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SE太阳能电池链式湿法制备方法、硅片、太阳能电池技术

技术编号:41288789 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-11 09:37
本公开提供一种SE太阳能电池用硅片的链式湿法氧化方法,包括:通过臭氧喷淋对硅片的正面开槽位置进行氧化;以及在硅片正面淋镀水膜。本公开还提供一种SE太阳能电池用硅片的链式湿法制备方法,其中包括采用前述氧化方法对硅片进行氧化的步骤。本公开还提供一种SE太阳能电池用硅片,所述硅片是通过前述方法制备得到的。本公开还提供一种太阳能电池。通过本公开的SE太阳能电池链式湿法氧化方法,用臭氧喷淋代替传统氧化工序,避免对硅片造成热损伤,并且使正面激光开槽位置具有O<subgt;3</subgt;和水膜保护,防止正面激光开槽位置被化学品过度腐蚀,降低化学品的用量并相应地减少后续废水处理成本。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及太阳能电池,特别涉及一种se太阳能电池的链式湿法制备方法、一种se太阳能电池用硅片、一种太阳能电池。


技术介绍

1、太阳能光伏发电是目前清洁、环保的可持续能源利用形式之一,近年来se技术的产品已经成为光伏行业中非常有竞争力的产品。主流的太阳能电池制造工艺都包括制绒、扩散、刻蚀、镀膜、丝网等工序。刻蚀工艺有干法刻蚀、酸抛光体系湿法刻蚀和碱抛光体系湿法刻蚀。碱背面抛光主要是用碱性药液和添加剂对背面金字塔绒面结构进行抛光处理,在减小背表面的比表面积、降低复合速率的同时,也可增加光的内反射。相对于酸抛光刻蚀和干法刻蚀,碱抛光刻蚀具有抛光效果更好,硅片减重低且工艺重复性好等优点。但是,由于正面不够完整的se重掺杂区会受到碱抛工艺中碱性化学药液的腐蚀,因此在电池制备过程中,在碱抛光工艺之前(即氧化环节)先要制备氧化层sio2膜作为掩膜,以保护硅片正面开槽区域不被腐蚀。

2、目前,制备sio2膜的主流方式有两种,一种采用管式氧化炉,另一种采用链式氧化炉。这两种氧化方式都需要在制备时增加工序,并且对占地面积、电力、特气、排风等具有一定要求。


技术实现思路

1、本公开提供一种se太阳能电池用硅片的链式湿法氧化方法,包括:

2、通过臭氧喷淋对硅片的正面开槽位置进行氧化;以及

3、在硅片正面淋镀水膜。

4、所述se太阳能电池用硅片的链式湿法氧化方法,其中,臭氧喷淋时所用的臭氧浓度为30ppb至80ppb。

5、所述se太阳能电池用硅片的链式湿法氧化方法,其中,正面淋镀水膜的整体带速为2m/min至4m/min。

6、本公开还提供一种se太阳能电池用硅片的链式湿法制备方法,包括根据上述se太阳能电池用硅片的链式湿法氧化方法对硅片进行氧化的步骤。

7、所述se太阳能电池用硅片的链式湿法制备方法,其中,在所述氧化步骤之后,还包括使用hf腐蚀硅片的背面与四边的磷硅玻璃。

8、所述se太阳能电池用硅片的链式湿法制备方法,其中,在所述氧化步骤之后,还包括使用包含抛光添加剂和koh的药液对硅片进行背面织构化。

9、所述se太阳能电池用硅片的链式湿法制备方法,其中,在所述氧化步骤之后,还包括:

10、使用包含koh和h2o2的药液清洗硅片;以及

11、使用包含hf和hcl的药液清洗硅片。

12、本公开还提供一种se太阳能电池用硅片,所述硅片是通过上述se太阳能电池的链式湿法制备方法制备得到的。

13、本公开还提供一种太阳能电池,包括根据本公开所提供的链式湿法氧化方法或制备方法所制得的硅片。

14、通过本公开的se太阳能电池链式湿法工艺,用臭氧喷淋代替常规氧化方法,降低了硅片的热损伤,使正面激光开槽位置具有o3与水膜保护,避免了正面激光开槽位置被化学品过度腐蚀,降低化学品的用量并减少后续废水处理成本。

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【技术保护点】

1.一种SE太阳能电池用硅片的链式湿法氧化方法,包括:

2.根据权利要求1所述的SE太阳能电池用硅片的链式湿法氧化方法,其中,臭氧喷淋时所用的臭氧浓度为30ppb至80ppb。

3.根据权利要求1所述的SE太阳能电池用硅片的链式湿法氧化方法,其中,正面淋镀水膜的整体带速为2m/min至4m/min。

4.一种SE太阳能电池用硅片的链式湿法制备方法,包括根据权利要求1至3中任意一项所述的氧化方法对硅片进行氧化的步骤。

5.根据权利要求4所述的SE太阳能电池用硅片的链式湿法制备方法,其中,在所述氧化步骤之后,还包括使用HF腐蚀硅片的背面与四边的磷硅玻璃。

6.根据权利要求4所述的SE太阳能电池用硅片的链式湿法制备方法,其中,在所述氧化步骤之后,还包括使用包含抛光添加剂和KOH的药液对硅片进行背面织构化。

7.根据权利要求4所述的SE太阳能电池用硅片的链式湿法制备方法,其中,在所述氧化步骤之后,还包括;

8.根据权利要求6所述的SE太阳能电池用硅片的链式湿法制备方法,其中,使用浓度为0.1%-0.8%的抛光添加剂和1%-8%的KOH的药液对硅片进行背面织构化。

9.一种SE太阳能电池用硅片,所述硅片是通过权利要求1至8中任意一项所述的方法制备得到的。

10.一种太阳能电池,包括根据权利要求9所述的硅片。

...

【技术特征摘要】

1.一种se太阳能电池用硅片的链式湿法氧化方法,包括:

2.根据权利要求1所述的se太阳能电池用硅片的链式湿法氧化方法,其中,臭氧喷淋时所用的臭氧浓度为30ppb至80ppb。

3.根据权利要求1所述的se太阳能电池用硅片的链式湿法氧化方法,其中,正面淋镀水膜的整体带速为2m/min至4m/min。

4.一种se太阳能电池用硅片的链式湿法制备方法,包括根据权利要求1至3中任意一项所述的氧化方法对硅片进行氧化的步骤。

5.根据权利要求4所述的se太阳能电池用硅片的链式湿法制备方法,其中,在所述氧化步骤之后,还包括使用hf腐蚀硅片的背面与四边的磷硅玻璃。

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【专利技术属性】
技术研发人员:刘娟陈如龙杨阳沙泉陶龙忠
申请(专利权)人:云南润阳世纪光伏科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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