【技术实现步骤摘要】
【】本申请涉及太阳能光伏组件，尤其涉及一种太阳能电池、光伏组件。
技术介绍
0、
技术介绍
1、在晶体硅太阳能电池中，与电极接触的均匀掺杂层无法同时满足两个方面的要求：一方面需要轻掺杂减少俄歇复合和shockley-read-hall复合，提高短波段的光谱响应；另一方面需要重掺杂形成高表面浓度，使硅片与金属电极之间形成欧姆接触。因此经常采用到局部掺杂技术实现选择性掺杂以提高电池效率。
2、局部掺杂技术作用在发射极，可以实现选择性发射极(se，selective emitter)；局部掺杂技术作用在背面电场，可以实现局部背面电场和局部电极接触，然而，现有的选择性发射极不能很好的匹配电流的传输要求，限制了串联电阻的下降，导致太阳能电池的效率提升有限。
技术实现思路
0、
技术实现思路
1、为了克服上述缺陷，本申请提供一种太阳能电池、光伏组件，能够提高电流的横向传输，减少了串联电阻，进一步提高电池效率。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池，包括：
3、半导体衬底，所述半导体衬底包括相对设置的正面和背面；
4、位于所述半导体衬底正面的掺杂导电层、正面钝化层及设置所述正面钝化层上的多个栅线电极组，其中，所述栅线电极组包括相邻设置的第一正面栅线电极和第二正面栅线电极，所述掺杂导电层的掺杂量自所述第一正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减，和/或所述掺杂导电层的掺杂量自
5、位于所述半导体衬底背面的背面钝化层、背面栅线电极。
6、结合第一方面，所述掺杂导电层的掺杂浓度自所述第一正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减，和/或所述掺杂导电层的掺杂浓度自所述第二正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减。
7、结合第一方面，所述掺杂导电层的厚度自所述第一正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减，和/或所述掺杂导电层的厚度自所述第二正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减。
8、结合第一方面，所述正面钝化层的高度自所述第一正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减，和/或所述正面钝化层的高度自所述第二正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减。
9、结合第一方面，所述掺杂导电层自所述第一正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域包括n个掺杂导电区域，其中，n大于等于3，n个所述掺杂导电区域的长度自所述第一正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减；和/或n个所述掺杂导电区域的长度自所述第二正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减。
10、结合第一方面，所述掺杂导电层中的掺杂元素包括硼、镓、磷和砷中的至少一种。
11、结合第一方面，所述掺杂导电层的掺杂浓度差异为1e18 cm-3～9e20cm-3。
12、结合第一方面，所述位于第一正面栅线电极底部的掺杂导电层的掺杂浓度为1e19cm-3～1e21 cm-3；和/或位于第二正面栅线电极底部的掺杂导电层的掺杂浓度为1e19 cm-3～1e21cm-3。
13、第二方面，本申请实施例提供一种光伏组件，所述光伏组件包括盖板、封装材料层、太阳能电池串，所述太阳能电池串包括多个第一方面所述的太阳能电池。
14、与现有技术相比，本申请具备如下进步：
15、本申请通过设置掺杂导电层的掺杂量自第一正面栅线电极至第一正面栅线电极与第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减，即第一正面栅线电极至第一正面栅线电极与第二正面栅线电极的对称中心区域掺杂区域逐步减弱，使得掺杂导电层自第一正面栅线电极与第二正面栅线电极的对称中心区域至第一正面栅线电极的电流逐渐升高，传输电阻逐渐降低，从而有利于电流在掺杂导电层中横向的传输，从而减少串联电阻，提高电池效率。同理，掺杂导电层的掺杂量自第二正面栅线电极至第一正面栅线电极与第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减，也能够有利于电流在掺杂导电层中横向的传输，从而减少串联电阻，提高电池效率。本申请的太阳能电池能够在实现选择性掺杂的基础上进一步实现梯度掺杂，能够显著提高太阳能电池的转化效率。
16、本申请实施例的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例而了解。本申请实施例的目的和其他优点在说明书以及附图所特别指出的结构来实现和获得。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，对应于所述第一正面栅线电极的所述掺杂导电层的厚度相同；和/或对应于所述第二正面栅线电极的所述掺杂导电层的厚度相同。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述正面钝化层的高度自所述第一正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减，和/或所述正面钝化层的高度自所述第二正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，对应于所述第一正面栅线电极的所述正面钝化层的厚度相同；和/或对应于所述第二正面栅线电极的所述正面钝化层的厚度相同。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述正面钝化层的厚度范围为10nm～120nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述正面钝化层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧化铝中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂导电层表面
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂导电层中的掺杂元素包括硼、镓、磷和砷中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一正面栅线电极为金属栅线电极，所述第二正面栅线电极为金属栅线电极。
10.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括盖板、封装材料层、太阳能电池串，所述太阳能电池串包括多个根据权利要求1～9任一项所述的太阳能电池。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，对应于所述第一正面栅线电极的所述掺杂导电层的厚度相同；和/或对应于所述第二正面栅线电极的所述掺杂导电层的厚度相同。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述正面钝化层的高度自所述第一正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减，和/或所述正面钝化层的高度自所述第二正面栅线电极至所述第一正面栅线电极与所述第二正面栅线电极的对称中心区域依次递减。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，对应于所述第一正面栅线电极的所述正面钝化层的厚度相同；和/或对应于所述第二正面栅线电极的所述正面钝化层的厚度相同。
5.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：金井升，张临安，廖光明，张昕宇，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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