【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光电技术中感光器件的。更具体地，本专利技术涉及一种提高收光利用率的光电传感器。
技术介绍
1、在现有技术中，晶体管光电传感器的工艺中采用pin二极管感光，其有效感光面积与像素面积占比定义为ff，为对入射光的吸收比例。
2、现有技术存在的问题和缺陷是：
3、1、光线无法完全接收，会存在感光量的损失；
4、2、ff无法进一步提高。
5、采用关键词“收光；利用率；光电；传感器”，对现有技术文献进行检索，其检索结果如下：
6、1、中国专利文献：“多探头光纤倏逝波生物传感器”，专利(申请)号：03115586.3，其记载的技术方案是：
7、“多探头光纤倐逝波生物传感器包括激光激发光路、荧光接收光路、样品流路和扫描驱动系统,分别用于激发光纤芯线表面的被测生物物质的荧光、接收来自光纤的荧光信号并完成光电转换、样品的吸入及对多根光纤上荧光信号的扫描检测”；
8、其记载的技术效果是：
9、“具有荧光激发效率高、光能利用率高、荧光接收效率高和检测效率高的特点”。
10、2、中国专利文献：“一种图像传感器、分光滤色器件及图像传感器的制备方法”，专利(申请)号：202080088569.1，其记载的技术方案是：
11、“图像传感器、分光滤色器件及图像传感器的制备方法，用于为提高入射至图像传感器的光的利用率。该图像传感器包括：超表面、衬底和光电转换单元；超表面中的阵列排列在衬底的顶部，超表面包括多个子单元，每个子单元包括多
12、其记载的技术效果是：
13、“提高入射至图像传感器的光的利用率”。
14、但是，上述现有公开的技术方案，均没有能够解决现有技术中存在的光电传感器“光线无法完全接收，会存在感光量的损失；ff无法进一步提高”的问题和缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术提供的光电传感器，其目的是提高光电传感器的收光利用率。
2、为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
3、本专利技术的提高收光利用率的光电传感器，包括基板、pin二极管，在所述的pin二极管的外围，设置倒梯形反光结构，所述的倒梯形反光结构的截面为倒梯形，其梯形的长底边在上方，短底边在下方，使倒梯形反光结构的侧面形成朝向pin二极管的倾斜。
4、所述的梯形反光结构的截面为上下分布的两个倒梯形。
5、所述的梯形反光结构的截面的上部倒梯形顶部的长底边，形成用于反射屏蔽光的梯形反光结构的屏蔽台面。
6、所述的梯形反光结构的截面的下部倒梯形顶部的长底边，形成用于反射屏蔽光的梯形反光结构的下层屏蔽台阶。
7、所述的梯形反光结构利用负性胶曝光特性，完成双层反倒角棱镜基底的制备。
8、所述的倒梯形反光结构的外表面均设置金属反光层。
9、所述的金属反光层为金属mo薄膜。
10、所述的pin二极管接收垂直于其表面的直射光。
11、所述的倒梯形反光结构的侧面接收二极管反射回收光及散射回收光，并将其反射至pin二极管的表面上。
12、所述的倒梯形反光结构与pin二极管之间，设置间隙。
13、本专利技术采用上述技术方案，有效提高非pin面积外的入射光利用率；像素中间引入屏蔽台阶，屏蔽光被折回，有效降低了像素间入射光的误读取；有效提高像素对入射光的利用率；有效提高像素的分辨率，增强像素间的信号差异；本专利技术的技术方案可以加快产品性能提升进度，并有效克服现有技术的缺陷和不足。
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1.一种提高收光利用率的光电传感器，包括基板(1)、PIN二极管(2)，其特征在于：在所述的PIN二极管(2)的外围，设置倒梯形反光结构(4)，所述的倒梯形反光结构(4)的截面为倒梯形，其梯形的长底边在上方，短底边在下方，使倒梯形反光结构(4)的侧面形成朝向PIN二极管(2)的倾斜。
2.按照权利要求1所述的提高收光利用率的光电传感器，其特征在于：所述的梯形反光结构(4)的截面为上下分布的两个倒梯形。
3.按照权利要求2所述的提高收光利用率的光电传感器，其特征在于：所述的梯形反光结构(4)的截面的上部倒梯形顶部的长底边，形成用于反射屏蔽光(8)的梯形反光结构(4)的屏蔽台面(9)。
4.按照权利要求2所述的提高收光利用率的光电传感器，其特征在于：所述的梯形反光结构(4)的截面的下部倒梯形顶部的长底边，形成用于反射屏蔽光(8)的梯形反光结构(4)的下层屏蔽台阶(10)。
5.按照权利要求1所述的提高收光利用率的光电传感器，其特征在于：所述的梯形反光结构(4)利用负性胶曝光特性，完成双层反倒角棱镜基底的制备。
6.按照权利要
7.按照权利要求6所述的提高收光利用率的光电传感器，其特征在于：所述的金属反光层(3)为金属Mo薄膜。
8.按照权利要求1所述的提高收光利用率的光电传感器，其特征在于：所述的PIN二极管(2)接收垂直于其表面的直射光(5)。
9.按照权利要求1所述的提高收光利用率的光电传感器，其特征在于：所述的倒梯形反光结构(4)的侧面接收二极管反射回收光(6)及散射回收光(7)，并将其反射至PIN二极管(2)的表面上。
10.按照权利要求2所述的提高收光利用率的光电传感器，其特征在于：所述的倒梯形反光结构(4)与PIN二极管(2)之间，设置间隙。
...【技术特征摘要】
1.一种提高收光利用率的光电传感器，包括基板(1)、pin二极管(2)，其特征在于：在所述的pin二极管(2)的外围，设置倒梯形反光结构(4)，所述的倒梯形反光结构(4)的截面为倒梯形，其梯形的长底边在上方，短底边在下方，使倒梯形反光结构(4)的侧面形成朝向pin二极管(2)的倾斜。
2.按照权利要求1所述的提高收光利用率的光电传感器，其特征在于：所述的梯形反光结构(4)的截面为上下分布的两个倒梯形。
3.按照权利要求2所述的提高收光利用率的光电传感器，其特征在于：所述的梯形反光结构(4)的截面的上部倒梯形顶部的长底边，形成用于反射屏蔽光(8)的梯形反光结构(4)的屏蔽台面(9)。
4.按照权利要求2所述的提高收光利用率的光电传感器，其特征在于：所述的梯形反光结构(4)的截面的下部倒梯形顶部的长底边，形成用于反射屏蔽光(8)的梯形反光结构(4)的下层屏蔽台阶(10)。
5.按照权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：李俊杰，赵学虎，
申请(专利权)人：芜湖迪钛飞光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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