制造液晶显示器用阵列基板的方法技术

本发明专利技术涉及一种制造液晶显示器用阵列基板的方法，包括以下步骤：a)在基板上形成栅电极；b)在包括栅电极的基板上形成栅绝缘层；c)在栅绝缘层上形成半导体层(n+a-Si:H和a-Si:H)；d)在半导体层上形成源电极/漏电极；以及e)形成与漏电极连接的像素电极，其中，步骤a)或d)包括通过蚀刻铜基金属膜来形成各个电极的步骤，而且，在蚀刻铜基金属膜中使用的蚀刻剂组合物包括作为用于增加被加工片材的数量的改进剂的柠檬酸。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种，包括以下步骤：a)在基板上形成栅电极；b)在包括栅电极的基板上形成栅绝缘层；c)在栅绝缘层上形成半导体层(n+a-Si:H和a-Si:H)；d)在半导体层上形成源电极/漏电极；以及e)形成与漏电极连接的像素电极，其中，步骤a)或d)包括通过蚀刻铜基金属膜来形成各个电极的步骤，而且，在蚀刻铜基金属膜中使用的蚀刻剂组合物包括作为用于增加被加工片材的数量的改进剂的柠檬酸。【专利说明】 相关申请的交叉引用 本申请要求2013年7月3日递交的韩国专利申请KR10-2013-0077822、2013年7 月3日递交的韩国专利申请KR10-2013-0077823和2013年7月3日递交的韩国专利申请 KR10-2013-0077824的权益，从而通过全文引用将其并入本申请中。
本专利技术涉及一种。
技术介绍
-种用于驱动半导体器件和平板显示器的典型的电子电路是薄膜晶体管（TFT)。 通常，TFT的制造过程包括以下步骤：在基板上形成作为用于栅电极线和数据线的材料的 金属膜；在所述金属膜的选择性区域上形成光致抗蚀剂；以及使用所述光致抗蚀剂作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造液晶显示器用阵列基板的方法，所述方法包括以下步骤：a)在基板上形成栅电极；b)在包括所述栅电极的基板上形成栅绝缘层；c)在所述栅绝缘层上形成半导体层(n+a‑Si:H和a‑Si:H)；d)在所述半导体层上形成源电极/漏电极；以及e)形成与所述漏电极连接的像素电极，其中，所述步骤a)或d)包括通过蚀刻铜基金属膜来形成各个电极的步骤，而且，在蚀刻所述铜基金属膜中使用的蚀刻剂组合物包括作为用于增加被加工片材的数量的改进剂的柠檬酸。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金镇成，李铉奎，赵成培，梁圭亨，李恩远，权玟廷，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR