本发明专利技术提供一种发光装置，包括一基座、至少一发光元件、一波长转换罩以及一导热结构。发光元件配置于基座上且与基座电性连接。波长转换罩配置于基座上且覆盖发光元件。导热结构配置于基座上且直接接触波长转换罩。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种发光装置，包括一基座、至少一发光元件、一波长转换罩以及一导热结构。发光元件配置于基座上且与基座电性连接。波长转换罩配置于基座上且覆盖发光元件。导热结构配置于基座上且直接接触波长转换罩。【专利说明】发光装置
本专利技术是有关于一种发光装置，且特别是有关于一种具有较佳散热效果的发光装 置。
技术介绍
随着光电技术的发展，发光元件的发光机制也从热致发光（thermoluminescence) 发展为电致发光（electroluminescence,以下简称EL)。电致发光机制的发光元件为了达 到不同的发光颜色，采用荧光粉体来转换发光元件所发出的光的波长为其中一种常用的方 法。 以发光二极管灯具而言，为了达到不同发光颜色，通常会将波长转换罩配置于发 光二极管光源组件的上方。当发光二极管光源组件所发出的光照射至波长转换罩时，则 开始进行白光转换。然而，发光二极管光源组件所产生的热能以及白光转换过程中所产生 的热能皆会累积于波长转换罩上，进而造成波长转换罩的温度上升。由于波长转换罩是 由荧光粉体与高分子材料或玻璃所组成，而荧光粉体遇高温会产生热消光现象（Thermal Quenching Of Luminescence),因此将造成波长转换罩的突光转换效能降低，进而产生色 偏现象。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光装置，其导热结构直接接触波长转换罩，以将发光元件所产 生的热快速带走，可有效降低波长转换罩的热消光现象。 本专利技术的发光装置，其包括一基座、至少一发光元件、一波长转换罩以及一导热结 构。发光元件配置于基座上且与基座电性连接。波长转换罩配置于基座上且覆盖发光元件。 导热结构配置于基座上且直接接触波长转换罩。 在本专利技术的一实施例中，上述的导热结构的材质是选自于银、金、铜、钼、锡、铝、纳 米碳管以及石墨烯至少其中之一。 在本专利技术的一实施例中，上述的导热结构，还包括：一散热座，其中基座配置于散 热座上。 在本专利技术的一实施例中，上述的散热座的材料是选自于铝、锡、铜、银、金以及陶瓷 至少其中之一。 在本专利技术的一实施例中，上述的发光装置，还包括：一反射材料层，配置于导热结 构上。 在本专利技术的一实施例中，上述的反射材料层的材质是选自于银、铬、镍以及铝至少 其中之一。 在本专利技术的一实施例中，上述的反射材料层为一布拉格反射镜（Distributed Bragg Reflector,以下简称 DBR)。 在本专利技术的一实施例中，上述的导热结构占波长转换罩的表面积的5%至40%。 在本专利技术的一实施例中，上述的导热结构为一网状导热结构、一片状导热结构、一 管状导热结构或一多角状片体组成的导热结构。 在本专利技术的一实施例中，上述的网状导热结构的网状图案包括矩形或三角形。 在本专利技术的一实施例中，上述的波长转换罩具有彼此相对的一内表面与一外表 面。导热结构接触波长转换罩的内表面、外表面或同时接触内表面及外表面。 在本专利技术的一实施例中，上述的波长转换结构具有彼此相对的一第一内表面以及 一第一外表面，而导热结构具有彼此相对的一第二内表面以及一第二外表面。导热结构的 第二内表面与第二外表面分别和波长转换结构的第一内表面与第一外表面共平面。 在本专利技术的一实施例中，上述的波长转换罩上的一顶点至基座上的最大垂直距离 与导热结构的高度的比值介于〇. 9至2之间。 基于上述，由于本专利技术的导热结构配置于基座上且直接接触波长转换罩，因此导 热结构可将发光元件所产生的热经由基座快速带走，而不会使发光元件所产生的热集中在 波长转换罩上，可有效降低波长转换罩的热消光现象。简言之，本专利技术的发光装置可具有较 佳的散热效果且可有效避免产生热消光现象。 为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详 细说明如下。 【专利附图】【附图说明】 图1A为本专利技术的一实施例的一种发光装置的局部剖面立体示意图； 图1B为本专利技术的另一实施例的一种发光装置的局部剖面立体示意图； 图2为本专利技术的另一实施例的一种发光装置的局部剖面立体示意图； 图3A为本专利技术的另一实施例的一种发光装置的局部剖面立体示意图； 图3B为本专利技术的另一实施例的一种发光装置的局部剖面立体示意图； 图3C为本专利技术的另一实施例的一种发光装置的局部剖面立体示意图； 图4为本专利技术的另一实施例的一种发光装置的局部剖面立体示意图； 图5为本专利技术的另一实施例的一种发光装置的局部剖面立体示意图； 图6为本专利技术的另一实施例的一种发光装置的局部剖面立体示意图。 附图标记说明： 100a、100a，、100b、100bl、100b2、100b3、100c、100d、100e :发光装置； 110 :基座； 112:散热座； 120 :发光元件； 130a、130a'、130b、130bl、130b2、130b3 :波长转换罩； 131a :弧形顶盖； 132a:内表面； 132b :第一内表面； 133a :侧墙； 134a :外表面； 134b :第一外表面； 135a:顶点； 140a、140b、140c、140d :导热结构； 142d:第二内表面； 144d :第二外表面； 150 :反射材料层； D :最大垂直距离； H1、H2:高度。 【具体实施方式】 图1A为本专利技术的一实施例的一种发光装置的局部剖面立体示意图。请参考图1A， 在本实施例中，发光装置l〇〇a包括一基座110、至少一发光元件120(图1A中仅示意地示出 一个)、一波长转换罩130a以及一导热结构140a。详细来说，发光元件120配置于基座110 上且与基座110电性连接。波长转换罩130a配置于基座110上且覆盖发光元件120。导热 结构140a配置于基座110上且直接接触波长转换罩130a。 具体来说，本实施例的发光元件120例如是一发光二极管，用以产生光线。波长转 换罩130a具有彼此相对的一内表面132a与一外表面134a，其中导热结构140a直接接触波 长转换罩130a的内表面132a。如图1A所示，本实施例的导热结构140a例如是一网状导热 结构，其中网状导热结构的网状图案例如是矩形，但并不以此为限。较佳地，本实施例的导 热结构140a占波长转换罩130a的内表面132a表面积的5%至40%，其中若小于5%会使导 热效果不佳，而若大于40%则会造成遮光，影响出光效率。特别是，波长转换罩上的一顶点 135a至基座110上的最大垂直距离D与导热结构140a的高度H1的比值介于0. 9至2之 间，视实际需求去设置导热结构的高度H1，以获得较佳的导热效果又不至于影响出光。此 处，导热结构140a的材质可选择自具有高导热效果及高反射率的材质，例如是银、金、铜、 钼、锡以及铝至少其中之一；或者是，可选择自导热率较佳的材质，例如是纳米碳管或石墨 烯。如此一来，导热结构140a除了可快速将发光元件120所产生的热经由基座110快速带 走，而不会集中或停留在波长转换罩130a上之外，导热结构1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，包括：一基座；至少一发光元件，配置于该基座上且与该基座电性连接；一波长转换罩，配置于该基座上且覆盖该发光元件；以及一导热结构，配置于该基座上且直接接触该波长转换罩。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈正言，李一凡，巫汉敏，黄冠杰，庄东霖，孙圣渊，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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