本实用新型专利技术公开了一种气体喷淋装置，包括上下对应设置的喷淋系统和抽风系统，所述喷淋系统包括进气接口、喷淋头、设于喷淋头外侧的侧抽风通道以及连通侧抽风通道的抽风接口一，所述抽风系统包括与所述喷淋系统侧抽风通道连通的抽风槽、连通抽风槽的抽风接口二以及鼓风机，鼓风机与抽风接口一、抽风接口二分别相连。本实用新型专利技术结构简单、易操作，兼容能力强，可结合多种设备和气体使用，不仅可以用于氧化、钝化半导体表面的批量处理，还能实现物体表面吹扫清洁以及清洗后吹干等多种用途。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种气体喷淋装置，包括上下对应设置的喷淋系统和抽风系统，所述喷淋系统包括进气接口、喷淋头、设于喷淋头外侧的侧抽风通道以及连通侧抽风通道的抽风接口一，所述抽风系统包括与所述喷淋系统侧抽风通道连通的抽风槽、连通抽风槽的抽风接口二以及鼓风机，鼓风机与抽风接口一、抽风接口二分别相连。本技术结构简单、易操作，兼容能力强，可结合多种设备和气体使用，不仅可以用于氧化、钝化半导体表面的批量处理，还能实现物体表面吹扫清洁以及清洗后吹干等多种用途。【专利说明】一种气体喷淋装置
本技术涉及属于半导体设备制造领域，具体涉及一种气体喷淋装置。
技术介绍
硅材料是半导体领域的重要材料，由于悬挂键、位错、化学残留物等缺陷能级的存在，使得硅表面存在大量的复合中心，成为降低半导体少数载流子寿命、增加表面复合速率的主要因素，严重影响了产品的质量。目前市场上高质量的半导体产品都是利用良好的表面钝化技术来降低半导体的表面活性，使表面的复合速度降低。其主要方式是设置饱和半导体表面处的悬挂键，降低表面活性，增加表面的清洁程序，避免由于表面层引入杂质而形成复合中心，以此来降低少数载流子的表面复合速度。 通过氧化对硅片表面悬挂键进行饱和是解决缺陷的主要手段之一，但目前在半导体行业内硅片的氧化主要是利用氧气在高温氧化炉内实现，这种方式由于操作复杂，设备成本高，能耗高、成品率低等诸多因素而不适合批量生产，所以寻求一种适合批量生产的钝化设备成为了行业难题。
技术实现思路
专利技术目的:针对现有技术的不足，本技术提供一种气体喷淋装置，结构简单，兼容能力强，可在现在技术条件下实现对硅片的批量处理。 技术方案:本技术所述的气体喷淋装置，包括上下对应设置的喷淋系统和抽风系统，所述喷淋系统包括进气接口、喷淋头、设于喷淋头外侧的侧抽风通道以及连通侧抽风通道的抽风接口一，所述抽风系统包括与所述喷淋系统侧抽风通道连通的抽风槽、连通抽风槽的抽风接口二以及鼓风机，鼓风机与抽风接口一、抽风接口二分别相连。 所述喷淋头包括与所述进气接口相连的均流管以及设于均流管下方的喷淋面板。 所述侧抽风通道为倒“U”型通道，由外U型板和内U型板组成；所述抽风槽为“U”型通道，由外U型槽和内U型槽组成。 所述外U型板与所述内U板之间的距离为3-lOcm。 所述鼓风机通过三通和抽风管道一、抽风管道二与所述喷淋系统抽风接口一、所述抽风系统抽风接口二分别相连。 所述进气接口为多种口径快插接口或软管接口。 所述均流管通过连接管路与所述进气接口相连，连接管路为PU、PVC、硅胶中任一材料制成的气体管道。 所述喷淋面板由按矩阵均匀排列的筛孔组成，筛孔的直径为0.5-1.5mm。 所述喷淋面板与所述均流管之间的距离为l-5cm。 所述喷淋系统两侧伸出有翼板，翼板上设有调节高度距离的螺母一，所述抽风系统设有调节高度距离的螺母二。 将本技术安装在晶体硅太阳能电池刻蚀清洗工序下料区出口位置，使得下料区滚轮正好位于喷淋系统和抽风系统之间，经过刻蚀清洗后的晶体硅太阳能电池在本技术的作用下快速消除晶体硅表面杂质，避免复合中心的形成和半导体少数载流子寿命的缩短，有效地提高了晶体硅的质量和使用寿命。此外本技术可结合其他半导体设备使用，实现物体清洗后吹干、半导体表面氧化、钝化以及表面清洁等多种用途。 有益效果:与现有技术相比，本技术的优点: 1、结构简单、成本低，易操作、维护简单，设备稳定性及工艺重复性好，与现有工艺完美结合，能实现批量生产，适合大规模推广； 2、本技术可以在常温下使用，结合强氧化气体钝化效果好，能耗低； 3、本技术兼容能力强，可结合多种设备和气体使用，不仅可以用于氧化、钝化半导体表面，还能实现物体表面吹扫清洁以及清洗后吹干等多种用途。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术的截面结构示意图； 其中，I——抽风接口一、21——进气接口、2——连接管道、3——外U型板、 4-内U型板、5-喷淋板面、6-均流管、7-夕卜U型槽、8-内U型槽、 9——抽风接口二、10——螺母二、11——螺母一、12——抽风管道、13——进气管道、14—抽风管道二。 图2是本技术喷淋系统的俯视图。 图3是喷淋板面平面图； 其中，51——喷淋孔。 【具体实施方式】 下面通过附图对本技术技术方案进行详细说明。 实施例1:如图1至图2所示的气体喷淋装置，包括上下对应设置的喷淋系统和抽风系统；喷淋系统包括抽风接口一 1、进气接口 21、连接管道2、外U型板3、内U型板4、喷淋板面5、均流管6和螺母一 11，抽风系统包括外U型槽7、内U型槽8、抽风接口二 9、螺母二10和外接的鼓风机。外U型板3呈开口朝下的“U”型板，内U型板4也呈开口朝下的“U”型板，内U型板4设于外U型板3内部且与外U型板3保持5cm的平行间距，外U型板3的顶端中部设有抽风接口一 1，内U型板4内部设有均流管6，均流管6的上端通过连接管道2与设于抽风接口一 I内部的进气接口 21相连，连接管道2为材料制成的连接管道，在内U型板4的底部开口、距均流孔6距离3cm处设有喷淋面板5，喷淋面板5的结构如图3所示，由按矩阵均匀排列的筛孔51组成、筛孔51的直径为Imm ;喷淋系统两侧伸出有翼板，翼板上安装有螺母一 11 ;外U型槽7和内U型槽8均为开口向上的“U”型板，内U型槽8设于外U型槽7内并与外U型槽保持平行，外U型槽7的一侧边设有抽风接口二 9，外U型槽7的底部设有螺母二 10 ； 本技术可用于晶体硅太阳能电池表面的氧化，使用时安装在晶体硅太阳能电池刻蚀清洗工序下料区出口位置，安装方法如下: ( I)将抽风系统置于下料区滚轮下方，设置螺母二 10，使下料区滚轮下边缘距抽风槽顶面3-5cm，并用抽风管道二 14将抽风接口二 9与鼓风机连接； (2)喷淋系统置于下料区滚轮上方、抽风系统的正上方位置，设置螺母一 11，使喷淋系统的底面距滚轮上边缘0.5-lcm的位置,并用抽风管道一 12将抽风接口一 I与鼓风机连接，用进气管道13将进气接口 21与气源连接，进气管道13为软管。 使用方法:开启鼓风机，通入具有氧化性能的气体，刻蚀清洗完成的硅片通过下料台时，位于下料区上方的喷淋板即可将硅片表面氧化。此外本技术可以配合其他半导体设备使用，实现物体清洗后吹干、半导体表面氧化、钝化以及表面清洁等多种用途。 如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本技术，但其不得解释为对本技术自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本技术的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。【权利要求】1.一种气体喷淋装置，其特征在于:包括上下对应设置的喷淋系统和抽风系统，所述喷淋系统包括进气接口、喷淋头、设于喷淋头外侧的侧抽风通道以及连通侧抽风通道的抽风接口一，所述抽风系统包括与所述喷淋系统侧抽风通道连通的抽风槽、连通抽风槽的抽风接口二以及鼓风机，鼓风机与抽风接口 一、抽风接口 二分别相连。2.根据权利要求1所述的气体喷淋装置，其特征在于:所述喷淋头包括与所述进气接口相连的均流管以及设于均本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种气体喷淋装置，其特征在于：包括上下对应设置的喷淋系统和抽风系统，所述喷淋系统包括进气接口、喷淋头、设于喷淋头外侧的侧抽风通道以及连通侧抽风通道的抽风接口一，所述抽风系统包括与所述喷淋系统侧抽风通道连通的抽风槽、连通抽风槽的抽风接口二以及鼓风机，鼓风机与抽风接口一、抽风接口二分别相连。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄青松，勾宪芳，范维涛，朱宏平，黄惜惜，
申请(专利权)人：中节能太阳能科技镇江有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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