【技术实现步骤摘要】
一种水合肼辅助多元醇基溶液合成P相硒化铟片状纳米 晶的方法
本专利技术是关于纳米材料的,特别涉及一种多元醇基溶液合成0相硒化铟片状纳 米晶的方法。
技术介绍
硒化铟(In2Se3)作为一种III - VI族的金属硫族化合物,具有优良的可见光吸收 性能以及相变存储性能,在光探测器、滤光设备、传感器、太阳能电池和光解水组件、以及相 变存储器等领域具有潜在的应用价值。硒化铟是一种n型半导体,具有直接带隙。111 2563具 有双层结构,其层内较强的化学键作用力和层与层间较弱的范德华力使得硒化铟具有各向 异性结构,进而拥有优良的电学、光学、磁学性能。 In2Se3具有多种晶体结构,分别为a,@,y,S,k,其中a,@,y相为其常见 结构。a相In2Se3被认为在常温下稳定存在,具有a (3R)和a (2H)两种晶格结构,其禁 带宽度为1. 36eV,在200°C可以转变为0相。a (3R)是三层的菱方结构,晶格点阵为R3m ; 而a (2H)的晶格点阵为P63,具有两层的六方结构。@相与a相In2Se3类似,具有M3R) 和@ (2H)两种晶格结构,但是相应结构的晶格常数发生变化,禁带宽度也由1.36eV转变 为1. 55eV。Y相In2Se3被认为是一种具有有序空间缺陷的纤锌矿晶体,六方晶体构型,其 1/3的空位缺陷沿C轴有序螺旋排布.其禁带宽度为1. 8eV,大致在350°C时由低温相转变 得到。 对于In2Se3纳米材料的合成仍然处于探索阶段,其合成方法主要有液相法和气相 法两类。气相法制备In 2Se3m米材料存在工艺复 ...
【技术保护点】
一种水合肼辅助多元醇基溶液合成β相硒化铟片状纳米晶的方法,具有如下步骤:(1)配制前驱体溶液称取0.1mol四水合氯化铟即0.0293g,将原料溶解于10ml三乙二醇中,30℃条件下搅拌30min溶解,得到稳定的阳离子前驱体溶液;在三口圆底烧瓶中加入40ml三乙二醇,并添加0.15mmol硒粉即0.0118g,再添加水合肼N2H4·H2O为0.1ml,通入氮气,磁力搅拌5min,得到阴离子源反应基液;(2)回流反应合成In2Se3纳米晶将三口瓶置于热式反应回流装置中,向三口瓶内通入氮气,缓慢加热阴离子源反应基液,至注入温度/回流温度为250/250℃~270/270℃时快速注入阳离子前驱体溶液,触发反应进行;继续加热使回流温度保持在注入温度下回流,回流时间为10~40min,即得到含有硒化铟纳米晶的反应溶液;(3)将步骤(2)得到的含有硒化铟纳米晶的反应溶液进行高速离心分离,得到纳米晶,再对纳米晶用乙醇溶剂稀释、超声清洗、离心提取,反复4~6个循环完成纯化,制得In2Se3纳米晶。
【技术特征摘要】
1. 一种水合肼辅助多元醇基溶液合成β相硒化铟片状纳米晶的方法,具有如下步骤: (1) 配制前驱体溶液 称取0. lmol四水合氯化铟即0. 0293g,将原料溶解于10ml三乙二醇中,30°C条件下搅 拌30min溶解,得到稳定的阳离子前驱体溶液; 在三口圆底烧瓶中加入40ml三乙二醇,并添加0. 15mmol硒粉即0. 0118g,再添加水合 肼Ν2Η4 · H20为0· lml,通入氮气,磁力搅拌5min,得到阴离子源反应基液; (2) 回流反应合成In2Se3纳米晶 将三口瓶置于热式反应回流装置中,向三口瓶内通入氮气,缓慢加热阴离子源反应基 液,至注入温度/回流温度为250/250°C?270/270°...
【专利技术属性】
技术研发人员:靳正国,李彤霏,王健,赖俊云,
申请(专利权)人:天津大学,
类型:发明
国别省市:天津;12
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