【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及光伏，特别涉及一种太阳能电池的形成方法、太阳能电池及光伏组件。
技术介绍
1、随着光伏技术的发展，在太阳能电池的制造中，节约制造成本的同时，实现对太阳能电池效率的提升已成为关注的主要问题。
2、影响太阳能电池性能(例如光电转换效率)的原因包括光学损失以及电学损失，光学损失包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失等，电学损失包括半导体表面及体内的光生载流子复合以及半导体和金属的接触电阻等损失，目前形成太阳能电池正面电极的方式对太阳能电池的效率具有一定的影响，太阳能电池中形成正面电极的方式有待改进。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种太阳能电池的形成方法，至少有利于提升太阳能电池的性能。
2、本申请实施例提供一种太阳能电池的形成方法，包括：提供基底；对基底的正面进行掺杂，以形成发射极层；基底的正面包括金属区和非金属区，在金属区形成沿远离基底的方向依次分布的隧穿层以及掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层的掺杂浓度大于发射极层的掺杂浓度；进行高温处理，以增大隧穿层的孔洞密度，以及降低掺杂多晶硅层的方阻；在掺杂多晶硅层远离基底的表面形成电极。
3、在一些实施例中，形成隧穿层和掺杂多晶硅层包括：在基底的正面形成初始隧穿层和初始多晶硅层；对初始多晶硅层进行掺杂，以形成初始掺杂多晶硅层；在金属区的初始掺杂多晶硅远离基底的表面形成保护层；采用第一刻蚀工艺去除非金属区的初始掺杂多晶硅层，金属区的初始掺杂多晶硅层作为掺杂多晶硅层；采用
4、在一些实施例中，采用激光处理工艺在金属区的初始掺杂多晶硅远离基底的表面形成保护层。
5、在一些实施例中，激光处理工艺还对金属区的初始掺杂多晶硅层进行激光掺杂。
6、在一些实施例中，形成初始掺杂多晶硅层后，形成保护层前，还包括：对金属区的初始掺杂多晶硅层进行激光掺杂。
7、在一些实施例中，形成隧穿层和掺杂多晶硅层包括：形成发射极层前，在基底的正面形成初始隧穿层和初始多晶硅层；在金属区的初始多晶硅层远离基底的表面形成保护层；采用第一刻蚀工艺去除非金属区的初始多晶硅层；采用第二刻蚀工艺去除保护层以及非金属区的初始隧穿层，金属区的初始隧穿层作为隧穿层；自基底的正面对基底以及金属区的初始多晶硅层进行掺杂，以形成发射极层和掺杂多晶硅层。
8、在一些实施例中，保护层的材料和初始隧穿层的材料相同。
9、在一些实施例中，保护层的材料包括氧化硅。
10、在一些实施例中，隧穿层的厚度为1.5nm～2nm，掺杂多晶硅层的厚度为200nm～300nm。
11、在一些实施例中，高温处理的温度为950℃～1050℃，高温处理的时间为140min～160min。
12、在一些实施例中，对基底的正面进行硼掺杂，以形成发射极层，高温处理还在非金属区形成硼硅玻璃层。
13、本申请实施例另一方面还提供一种太阳能电池，太阳能电池采用如上述实施例中任一项所述的太阳能电池的制备方法形成。
14、本申请实施例又一方面还提供一种光伏组件，包括：至少一个如上述实施例所述的太阳能电池；胶膜，胶膜覆盖太阳能电池的表面；盖板，盖板覆盖胶膜远离太阳能电池的表面。
15、本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：本申请实施例提供的太阳能电池的形成方法中，太阳能电池的正面包括金属区和非金属区，金属区用于形成电极，形成电极之前，在金属区上形成沿远离基底的方向依次排布的隧穿层和掺杂多晶硅层，隧穿层用于对掺杂多晶硅层中的掺杂元素进行阻挡，防止掺杂多晶硅层中的掺杂元素进入基底对基底造成影响，掺杂多晶硅层的掺杂浓度大于发射极层的掺杂浓度，后续形成的电极与掺杂浓度较高的掺杂多晶硅层相接触，使得电极与掺杂多晶硅层之间形成良好的欧姆接触，还避免了形成电极的烧结工艺对基底造成损伤，有利于减少基底正面的缺陷，提升基底正面的钝化效果，此外，通过高温处理增加隧穿层中的孔洞(pinhole)密度，降低隧穿层对载流子的阻碍，同时，通过高温处理降低掺杂多晶硅层的方阻，进而降低电阻，提升太阳能电池的填充因子。
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1.一种太阳能电池的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，形成所述隧穿层和所述掺杂多晶硅层包括：
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，采用激光处理工艺在所述金属区的所述初始掺杂多晶硅远离所述基底的表面形成所述保护层。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，所述激光处理工艺对所述金属区的所述初始掺杂多晶硅层进行激光掺杂。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，形成所述初始掺杂多晶硅层后，形成所述保护层前，还包括：对所述金属区的所述初始掺杂多晶硅层进行激光掺杂。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，形成所述隧穿层和所述掺杂多晶硅层包括：
7.根据权利要求2或6所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料和所述初始隧穿层的材料相同。
8.根据权利要求2或6所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅。
9.根据权利要求1所述的
10.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，所述高温处理的温度为950℃～1050℃，所述高温处理的时间为140min～160min。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，对所述基底的正面进行硼掺杂，以形成所述发射极层，所述高温处理还在所述非金属区形成硼硅玻璃层。
12.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池采用如权利要求1～11中任一项所述的太阳能电池的制备方法形成。
13.一种光伏组件，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，形成所述隧穿层和所述掺杂多晶硅层包括：
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，采用激光处理工艺在所述金属区的所述初始掺杂多晶硅远离所述基底的表面形成所述保护层。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，所述激光处理工艺对所述金属区的所述初始掺杂多晶硅层进行激光掺杂。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，形成所述初始掺杂多晶硅层后，形成所述保护层前，还包括：对所述金属区的所述初始掺杂多晶硅层进行激光掺杂。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，形成所述隧穿层和所述掺杂多晶硅层包括：
7.根据权利要求2或6所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：瞿佳华，金井升，张临安，孙亚龙，颜雪梅，张昕宇，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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