像素结构及显示装置制造方法及图纸

一种像素结构，包括一第一晶体管、一发光元件、一第二晶体管、一开关单元、一耦合单元以及一补偿单元。第一晶体管将一数据信号传送至一第一节点。第二晶体管耦接第一至第三节点。开关单元与发光元件及第二晶体管串联于第一与第二操作电压之间。耦合单元耦接于第一与第二节点之间。补偿单元耦接于第二与第三节点之间。在一补偿期间，第二节点的电压等于第三节点的电压。在一重置期间，第三节点的电压等于一固定电压。重置期间早于数据写入期间，并位于补偿期间与数据写入期间之间。

【技术实现步骤摘要】
像素结构及显示装置
本专利技术是有关于一种像素结构，特别是有关于一种显示装置的像素结构。
技术介绍
依照背板制程技术，有源式有机发光显示器(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDisplay；AMOLED)的像素结构可分成P型及N型驱动型式。P型驱动型式多应用在低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon；LTPS)的背板技术中。N型驱动型式多应用在非晶硅(a-si)及氧化铟锭锌(IndiumGalliumZincOxide；IGZO)背板技术中。图7A为已知P型驱动型式的像素示意图。驱动晶体管PTFT2为P型，其栅-源极电压为数据电压Dm与操作电压PVDD间的压差。有机发光二极管710为一般有机发光二极管(normalOLED)。图7B为已知N型驱动形式的像素示意图。驱动晶体管NTFT2为N型，其栅-源极电压为数据电压Dm与操作电压PVEE间的压差。有机发光二极管720为一反相有机发光二极管(invertedOLED)。然而，反相有机发光二极管较不易制做。为解决此问题，已知技术提供另一像素结构。如图8所示，有机发光二极管810为一般有机发光二极管，并且驱动晶体管NTFT2为N型。有机发光二极管810的阳极耦接驱动晶体管NTFT2的源极。当有机发光二极管810的跨压因元件老化而增加时，增加的跨压将影响晶体管NTFT2的栅-源极电压，进而降低晶体管NTFT2所产生的驱动电流，而产生烙印。再者，提供操作电压PVEE的金属膜是蒸镀在玻璃基板上，其所产生的压降将通过有机发光二极管810反映在驱动晶体管NTFT2的源极电压，因而影响晶体管NTFT2的栅-源极电压，使得画面的亮度不均。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，包括一第一晶体管、一发光元件、一第二晶体管、一开关单元、一耦合单元以及一补偿单元。第一晶体管具有一第一栅极、一第一端以及一第二端，并在一数据写入期间，将一数据信号传送至一第一节点。第二晶体管具有一第二栅极、一第三端以及一第四端。第二栅极耦接一第二节点。第三端耦接一第三节点。第四端耦接一第四节点。开关单元与发光元件及第二晶体管串联于一第一操作电压与一第二操作电压之间。耦合单元耦接于第一与第二节点之间。补偿单元耦接于第二与第三节点之间。在一补偿期间，第二节点的电压等于第三节点的电压。在一重置期间，第三节点的电压等于一固定电压。重置期间早于数据写入期间，并位于补偿期间与数据写入期间之间。本专利技术还提供一种显示装置，包括一扫描驱动器、一数据驱动器以及至少一像素。扫描驱动器提供至少一扫描信号。数据驱动器提供至少一数据信号。像素包括一第一晶体管、一发光元件、一第二晶体管、一开关单元、一耦合单元以及一补偿单元。第一晶体管具有一第一栅极、一第一端以及一第二端，并在一数据写入期间，根据扫描信号，将数据信号传送至一第一节点。第二晶体管具有一第二栅极、一第三端以及一第四端。第二栅极耦接一第二节点。第三端耦接一第三节点。第四端耦接一第四节点。开关单元与发光元件及第二晶体管串联于一第一操作电压与一第二操作电压之间。耦合单元耦接于第一与第二节点之间。补偿单元耦接于第二与第三节点之间。在一补偿期间，第二节点的电压等于第三节点的电压。在一重置期间，第三节点的电压等于一固定电压。重置期间早于数据写入期间，并位于补偿期间与数据写入期间之间。为让本专利技术的特征和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术的显示装置的示意图。图2为本专利技术的像素的结构示意图。图3为本专利技术的像素的控制时序图。图4为节点N、S、D、G的电压(VN、VS、VD、VG)以及晶体管TN2的栅-源极电压(Vgs)。图5为本专利技术的像素的另一结构示意图。图6为图5的像素结构的控制时序图。图7A为已知P型驱动型式的像素示意图。图7B及图8为已知N型驱动型式的像素示意图。[标号说明]100：显示装置；110：扫描驱动器；120：数据驱动器；210、510：开关单元；220、520：补偿单元；230、530：耦合单元；240、540：发光元件；310：起始期间；250、260、550：设定单元；320：补偿期间；330：重置期间；340：数据写入期间；350：发光期间；P11～Pmn：像素；C1、C2：电容；N、G、S、D：节点；REF：参考电压；SN1～SNn、Sn：扫描信号；DATA1～DATAm、Dm：数据信号；241、541、710、720、810：有机发光二极管；TN1～TN6、TP1～TP5、PTFT2、NTFT1、NTFT2：晶体管；ELVDD、ELVSS、PVDD、PVEE：操作电压；ENB、COM、RST：控制信号；VN、VS、VD、VG、Vgs：电压。具体实施方式图1为本专利技术的显示装置的示意图。如图所示，显示装置100包括一扫描驱动器110、一数据驱动器120以及像素P11～Pmn。扫描驱动器110提供扫描信号SN1～SNn。数据驱动器120提供数据信号DATA1～DATAm。像素P11～Pmn的每一者接收一相对应的扫描信号及数据信号。以像素Pij为例，像素Pij根据扫描信号SNj，接收数据信号DATAi，并根据数据信号DATAi呈现相对应的亮度。本专利技术并不限定m、n、i、j的大小。在一可能实施例中，m及n为超过2的任意正整数。另外，i及j亦为任意正整数，并且1<i<m、1<j<n。图2为本专利技术的像素的结构示意图。如图所示，像素Pij包括晶体管TN1、TN2、一开关单元210、一补偿单元220、一耦合单元230以及一发光元件240。晶体管TN1根据扫描信号SNj，将数据信号DATAi提供予节点N。在本实施例中，晶体管TN1的栅极接收扫描信号SNj，其漏极接收数据信号DATAi，其源极耦接节点N。开关单元210与发光元件240及晶体管TN2串联于操作电压ELVDD与ELVSS之间。在本实施例中，操作电压ELVDD大于ELVSS。开关单元210根据控制信号ENB，将操作电压ELVDD传送至节点D，其中节点D耦接晶体管TN2的漏极。在本实施例中，晶体管TN2耦接于开关单元210与发光元件240之间。本专利技术并不限开关单元210的内部架构。在一可能实施例中，开关单元210为一晶体管TN4。晶体管TN4的栅极接收控制信号ENB，其漏极接收操作电压ELVDD，其源极耦接节点D。补偿单元220耦接于节点G与D之间，并根据一控制信号COM，将晶体管TN2的栅极与漏极耦接在一起。在本实施例中，节点G及D分别耦接晶体管TN2的栅极与漏极。本专利技术并不限定补偿单元220的内部架构。在一可能实施例中，补偿单元220为一晶体管TN3。晶体管TN3的栅极接收控制信号COM，其漏极耦接节点D，其源极耦接节点G。耦合单元230耦接于节点N与G之间，用以根据节点N的电平，将节点G及S的电平耦合至一适当的电平。本专利技术并不限定耦合单元230的内部架构。在一可能实施例中，耦合单元230包括电容C1及C2。电容C1耦接于节点N与G之间，用以根据节点N的电压，将节点G的电压耦合至一适当的电平。电容C2耦接于节点N与S之间，用以根据节点N的电压，将节点S的电压耦合至一适当的电平。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，包括：一第一晶体管，具有一第一栅极、一第一端以及一第二端，并在一数据写入期间，将一数据信号传送至一第一节点；一发光元件；一第二晶体管，具有一第二栅极、一第三端以及一第四端，该第二栅极耦接一第二节点，该第三端耦接一第三节点，该第四端耦接一第四节点；一开关单元，与该发光元件及该第二晶体管串联于一第一操作电压与一第二操作电压之间；以及一补偿单元，耦接于该第二与该第三节点之间；其中在一补偿期间，该第二节点的电压等于该第三节点的电压，在一重置期间，该第三节点的电压等于一固定电压，该重置期间位于该补偿期间与该数据写入期间之间。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，包括：一第一晶体管，具有一第一栅极、一第一端以及一第二端，并在一数据写入期间，将一数据信号传送至一第一节点；一发光元件；一第二晶体管，具有一第二栅极、一第三端以及一第四端，该第二栅极耦接一第二节点，该第三端耦接一第三节点，该第四端耦接一第四节点；一开关单元，与该发光元件及该第二晶体管串联于一第一操作电压与一第二操作电压之间；一耦合单元，包括一第一电容，该第一电容耦接于该第一及第二节点之间；以及一补偿单元，耦接于该第二与该第三节点之间；其中在一补偿期间，该第二节点的电压等于该第三节点的电压，在一重置期间，该第三节点的电压等于一固定电压，该重置期间位于该补偿期间与该数据写入期间之间，该重置期间早于该数据写入期间，其中该补偿单元为一第三晶体管，该开关单元为一第四晶体管，其中在该重置期间，该第四晶体管导通，并且该第二晶体管不导通。2.根据权利要求1所述的像素结构，还包括：一第一设定单元，用于使该第一节点的电压等于一参考电压。3.根据权利要求1所述的像素结构，其中该耦合单元还包括一第二电容，该第二电容耦接于该第一与第四节点之间。4.根据权利要求2所述的像素结构，还包括：一第二设定单元，用于使该第四节点的电压等于该参考电压。5.根据权利要求4所述的像素结构，其中：该第一栅极接收一扫描信号，该第一端接收该数据信号，该第二端耦接该第一节点；该第三晶体管具有一第三栅极、一第五端以及一第六端，该第三栅极接收一第一控制信号，该第五端耦接该第三节点，该第六端耦接该第二节点；该第四晶体管具有一第四栅极、一第七端以及一第八端，该第四栅极接收一第二控制信号，该第七端接收该第一操作电压，该第八端耦接该第三节点；该第一设定单元为一第五晶体管，该第五晶体管具有一第五栅极、一第九端以及一第十端，该第五栅极接收...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭拱辰，曾名骏，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71