【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏生产，尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。
技术介绍
1、由于太阳能电池发电系统是利用在世界上任何地方都可均匀地接收的日光产生电力的清洁的发电系统，并且作为发电源，太阳能电池发电系统可获得较高的发电效率而不必使用复杂的大装置，此外太阳能电池发电系统有望在将来满足电力需要要求的增长而不引起环境被破坏，因而公众的注意力已集中到太阳能电池发电系统上，太阳能发电系统的核心部件为太阳能电池。
2、ibc电池（interdigitated back contact），即叉指状背接触电池，是在硅片的背光面分别进行磷扩散、硼扩散，形成叉指形交叉排列的p+区和n+区，同时，正负金属电极也呈叉指状方式排列在电池背光面的一种背结背接触太阳能电池技术。ibc电池采用全背面电极设计，可实现电池前表面钝化和表面陷光结构的最优化，增强电池对光学的吸收利用，能够获得较高的光电转换效率，然而，现有的ibc电池背面的光吸收效率有限，使得电池的转换效率难以有所提升。
技术实现思路
1、本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，能够提升背面太阳光的光吸收的同时使得电池具有良好的钝化效果，提升电池的转换效率。
2、第一方面，本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：
3、半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的前表面和后表面；
4、所述半导体衬底的后表面设有交替排列的p型导电区域和n型导电区域，所述p型导电区域和所述n型导电区域之间具有分隔区，所述
5、位于所述半导体衬底前表面的第一钝化层；
6、位于所述半导体衬底后表面的第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述p型导电区域、第一缺口区域、分隔区和n型导电区域；
7、穿过所述第二钝化层与所述p型导电区域形成欧姆接触的第一电极；
8、穿过所述第二钝化层与所述n型导电区域形成欧姆接触的第二电极。
9、第二方面，本申请实施例提供一种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
10、提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的前表面和后表面；
11、在所述半导体衬底的后表面形成p型导电区域、分隔区和n型导电区域，所述分隔区位于所述p型导电区域和n型导电区域之间；所述p型导电区域和所述分隔区之间具有沿第一方向凹陷的第一缺口区域，所述第一缺口区域内设置有第一纹理结构，所述第一方向平行于所述分隔区指向所述p型导电区域方向；所述分隔区内设有第二纹理结构，所述第二纹理结构的形貌与所述第一纹理结构的形貌不同；
12、在所述半导体衬底前表面形成第一钝化层；
13、在所述半导体衬底后表面形成第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述p型导电区域、第一缺口区域、分隔区和n型导电区域；
14、在所述第二钝化层的表面形成第一电极和第二电极。
15、第三方面，本申请实施例提供一种光伏组件，所述光伏组件包括盖板、封装材料层和太阳能电池串，所述太阳能电池串包括多个第一方面所述的太阳能电池或第二方面所述的制备方法制备的太阳能电池。
16、本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：
17、本申请的太阳能电池，其在半导体衬底后表面p型导电区域和分隔区之间的区域能够形成沿第一方向凹陷的第一缺口区域，沿第一方向凹陷的第一缺口区域能够提升太阳能电池光吸收的有效面积，进而提升太阳能电池的光利用效率，解决了现有太阳能背面p型导电区域和分隔区之间的区域呈“台阶状”或“斜坡状”无法对太阳能电池带来增益的问题。第一缺口区域的第一纹理结构和分隔区内的第二纹理结构的形貌不同，第一纹理结构具有优良的陷光作用，且能够增加半导体衬底后表面的表面积，从而增加背面太阳光的光吸收，降低背面太阳光的反射。而且，对于从电池正面透过半导体衬底的长波光也能够被第一纹理结构吸收，进一步增强电池的整体光吸收效率，同时还不会影响p型导电区域和分隔区之间的区域的钝化效果，提升太阳能电池的光电转换效率。
18、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一缺口区域具有第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁相比于所述第二侧壁更远离所述半导体衬底，所述第一侧壁和第二侧壁之间具有夹角，所述夹角为锐角。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述夹角为30°~75°。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一侧壁的长度记为L1，所述第二侧壁的长度记为L2，L1：L2=1：（1~5）。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一纹理结构包括设置在所述第一侧壁上的多个第一子纹理结构a和设置在所述第二侧壁上的多个第一子纹理结构b，所述第一子纹理结构a凸起于所述第一侧壁所在表面，所述第一子纹理结构b凸起于所述第二侧壁所在表面。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子纹理结构a的尺寸小于等于所述第一子纹理结构b的尺寸。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子纹理结构a的高度为1μm~3μm；和/或所述第一子纹理
8.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子纹理结构a在所述第一侧壁上的总表面积与所述第一侧壁所在表面的面积之比为（1.2~2）：1。
9.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子纹理结构b在所述第二侧壁上的总表面积与所述第二侧壁所在表面的面积之比为（1.3~2）：1。
10.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子纹理结构a和/或第一子纹理结构b的形貌包括棱柱状、棱锥状和笔状中的至少一种。
11.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子纹理结构a在所述第一侧壁上具有多个第一起伏部，所述第一起伏部包括第一起伏峰和第一起伏谷，所述第一子纹理结构b在所述第二侧壁上具有多个第二起伏部，所述第二起伏部包括第二起伏峰和第二起伏谷；
12.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一侧壁在所述半导体衬底所在平面上的投影长度为1μm~4μm；和/或所述第二侧壁在所述半导体衬底所在平面上的投影长度为4μm~6μm；和/或所述第一缺口区域在所述半导体衬底的后表面上的分布占比为0.5%~1.5%。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化层具有沿所述第一方向凹陷的第二缺口区域，所述第二缺口区域和所述第一缺口区域的位置相对应，所述第二缺口区域具有第三侧壁和第四侧壁，所述第三侧壁相比于所述第四侧壁更远离所述半导体衬底，所述第三侧壁和第四侧壁之间的夹角为锐角。
14.一种太阳能电池底的制备方法，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，制备所述第一缺口区域的方法包括：
16.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括盖板、封装材料层和太阳能电池串，所述太阳能电池串包括多个权利要求1~13任一项所述的太阳能电池或权利要求14~15任一项所述的制备方法制备的太阳能电池。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一缺口区域具有第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁相比于所述第二侧壁更远离所述半导体衬底，所述第一侧壁和第二侧壁之间具有夹角，所述夹角为锐角。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述夹角为30°~75°。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一侧壁的长度记为l1，所述第二侧壁的长度记为l2，l1：l2=1：（1~5）。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一纹理结构包括设置在所述第一侧壁上的多个第一子纹理结构a和设置在所述第二侧壁上的多个第一子纹理结构b，所述第一子纹理结构a凸起于所述第一侧壁所在表面，所述第一子纹理结构b凸起于所述第二侧壁所在表面。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子纹理结构a的尺寸小于等于所述第一子纹理结构b的尺寸。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子纹理结构a的高度为1μm~3μm；和/或所述第一子纹理结构b的高度为1μm~3μm。
8.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子纹理结构a在所述第一侧壁上的总表面积与所述第一侧壁所在表面的面积之比为（1.2~2）：1。
9.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一子纹理结构b在所述第二侧壁上的总表面积与所述第二侧壁所在表面的面积之比为（1.3~2）：1。
...【专利技术属性】
技术研发人员：冯修，徐孟雷，杨洁，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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