本发明专利技术公开一种发光装置，其包含:一发光叠层包含一第一半导体层、第二半导体层以及一发光层形成于第一半导体层及第二半导体之间，其中第一半导体层具有一第一表面、一第一部分连接第一表面、及一第二部分连接第一部分；一开口，自上表面穿透第一半导体层的第一部分；一凹部连接开口并穿透第二半导体层及、发光层及第一半导体层的第二部分，其中凹部具有一宽度大于开口的一宽度使凹部的底部露出第一半导体层的一第二表面相对第一表面；以及一电极位于凹部且与开口对应。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种发光装置，其包含:一发光叠层包含一第一半导体层、第二半导体层以及一发光层形成于第一半导体层及第二半导体之间，其中第一半导体层具有一第一表面、一第一部分连接第一表面、及一第二部分连接第一部分；一开口，自上表面穿透第一半导体层的第一部分；一凹部连接开口并穿透第二半导体层及、发光层及第一半导体层的第二部分，其中凹部具有一宽度大于开口的一宽度使凹部的底部露出第一半导体层的一第二表面相对第一表面；以及一电极位于凹部且与开口对应。【专利说明】发光装置
本专利技术涉及一种发光装置，特别是涉及一种将发光叠层自成长基板转移至一导电基板的发光装置。
技术介绍
发光二极管(LED)的发光原理是因电子移动于η型半导体与P型半导体间释放出能量。由于发光二极管的发光原理不同于加热灯丝的白炽灯，所以发光二极管又称作冷光源。再者，发光二极管较佳的环境耐受度、更长的使用寿命、更轻及便携性、以及较低的耗能让它被视为照明市场中光源的另一选择。发光二极管被应用于如交通号志、背光模块、街灯、以及医疗设备等不同领域，且已逐渐地取代传统的光源。 发光二极管具有的发光叠层外延成长于一导电基板上或一绝缘基板上。具有导电基板的发光二极管可在发光叠层顶部形成一电极，一般称为垂直式发光二极管。具有绝缘基板的发光二极管则须通过蚀刻制作工艺暴露出两不同极性的半导体层，并分别在两半导体层上形成电极，一般称为水平式发光二极管。垂直式发光二极管的优点在于电极遮光面积少、散热效果好、且无额外的蚀刻外延制作工艺，但目前用来成长外延的导电基板却有容易吸收光线的问题，因而影响发光二极管的发光效率。水平式发光二极管的优点在于绝缘基板通常也是透明基板，光可从发光二极管的各方向射出，然而也有散热不佳、电极遮光面积多、外延蚀刻制作工艺损失发光面积等缺点。 上述发光二极管可更进一步的连接于其他元件以形成一发光装置。发光二极管可通过具有基板的那一侧连接于一次载体上，或以焊料或胶材形成于次载体与发光二极管间，以形成一发光装置。此外，次载体可还包含一电路其通过例如为一金属线的导电结构电连接于发光二极管的电极。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术公开一种发光装置，包含:一发光叠层包含一第一半导体层、第二半导体层以及一发光层形成于第一半导体层及第二半导体之间，其中第一半导体层具有一第一表面、一第一部分连接第一表面、及一第二部分连接第一部分；一开口，自上表面穿透第一半导体层的第一部分；一凹部连接开口并穿透第二半导体层及、发光层及第一半导体层的第二部分，其中凹部具有一宽度大于开口的一宽度使凹部的底部露出第一半导体层的一第二表面相对第一表面；以及一电极位于凹部且与开口对应。 【专利附图】【附图说明】 图1A至图1H是显示本专利技术发光装置根据一第一实施例的制造方法； 图2是显示本专利技术第二实施例的一发光装置； 图3是显示本专利技术第三实施例的一发光装置； 图4是显示本专利技术第一实施例的发光装置的电极配置； 图5是显示本专利技术第四实施例的发光装置的电极配置； 图6是显示本专利技术第五实施例的发光装置的电极配置； 图7是显示本专利技术第六实施例的发光装置的电极配置； 图8是显示本专利技术第七实施例的发光装置的电极配置； 图9是显示本专利技术第八实施例的发光装置的电极配置； 图10是显示本专利技术第九实施例的发光装置的电极配置。 符号说明 100发光装置 101成长基板 102第一半导体层 102a 第一表面 102b 第一部分 102c 第二部分 102d 第二表面 103缓冲层 104发光层 105 凹部 106第二半导体层 108发光叠层 110 电极 IlOa 上表面 IlOb接触区域 IlOc暴露区域 112导电层 114绝缘结构 114a 上表面 115打线电极 Il6阻障层 116a 上表面 117导电结构 118反射层 120接合结构 122导电基板 124 开口 126粗化结构 200发光装置 204 开口 210 电极 211打线电极 300发光装置 322导电基板 320接合结构 318反射层 308导电层 311 电极 314绝缘结构 314a 绝缘层 314b 绝缘部 316导电通道 11 Ia第二延伸电极 Illb第一延伸电极 500发光装置 510打线电极 511延伸电极 517导电结构 522导电基板 600发光装置 610打线电极 611延伸电极 617导电结构 622导电基板 700发光装置 710打线电极 711延伸电极 717导电结构 722导电基板 800发光装置 810a打线电极 810b打线电极 811延伸电极 8Ila 放射枝 811b 放射枝 811c 放射枝 81 Id 放射枝 822导电基板 817导电结构 900发光装置 922导电基板 910a打线电极 910b打线电极 911延伸电极 911a 放射枝 911b 放射枝 917导电结构 1000发光装置 1022导电基板 1011延伸电极 1lOa打线电极 1lOb打线电极 1lla第一放射枝 1llb第二放射枝 HW3 宽度 【具体实施方式】 请参阅图1A至图1H，是显示根据本专利技术一第一实施例的。如图1A所不,一发光叠层108是以外延成长方式形成于一成长基板101上,发光叠层108可包含一第一半导体层102、一第二半导体层106及一位于第一半导体层102及第二半导体层106间的发光层104。发光叠层108可为一氮化物发光叠层,材料可选自招(Al)、铟(In)、镓(Ga)、氮(N)所构成群组的组合,成长基板101可为一透明绝缘基板例如蓝宝石(sapphire)基板，或导电基板例如硅(Si)或碳化硅(SiC)基板，而为了缩小成长基板101与发光叠层108间的晶格差异，可在形成发光叠层108前先在成长基板101上形成一缓冲层103。发光叠层108的材料也可选自铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、磷(P)、砷(As)所构成群组的组合，成长基板则可为GaAs。第一半导体层102、发光层104、第二半导体层106是外延成长在成长基板101上，而第一半导体层102可为η型半导体，第二半导体层106可为ρ型半导体。发光叠层108的结构可包含单异质结构(single heterostructure ;SH)、双异质结构(doubleheterostructure ;DH)、双侧双异质结构(double-side double heterostructure ;DDH)、或多层量子井(mult1-quantum well ;MQW)。 请参阅图1B，形成一凹部105穿透第二半导体层106、发光层104并暴露出第一半导体层102。凹部105具有一图案，且于凹部105中形成一对应凹部105的图案的电极110，再于第二半导体层106上形成一导电层112。电极110仅电连接于第一半导体层102，由剖视图可见电极110的两侧与凹部105的侧壁具有间隙，因此电极110绝缘于发光层104及第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，包含:发光叠层，包含一第一半导体层、第二半导体层以及一发光层形成于该第一半导体层及第二半导体之间，其中该第一半导体层具有一第一表面、一第一部分连接该第一表面、及一第二部分连接该第一部分；开口，自该上表面穿透该第一半导体层的第一部分；凹部，连接该开口并穿透该第二半导体层及发光层及该第一半导体层的第二部分，其中该凹部具有一宽度大于该开口的一宽度使该凹部的底部露出该第一半导体层的一第二表面相对该第一表面；以及电极，位于该凹部并与该开口对应。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钟伟荣，富振华，李政宪，黄启豪，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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