舟的正视图。 【具体实施方式】 为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步的详细说明。 本技术提供了一种用于双面镀膜的石墨舟片，所述石墨舟片设置有镂空硅片位； 所述镂空硅片位边缘设置有硅片卡件。 本技术提供的石墨舟片设置有镂空硅片位，通过所述镂空硅片位边缘的硅片卡件将待镀膜的硅片固定在石墨舟片上，在对硅片进行镀膜时，可同时对硅片的双面进行镀膜，得到双模镀膜的硅片。 本技术提供的用于双面镀膜的石墨舟片上设置有镂空硅片位。本技术对所述石墨舟片的尺寸、材质、形状等没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的石墨舟片即可。与现有技术不同的是，本技术在石墨舟片上设置了镂空的硅片位。在本技术中，所述石墨舟片的长度优选为100mm?1500mm,更优选为IlOOmm?1300mm,最优选为1196mm0 本技术对每片石墨舟片上镂空硅片位的数量没有特殊的限制，本领域技术人员可根据生产需要，设置合适数量的硅片位。在本技术中，每片石墨舟片上镂空硅片位的数量优选为3个?10个，更优选为4个?7个。在本技术的实施例中，每片石墨舟片上可设置4个、5个、6个或7个镂空硅片位。本技术对相邻镂空硅片位的间隔距离也没有特殊的限制，本领域技术人员可跟设置任意的间隔距离。在本技术的实施例中，每片石墨舟片上的口空娃片位平均分布。 本技术对所述镂空硅片位的形状没有特殊的限制，本领域技术人员可根据待镀膜硅片的形状，设置与所述待镀膜硅片形状相适应的镂空硅片位。在本技术的实施例中，所述镂空硅片位可以为四边形。在本技术中，为了能够对待镀膜的硅片全方位镀膜，所述镂空硅片位的尺寸优选大于待镀膜硅片。 在本技术中，所述镂空硅片位的边缘设置有硅片卡件，用于将待镀膜硅片固定在石墨舟片上。 参见图1，图1为本技术实施例中硅片卡件的结构示意图。 在本技术中，所述硅片卡件优选为V型。具体的，所述硅片卡件包括第一卡面和第二卡面，所述第一卡面的一端与第二卡面的一端相接形成V型硅片卡件。在本技术中，所述第一卡面和第二卡面相接的部位与所述镂空硅片位边缘相接，用于将硅片卡件固定在镂空硅片位边缘；所述第一卡面和第二卡面的开口处用于放置待镀膜的硅片。本技术对所述第一卡面和第二卡面开口处的距离没有特殊的限制，能够将待镀膜硅片固定住即可。 本技术对每个镂空硅片位边缘设置的硅片卡件的数量没有特殊的限制，能够将硅片固定即可。在本技术中，每个镂空硅片位上优选设置2个?5个硅片可见，更优选为3个?4个。 本技术对硅片卡件在镂空硅片位边缘设置的位置没有特殊的限制，能够将硅片固定即可。在本技术的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于双面镀膜的石墨舟片，所述石墨舟片设置有镂空硅片位；所述镂空硅片位边缘设置有硅片卡件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄纪德，蒋方丹，金井升，金浩，陈康平，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33