高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制备方法，所述陶瓷材料包括碳化硅、通过原位反应产生而均匀分布在碳化硅晶界的氮化硼、以及在所述陶瓷材料的制备中作为烧结助剂的碳化硼和碳，其中按重量计，在所述陶瓷材料中，碳化硅的含量90重量%以上，氮化硼的含量为0.5～10质量%，碳化硼的含量为0.2～2.0质量%，碳的含量为0.5～2.0质量%。本发明专利技术提供的高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料通过原位反应引入碳化硼相，且碳含量低，提高了碳化硅陶瓷的绝缘性能，并提高了材料的综合性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高绝缘碳化硅/氮化硼陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料包括碳化硅、通过原位反应产生而均匀分布在碳化硅晶界的氮化硼、以及在所述陶瓷材料的制备中作为烧结助剂的碳化硼和碳，其中按重量计，在所述陶瓷材料中，碳化硅的含量90重量%以上，氮化硼的含量为0.5～10质量%，碳化硼的含量为0.2～2.0质量%，碳的含量为0.5～2.0质量%。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李寅生，闫永杰，黄政仁，刘学建，陈忠明，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31