一种反射液晶显示面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种反射液晶显示面板及其制造方法，反射液晶显示面板包括TFT区、反射区和绑定区，制造方法包括如下步骤：S1：采用第一道光罩形成栅极、公共电极和第一绑定电极；S2：采用半色调光罩形成非晶硅层、第一半导体层、第二半导体层、源极、漏极、沟道区、反射极、以及第二绑定电极；S3：采用第三道光罩在绑定区域形成接触孔，接触孔是实现与外部电路连接。本发明专利技术通过半色调掩膜技术，节省a

【技术实现步骤摘要】
一种反射液晶显示面板及其制造方法


[0001]本专利技术涉及反射式显示的
，尤其涉及一种反射液晶显示面板及其制造方法。

技术介绍

[0002]在低碳要求下，反射式液晶显示技术是重要技术方向。如图1所示为现有反射液晶显示面板的结构示意图，其包括上基板1、下基板2、位于上基板1下方的上像素电极101以及夹设在上基板1和下基板2之间的液晶分子3。通过像素电极101使用Ag、Al等反射金属，非ITO，实现可见光的反射，不用背光，功耗可降低70%以上。
[0003]另外液晶分子3使用宾主液晶方式，在液晶分子3中添加染料，可以根据液晶的偏转吸收可见光，实现明暗的变化，减少了偏光片，使光的利用率提升，并降低成本。
[0004]形成图1所示的反射液晶显示面板需要8道光罩，具体为：第一 步：采用第一道光罩在玻璃基板2上形成栅极201、公共电极202和第一连接电极203；第二步：整面铺设栅极绝缘层204；第三步：采用第二道光罩形成非晶硅2051、分别位于非晶硅2051两侧上的第一半导体层2052和第二半导体层2053；第四步：采用第三道光罩形成与第一半导体层2052接触的源极2061、与第二半导体层2053接触的漏极2062以及第二连接电极2063；第五步：采用第四道光罩形成绝缘保护层207。
[0005]第六步：采用第五道光罩形成机膜208；第七步：采用第六道光罩在有机膜208上形成有机膜凸起2081和接触孔；第八步：采用第七道光罩形成与漏极2062连接的像素电极209以及均与第一连接电极203和第二连接电极2063连接的接触电极2091；第九步：采用第八道光罩形成位于有机膜凸起2081上的反射层210。
[0006]其中第一连接电极23、第二连接电极63和接触电极92位于绑定区。
[0007]故，有必要设计一种成本降低的反射液晶显示面板。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于提供一种降低成本的反射液晶显示面板及其制造方法。
[0009]本专利技术提供一种反射液晶显示面板的制造方法，反射液晶显示面板包括TFT区、反射区和绑定区，包括如下步骤：S1：在玻璃基板上沉积第一金属层，采用第一道光罩对第一金属层进行曝光和刻蚀形成位于玻璃基板上的栅极、公共电极和第一绑定电极，所述栅极、公共电极和第一绑定电极分别位于TFT区、反射区和绑定区；S2：首先通过等离子体增强化学的气相沉积法成膜形成整面铺设的栅极绝缘层、
覆盖在栅极绝缘层上的非晶硅材料层、以及位于非晶硅材料层上的半导体材料层；接着通过物理气相沉积成膜形成位于半导体层上的第二金属层；最后通过半色调光罩形成非晶硅层、位于非晶硅层上的第一半导体层和第二半导体层、位于第一半导体层上的源极、位于第二半导体层上的漏极、位于非晶硅层上且位于源极和漏极之间的沟道区、与漏极连接的反射极、以及第二绑定电极；其中源极、漏极和反射极均由第二金属层形成的；源极和漏极位于TFT区，反射极位于反射区，第二绑定电极位于绑定区；S3：首先形成保护层；然后采用第三道光罩在绑定区域形成接触孔，接触孔是实现与外部电路连接；S4：采用第四道光罩形成与漏极连接的像素电极以及均与第一绑定电极和第二绑定电极连接的连接电极。
[0010]优选地，第一金属层为Mo/Al/Mo、Ti/Al/Ti、Al/Mo、Al/Ti的叠层金属。
[0011]优选地，第二金属层为Al/Ti、Ti/Al/Ti、ITO/Ag/ITO的叠层金属。
[0012]优选地，金属叠层的最上层Ti或者ITO的厚度≤10nm。
[0013]优选地，第二金属层为单层金属。
[0014]优选地，第二绑定电极由非晶硅材料层、半导体材料层和第二金属层堆叠形成。
[0015]优选地，半色调光罩设有与沟道区所在区域对应的半透区、与第一绑定电极所在区域对应的全透区以及遮光区，采用半色调光罩进行曝光刻蚀的步骤如下：S21：采用第二光罩的半色调光罩进行曝光，在半透区内形成沟道区和刻蚀掉部分位于第一绑定电极的上方部分，沟道区下方的非晶硅材料层形成非晶硅层，半导体材料层被沟道区分成分别位于非晶硅层两侧的第一半导体层和第二半导体层,第二金属层也被沟道区分成分别源极、漏极以及与漏极连接的反射极；S22：继续采用半色调光罩进行曝光，刻蚀掉位于全部第一绑定电极的上方部分。
[0016]优选地，栅极绝缘层和保护层为氧化硅和氮化硅单层或者叠层。
[0017]优选地，公共电极为网格状图形。
[0018]本专利技术还提供一种反射液晶显示面板的制造方法，由上述的反射液晶显示面板的制造方法制造形成的。
[0019]本专利技术通过半色调掩膜技术，节省a
‑
Si光罩；通过像素区公共电极图形网格化，实现反射层漫反射，节省有机层光罩；再次，通过源极、漏极与反射极的共用金属层，节省反射极和绑定电极的光罩；本专利技术只需4道光罩，成本大幅降低，产能显著提高。
附图说明
[0020]下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对本专利技术予以进一步说明。
[0021]图1是现有反射液晶显示面板的结构示意图；图2是现有反射液晶显示面板的剖面图；图3是本专利技术反射液晶显示面板的剖面图；图4和图5是本专利技术反射液晶显示面板的制造过程图。
具体实施方式
[0022]下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本专利技术，应理解这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围，在阅读了本专利技术之后，本领域技术人员对本专利技术的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0023]为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本专利技术相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
[0024]本专利技术公开一种反射液晶显示面板的制造方法，如图3所示，反射液晶显示面板包括TFT区、反射区和绑定区，包括如下步骤：S1：如图4所示，在玻璃基板10上沉积第一金属层（图未示），采用第一道光罩对第一金属层进行曝光和刻蚀形成位于玻璃基板10上的栅极21、公共电极22和第一绑定电极23，栅极21、公共电极22和第一绑定电极23分别位于TFT区、反射区和绑定区；其中第一金属层为单层或叠层金属，例如Mo/Al/Mo、Ti/Al/Ti、Al/Mo、Al/Ti等金属叠层，但不限于此。
[0025]公共电极22为图形化设计，优选网格状图形，但不限于此。
[0026]S2：如图5所示，首先通过PECVD（等离子体增强化学的气相沉积法）成膜形成整面铺设的栅极绝缘层30、覆盖在栅极绝缘层30上的非晶硅材料层、以及位于非晶硅材料层上的半导体材料层（图未示）；接着通过PVD（物理气相沉积）成膜形成位于半导体层上的第二金属层；最后通过半色调光罩100形成非晶硅层40、位于非晶硅层40上的第一半导体层51和第二半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反射液晶显示面板的制造方法，反射液晶显示面板包括TFT区、反射区和绑定区，其特征在于，包括如下步骤：S1：在玻璃基板上沉积第一金属层，采用第一道光罩对第一金属层进行曝光和刻蚀形成位于玻璃基板上的栅极、公共电极和第一绑定电极，所述栅极、公共电极和第一绑定电极分别位于TFT区、反射区和绑定区；S2：首先通过等离子体增强化学的气相沉积法成膜形成整面铺设的栅极绝缘层、覆盖在栅极绝缘层上的非晶硅材料层、以及位于非晶硅材料层上的半导体材料层；接着通过物理气相沉积成膜形成位于半导体层上的第二金属层；最后通过半色调光罩形成非晶硅层、位于非晶硅层上的第一半导体层和第二半导体层、位于第一半导体层上的源极、位于第二半导体层上的漏极、位于非晶硅层上且位于源极和漏极之间的沟道区、与漏极连接的反射极、以及第二绑定电极；其中源极、漏极和反射极均由第二金属层形成的；源极和漏极位于TFT区，反射极位于反射区，第二绑定电极位于绑定区；S3：首先形成保护层；然后采用第三道光罩在绑定区域形成接触孔，接触孔是实现与外部电路连接；S4：采用第四道光罩形成与漏极连接的像素电极以及均与第一绑定电极和第二绑定电极连接的连接电极。2.根据权利要求1所述的反射液晶显示面板的制造方法，其特征在于，第一金属层为Mo/Al/Mo、Ti/Al/Ti、Al/Mo、Al/Ti的叠层金属。3.根据权利要求1所述的反射液晶显示面板的制造方法，其特征在于，第二金属层为Al/Ti、Ti/Al/Ti、ITO...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊杰，
申请(专利权)人：芜湖迪钛飞光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：