【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电池包，具体地，涉及一种x射线球管控制器。
技术介绍
1、本部分的描述仅提供与本专利技术公开相关的背景信息，而不构成现有技术。
2、x射线管利用高速电子束轰击重金属材料产生x射线，目前透射式射线管大多采用开放式结构，虽然损坏的部件容易更换，但是单个灯丝的寿命很短，增加了使用成本。
3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本专利技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
1、为了克服现有技术中的缺陷，本专利技术提供了一种x射线球管控制器，根据x射线管灯丝的特性，自动计算合适的灯丝工作电流以及适宜的栅极电压，达到x射线高精度成像，满足x射线输出功率的要求又能极大程度的延长灯丝的使用寿命。
2、本专利技术公开了一种x射线球管控制器，包括：
3、射线管壳，所述射线管壳内为电子束真空室，所述射线管壳包括依次设置的高压电源、灯丝、栅极罩、偏转线圈和磁透镜，所述射线管壳靠近磁透镜的一端设有靶座，靶座上安装有靶片，所述灯丝产生电子束经栅极罩发射，经过偏转线圈和磁透镜聚焦后与所述靶片碰撞形成焦点，所述靶片辐射出x射线锥束，所述x射线锥束从真空室放射至射线管壳的外部；
4、mcu控制件，所述mcu控制件与所述高压电源、偏转线圈、磁透镜均为电性连接。
5、进一步的，上述的
6、进一步的，上述的x射线球管控制器，所述磁透镜包括上下对称的磁透镜线圈，所述磁透镜线圈外形成磁路。
7、进一步的，上述的x射线球管控制器，所述电子束从栅极罩到靶座上的运动轨迹为“∞”型。
8、进一步的，上述的x射线球管控制器，所述磁透镜运用有限元分析其磁标区域的分布的公式为：
9、其中，γ为区域ayzc，若所述磁透镜线圈的激励电流为i，所述磁透镜线圈匝数为n，整个磁芯不饱和，磁透镜的边界条件为：
10、沿ay，为常数，
11、沿cz，为常数，
12、沿ac，从到线性变化。
13、进一步的，上述的x射线球管控制器，所述电子束经过所述磁透镜线圈时会被汇聚成焦点轰击到靶座上，设定电子运动速度为v0，所述电子朝向所述靶座的速度大于所述电子垂直靶座的速度，所述电子在所述磁透镜线圈中回转的螺距l为：
14、
15、其中，m是电子质量，q是电子电荷量，b是磁感应强度。
16、进一步的，上述的x射线球管控制器，所述电子在磁场中的回旋半径r为：
17、
18、其中，m是电子质量，q是电子电荷量，b是磁感应强度。
19、进一步的，上述的x射线球管控制器，所述射线管为热电子发射，根据热电子发射里的查逊—杜斯曼公式：
20、
21、其中，is为热电子发射的电流强度；s为阴极金属的有效发射面积；t为热阴极的绝对温度；为阳板金属的电子逸出功；k为玻尔兹曼常数，k＝1.38*10-23j/k；a为与阴极化学纯度有关的系数。
22、进一步的，上述的x射线球管控制器，所述灯丝的栅极电压范围在0～1600v之间。
23、进一步的，上述的控制方法，步骤中的焊接的方式包括激光焊接、弧焊或其他焊接方式。
24、上述技术方案可以看出，本专利技术具有如下有益效果：
25、本专利技术所述的x射线球管控制器，根据x射线管灯丝的特性，自动计算合适的灯丝工作电流以及适宜的栅极电压，满足x射线输出功率的要求又能极大程度的延长灯丝的使用寿命，与此同时，mcu控制件还能精确地对偏转线圈和磁透镜线圈进行操控，进而达到x射线高精度成像，大幅度改善图像的清晰度。
26、为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
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1.一种X射线球管控制器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的X射线球管控制器，其特征在于，所述高压电源的范围在0KV～160KV之间。
3.根据权利要求1所述的X射线球管控制器，其特征在于，所述磁透镜包括上下对称的磁透镜线圈，所述磁透镜线圈外形成磁路。
4.根据权利要求1所述的X射线球管控制器，其特征在于，所述电子束从栅极罩到靶座上的运动轨迹为“∞”型。
5.根据权利要求1所述的X射线球管控制器，其特征在于，所述磁透镜运用有限元分析其磁标区域的分布的公式为：
6.根据权利要求1所述的X射线球管控制器，其特征在于，所述电子束经过所述磁透镜线圈时会被汇聚成焦点，设定电子运动速度为V0，所述电子朝向所述靶座的速度大于所述电子垂直靶座的速度，所述电子在所述磁透镜线圈中回转的螺距l为：
7.根据权利要求5所述的X射线球管控制器，其特征在于，所述电子在磁场中的回旋半径r为：
8.根据权利要求1所述的X射线球管控制器，其特征在于，所述射线管为热电子发射，根据热电子发射里的查逊—杜斯曼公式：
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