发光元件制造技术

一种发光元件，包含一发光迭层，包含一主动层；以及一非氧化物绝缘层，位于发光迭层之下，其中非氧化物绝缘层的折射率小于1.4。

【技术实现步骤摘要】
发光元件
本专利技术关于一种发光元件，特别是关于一种具有高反射率的发光元件。
技术介绍
光电元件,例如发光二极管(Light-emitting D1de ;LED),目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。此外，上述的LED可与其它元件组合连接以形成一发光装置。图1为已知的发光装置结构示意图，如图1所示，一发光装置I包含一具有一电路14的次载体12 ;—焊料16位于上述次载体12上，藉由此焊料16将LEDll固定于次载体12上并使LEDll与次载体12上的电路14形成电连接；以及一电性连接结构18，以电性连接LEDll的电极15与次载体12上的电路14 ;其中，上述的次载体12可以是导线架或大尺寸镶嵌基底。
技术实现思路
一种发光元件，包含一发光迭层，包含一主动层；以及一非氧化物绝缘层，位于发光迭层之下，其中非氧化物绝缘层的折射率小于1.4。 【附图说明】 图1绘示已知的发光装置结构示意图。 图2A绘示本专利技术一实施例的发光元件的上视图。 图2B绘示图2A沿剖面线AA’的剖面图。 图3绘不第一接触上表面表面积相对于第一接触上表面和第二接触上表面的表面积总和的百分比对功率的示意图。 图4绘示本专利技术一实施例的灯泡分解示意图。 [标号说明] I 发光装置 11LED 12 次载体13、20基板 14 电路 15电极 16 焊料 18电性连接结构 2、40发光元件 21导电黏结层 22 反射结构 220欧姆接触层 222 阻障层 224反射黏结层 226 反射层 23透明导电结构 230 第一导电氧化层 231第一接触上表面 232 第二导电氧化层 24非氧化物绝缘层 241 第二接触上表面 242孔隙 25 发光迭层 251第一半导体层 252发光层253第二半导体层 254出光上表面26电接触层 27第一电极271电流注入部 272延伸部273突出部 2721第一支线2722 第二支线 28第二电极29窗户层 4灯泡41灯罩 42透镜43载体 44照明模块45灯座 46散热槽47连结部 48电连结器 【具体实施方式】 本专利技术的实施例会被详细地描述，并且绘制于图式中，相同或类似的部分会以相同的号码在各图式以及说明出现。 图2A为本专利技术一实施例的发光元件上视图，图2B绘示图2A沿剖面线AA’的剖面图。如图2B所不,一发光兀件2具有一基板20 ;—导电黏结层21,位于基板20之上；一反射结构22,位于导电黏结层20之上；一透明导电结构23,位于反射结构22之上；一窗户层29，位于透明导电结构23之上；一非氧化物绝缘层24，位于透明导电结构23与窗户层29之间；一发光迭层25,位于窗户层29之上；一电接触层26,位于发光迭层25之上,一第一电极27,位于发光迭层25与电接触层26之上；以及一第二电极28,位于基板20之下。发光迭层25具有一第一半导体层251,位于窗户层29与第一电极27之间；一主动层252,位于第一半导体层251与第一电极27之间；以及一第二半导体层253,位于主动层252与第一电极27之间。 第一电极27及/或第二电极28用以接受外部电压，可由透明导电材料或金属材料所构成。透明导电材料包含但不限于氧化铟锡(Ι--)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ΑΤ0)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟钨(IWO)、氧化锌(ZnO)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)、磷砷化镓(GaAsP)、氧化铟锌(IZO)或类钻碳薄膜(DLC)。金属材料包含但不限于铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Pt)、铅(Pb)、锌(Zn)、镉(Cd)、锑(Sb)、钴(Co)或上述材料的合金等。第一电极27具有一电流注入部271与一延伸部272。如图2Α所示，电流注入部271大致位于第二半导体层253的中心之上，延伸部272具有一第一支线2721自电流注入部271向发光元件2的边界延伸，以及一第二支线2722自第一支线2721延伸，以提升电流扩散。如图2Β所示，延伸部272包含一突部273，位于电接触层26之上，包覆电接触层26至少一表面，增加与电接触层26形成欧姆接触的面积，降低发光元件2的电阻，其中突部273高于电流注入部271。 电接触层26位于第二支线2722与发光迭层25之间，用以形成第二支线2722与发光迭层25之间的欧姆接触。电接触层26与第二支线2722之间的电阻值以及电接触层26与发光迭层25之间的电阻值分别小于第一电极27与发光迭层25之间的电阻值。电接触层26的材料可为半导体材料，包含一种以上的元素，此元素可选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)与硒(Se)所构成的群组，其电性可与第二半导体层253相同。 发光迭层25的材料可为半导体材料，包含一种以上的元素，此元素可选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、磷(P)、氮(N)、锌(Zn)、镉(Cd)与硒(Se)所构成的群组。第一半导体层251与第二半导体层253的电性相异，用以产生电子或电洞。第二半导体层253之一出光上表面254可为一粗糙表面以降低全反射,提升光电兀件2的发光效率。主动层252可发出一种或多种色光，可为可见光或不可见光，其结构可为单异质结构、双异质结构、双侧双异质结构、多层量子井或量子点。窗户层29的电性可与第一半导体层251的电性相同，可用作光摘出层以提升发光兀件2的发光效率。窗户层29对于主动层252所发的光为透明，其材料可为透明导电材料，包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟钨(IWO)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、砷化铝镓(AlGaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)或氧化铟锌(IZO)。 透明导电结构23对于发光迭层25所发的光为透明，用以增加窗户层251与反射结构22之间的欧姆接触以及电流传导与扩散，并可与反射结构22形成全方位反射镜(Omn1-Direct1nal Reflector, 0DR)。其材料可为透明导电材料，包含但不限于氧化铟锡(ITO)、氧化铟(InO)、氧化锡(SnO)、氧化镉锡(CTO)、氧化锑锡(ΑΤ0)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟钨(IWO)、氧化锌(ZnO)、磷化镓(GaP)、氧化铟铈(IC0)、氧化铟钨(IWO)、氧化铟钛(IT1)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓铝锌(GAZO)或上述材料的组合。透明导电结构23具有一第一导电氧化层230，位于非氧化物绝缘层24之下，以及一第二导电氧化层232,位于发光迭层25与第一导电氧化层230之间。其中，第一导电氧化层230与第二导电氧化层232材料不同。另一实施例中，第一导电氧化层230与第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件，包含：一发光迭层，包含一主动层；以及一非氧化物绝缘层，与该发光迭层连接；其中该非氧化物绝缘层的折射率小于1.4。

【技术特征摘要】
1.一种发光元件,包含: 一发光迭层，包含一主动层；以及 一非氧化物绝缘层，与该发光迭层连接； 其中该非氧化物绝缘层的折射率小于1.4。2.根据权利要求1所述的发光元件，还包含一窗户层，位于该主动层与该非氧化物绝缘层之间，其中该窗户层的折射率大于该非氧化物绝缘层的折射率。3.根据权利要求1所述的发光元件，还包含一电接触层，位于该非氧化物绝缘层的正上方。4.根据权利要求3所述的发光元件，其中该电接触层包含半导体材料。5.根据权利要求3所述的发光兀件,还包含一第一电极,位于该发光迭层之上。6.根据权利要求5所述的发光元件，该第一电极包含一突部位于该电接触层之上，及/或该第一电极包含一延伸部包覆该电接触层。7.根据权利要求1所述的发光元件，其中该非氧化物绝缘层的折射率介于1.3与1.4之间。8.根据权利要求1所述的发光元件，还包含一反射层，位于该非氧化物绝缘层之下。9.根据权利要求8所述的发光元件，其中该非氧化物绝缘层与该反射层直接连接。10.根据权利要求8所述的发光元件，还包含: 一反射黏结层位于该反射层之下； 一阻障层，位于该反射黏结层之下；以及 一欧姆接触层，位于该阻障层之下。11.根据权利要求1所述的发光元件，还包含一透明导电结构覆盖该非氧化物绝缘层的一表面。12.根据权利要求11所述的发光元件，其中该透明导电结构包含一第一接触上表面接触该发光迭层，该非氧化物绝缘层包含一第二接触上表面接触该发光迭层，该第一接触上表面的表面积相对于该第一接触上表面和该第二接触上表面的表面积总和的百分比约为10% ?50%O13.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖文禄，徐建中，张耀儒，陈世益，许嘉良，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71