【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种半导体芯片耐腐蚀性研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：表面活性剂3-9份，有机添加剂4-7份，调节剂1-3份，水性介质50-55份，山梨醇11-18份，聚丙烯7-10份，聚乙烯9-16份，甘油1-8份，氯化钙3-7份，氯化铝1-2份，氯化钾1-2份，助溶剂1份，润湿剂1份，分散剂1份。本专利技术半导体芯片化学机械研磨剂具备了较小的介质层磨损率和较低的腐蚀度，可以促进研磨粒子的稳定性，保持极高的钨去除速率。由于相对降低了机械力的作用强度，凹坑、腐蚀和介质层的损耗等问题也减小了。【专利说明】一种半导体芯片耐腐蚀性研磨剂
本专利技术涉及一种半导体芯片耐腐蚀性研磨剂。
技术介绍
在半导体芯片的加工制造过程中，随着采用嵌入式(damascene)工序(一种费用相当便宜且能在硅芯片上建立更密集的元器件结构的工序)的逐步普及，对芯片中的金属导线进行化学机械研磨(CMP, chemical mechanical planarizat1n)抛光亦变得必不可少。钨以其极好的对通孔和沟槽的填充性能、低的电子迁移和电阻以及优异的耐腐蚀性，被广泛地用于半导体芯片加工制造的工艺过程中。如作为金属触点、通孔导线和层间互连线等。传统上，钨可以采用等离子体的方法刻蚀，称作钨回蚀。不过，钨回蚀是一种成本高且会造成较大环境污染的工艺。与此相反，钨的C如:Ip工艺，在成本和环保两方面要好得多。尤其重要的是，采用CMP的钨抛光方法，有助于提高嵌入式工序对芯片的配线密度，进而获得更高的芯片性能。因此，在半导体制造业中，钨CMP己迅速成为...
【技术保护点】
一种半导体芯片耐腐蚀性研磨剂，其特征在于，包括下列重量份数的物质：表面活性剂3‑9份，有机添加剂4‑7份，调节剂1‑3份，水性介质50‑55份，山梨醇11‑18份，聚丙烯7‑10份，聚乙烯9‑16份，甘油1‑8份，氯化钙3‑7份，氯化铝1‑2份，氯化钾1‑2份，助溶剂1份，润湿剂1份，分散剂1份。
【技术特征摘要】
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