薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、液晶显示器技术

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、液晶显示器，本发明专利技术公开一种薄膜晶体管阵列基板，包括形成在像素区域(100c)中的透明像素电极层(180)及形成在像素区域(100c)和数据布线区域(100b)中的第一金属层(120)、第一绝缘层(130)、非晶硅层(140)、第二金属层(150)、第二绝缘层(160)，其中，第一绝缘层(130)覆盖第一金属层(120)，非晶硅层(140)、第二金属层(150)和第二绝缘层(160)依序形成在第一绝缘层(130)上，透明像素电极层(180)通过形成在像素区域(100c)的第二绝缘层(160)中的过孔(170)与像素区域(100c)的第二金属层(150)接触。本发明专利技术在非晶硅层的下方形成第一金属层，以使非晶硅层不会受到光照的影响而产生光电流，从而不会影响提供给像素的电压，显示画面不会产生异常。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于液晶显示
，具体递地讲，涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、液晶显示器。
技术介绍
随着信息社会的发展，人们对平板显示器的需求得到了快速的增长。液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。然而，随着各生产厂商之间剧烈的竞争，提升显示品质、降低不良率、降低生产成本成为LCD生产厂商在剧烈竞争中得以生存的重要保证。LCD中一般使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)作为驱动，从而实现高速度、高亮度、高对比度的显示屏幕信息。现有的底栅结构的TFT的制造方法的主流是4次光刻技术(4Mask)和5次光刻技术(5Mask)。其中，5Mask工艺主要包括栅电极光刻(Gate Mask)，有源层光刻(Active Mask)，源漏电极光刻(S/D Mask)，过孔光刻(Via Hole Mask)和像素电极光刻(Pixel Mask)。在每一个Mask工艺步骤中又分别包括薄膜沉积(Thin Film Deposition)工艺、刻蚀(包括干法刻蚀Dry Etch和湿法刻蚀Wet Etch)工艺和剥离工艺，形成了5次薄膜沉积→光刻→刻蚀→剥离的循环过程。4Mask工艺是在5Mask工艺的基础上，利用灰色调光刻(Gray Tone Mask)或半色调光刻(Half Tone Mask)或SSM(Single Slit Mask)工艺，将有源层光刻(Active Mask)与源漏电极光刻(S/D Mask)合并成一个Mask，通过调整刻蚀(Etch)工艺，从而完成原来Active Mask和S/D Mask的功能，即通过一次Mask工艺达到两次Mask工艺的效果。图1是现有技术的利用四次光刻技术制造的薄膜晶体管阵列基板的正视示意图。图2是图1中沿A-A线的剖切示意图。参照图1和图2，薄膜晶体管阵列基板20包括栅极布线区域20a、数据布线区域20b及像素区域20c。薄膜晶体管阵列基板20包括在玻璃基板21上依次形成的栅电极金属层22、栅电极绝缘层23、由非晶硅(a-Si)形成的有源层24、有源层24上的源电极金属层25a和漏电极金属层25b、钝化层26、位于漏电极金属层25b上方并在钝化层26上形成的钝化层过孔27以及透明像素电极(即ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)电极)层28，其中，透明像素电极层28通过钝化层过孔27与漏电极金属层25b接触。数据布线区域20b包括在玻璃基板21上依次形成的栅电极绝缘层23、由非晶硅(a-Si)形成的有源层24、有源层24上的源电极金属层25a、钝化层26；而像素区域20c包括在玻璃基板21上依次形成的栅电极绝缘层23、由非晶硅(a-Si)形成的有源层24、有源层24上的源电极金属层25a、钝化层26、在钝化层26上形成的钝化层过孔27以及透明像素电极层28，其中，透明像素电极层28通过钝化层过孔27与漏电极金属层25b接触。由于形成有源层24的非晶硅是一种感光的半导体材料，其会在液晶显示器的背光模块提供的背光的高强度光照下产生光电流，从而使得透明像素电极层28提供给液晶像素的像素电压产生变化，最终造成液晶显示器显示画面的异常，特别是在性能测试时出现严重的残影(Image Sticking)现象。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括像素区域及数据布线区域，其中，所述薄膜晶体管阵列基板还包括形成在所述像素区域中的透明像素电极层及形成在所述像素区域和所述数据布线区域中的第一金属层、第一绝缘层、非晶硅层、第二金属层、第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述第一金属层，所述非晶硅层、所述第二金属层和所述第二绝缘层依序形成在所述第一绝缘层上，所述透明像素电极层通过形成在所述像素区域的第二绝缘层中的过孔与所述像素区域的第二金属层接触。此外，所述薄膜晶体管阵列基板还包括色阻层，形成在所述第一绝缘层与所述非晶硅层之间。此外，所述色阻层为红色色阻层或绿色色阻层或蓝色色阻层。本专利技术的另一目的还在于提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括步骤：A)利用第一光刻掩膜板在像素区域和数据布线区域中形成第一金属层；B)沉积第一绝缘层；C)利用第二光刻掩膜板在第一绝缘层上形成非晶硅层及第二金属层；D)沉积第二绝缘层；E)利用第三光刻掩膜板在所述像素区域的第二绝缘层中形成过孔；F)利用第四光刻掩膜板在所述像素区域的第二绝缘层上形成透明像素电极层，其中，所述透明像素电极层通过所述过孔与所述像素区域的第二金属层接触。进一步地，在执行步骤C)之前，所述制造方法还包括步骤：在所述第一绝缘层上沉积色阻层。进一步地，所述色阻层为红色色阻层或绿色色阻层或蓝色色阻层。本专利技术的又一目的又在于提供一种液晶显示器，包括上述的薄膜晶体管阵列基板。本专利技术在由非晶硅形成的非晶硅层的下方形成第一金属层，由于第一金属层是由不透光的金属材料形成，所以能够遮挡液晶显示器的背光模块提供的背光的高强度光线，避免直接照射到由非晶硅形成的非晶硅层上，由非晶硅形成的非晶硅层不会产生光电流，从而不会影响透明像素电极层提供给液晶像素的像素电压，进而不会造成液晶显示器显示画面的异常，即液晶显示器显示画面不会出现残影(Image Sticking)现象。此外，在第一绝缘层与由非晶硅形成的非晶硅层之间均形成色阻层，由于色阻层的介电常数较小，厚度较厚，从而增大了第一金属层与第二金属层之间的距离，使第一金属层与第二金属层之间的电容大幅减小，避免由于电阻电容延迟效应严重而导致像素充电不足或者错充的现象，提高显示质量。附图说明通过结合附图进行的以下描述，本专利技术的实施例的上述和其它方面、特点和优点将变得更加清楚，附图中：图1是现有技术的利用四次光刻技术制造的薄膜晶体管阵列基板的正视示意图；图2是图1中沿A-A线的剖切示意图；图3是根据本专利技术的实施例的薄膜晶体管阵列基板的正视示意图；图4是图3中沿B-B线的剖切示意图；图5是根据本专利技术的实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法的流程示意图；图6是根据本专利技术的实施例的液晶显示器的结构示意图。具体实施方式以下，将参照附图来详细描述本专利技术的实施例。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，包括像素区域(100c)及数据布线区域(100b)，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板还包括形成在所述像素区域(100c)中的透明像素电极层(180)及形成在所述像素区域(100c)和所述数据布线区域(100b)中的第一金属层(120)、第一绝缘层(130)、非晶硅层(140)、第二金属层(150)、第二绝缘层(160)，其中，所述第一绝缘层(130)覆盖所述第一金属层(120)，所述非晶硅层(140)、所述第二金属层(150)和所述第二绝缘层(160)依序形成在所述第一绝缘层(130)上，所述透明像素电极层(180)通过形成在所述像素区域(100c)的第二绝缘层(160)中的过孔(170)与所述像素区域(100c)的第二金属层(150)接触。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括像素区域(100c)及数据布线区域(100b)，
其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板还包括形成在所述像素区域(100c)中
的透明像素电极层(180)及形成在所述像素区域(100c)和所述数据布线区域
(100b)中的第一金属层(120)、第一绝缘层(130)、非晶硅层(140)、第二
金属层(150)、第二绝缘层(160)，其中，所述第一绝缘层(130)覆盖所述第
一金属层(120)，所述非晶硅层(140)、所述第二金属层(150)和所述第二绝
缘层(160)依序形成在所述第一绝缘层(130)上，所述透明像素电极层(180)
通过形成在所述像素区域(100c)的第二绝缘层(160)中的过孔(170)与所
述像素区域(100c)的第二金属层(150)接触。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶
体管阵列基板还包括色阻层(190)，形成在所述第一绝缘层(130)与所述非晶
硅层(140)之间。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述色阻层
(190)为红色色阻层或绿色色阻层或蓝色色阻层。
4.一种薄膜晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕启标，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44