本发明专利技术公开了一种高效稳定氮化铝陶瓷基板100瓦5dB衰减片，其包括一8.9×5.7×1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述5个黑色电阻上均一一对应印刷有5个玻璃保护膜，所述5个玻璃保护膜及导线上印刷有两层保护膜。该衰减片在设计思路上优化了输出端的电路结构，改善了输出端的驻波，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。该高效稳定氮化铝陶瓷基板100瓦5dB衰减片，各项指标优良，满足了目前4G网络的使用要求。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种高效稳定氮化铝陶瓷基板100瓦5dB衰减片，其包括一8.9X5.7X1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述5个黑色电阻上均一一对应印刷有5个玻璃保护膜，所述5个玻璃保护膜及导线上印刷有两层保护膜。该衰减片在设计思路上优化了输出端的电路结构，改善了输出端的驻波，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。该高效稳定氮化铝陶瓷基板100瓦5dB衰减片，各项指标优良，满足了目前4G网络的使用要求。【专利说明】高效稳定氮化铝陶瓷基板100瓦5dB衰减片
本专利技术涉及一种氮化铝陶瓷基板衰减片，特别涉及一种高效稳定氮化铝陶瓷基板 100瓦5dB的衰减片。
技术介绍
目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功 率，大功率陶瓷负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时 的监控，当基站工作发生故障时无法及时地做出判断，对设备没有保护作用。而衰减片不但 能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率，而且能够抽取通信部件中部分信号， 对基站进行实时监控，从而对设备形成有效保护。 衰减片作为一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说其应与两端电 路都是匹配的。目前国内100W-5dB的氮化铝陶瓷衰减片，其衰减精度不仅大多只能做到1G 频率以内，少数能做到2G，且衰减精度和设备配备的VSWR较难控制，输出端得到的信号不 符合实际要求。特别是在衰减片使用频段高于2G时，其衰减精度往往达不到要求，回波损 耗变大，满足不了 2G以上的频段应用要求。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本专利技术要解决的技术问题是提供一种阻值满足 96·3±3% Ω，在X频段以内衰减精度为5±0.5dB，驻波要求在3G频段内满足1.20:lmax， 能够满足目前4G网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的高效稳定氮化铝陶瓷基板1〇〇 瓦5dB的衰减片。 为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案： 其包括一 8. 9*5· 7*1MM的氮化铝陶瓷基板，所述高效稳定氮化铝陶瓷基板的背面 印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银 菜导线连接所述电阻形成衰减电路，所述5个黑色电阻上均一一对应印刷有5个玻璃保护 膜，所述5个玻璃保护膜及导线上印刷有两层保护膜。 优选的，所述玻璃保护膜采用了二次高温烧结保护膜技术。 优选的，所述电阻采用电阻浆料印刷而成，所述电阻浆料采用高精度电阻混合技 术。 上述技术方案具有如下有益效果：该衰减片以8. 9*5. 7* 1丽的氮化铝基板作为 基准，在设计思路上优化了输出端的电路结构，改善了输出端的驻波，同时通过电阻值的精 确修改，得到高精度的衰减值。同时该衰减片在上述氮化铝基板的尺寸规格下可到达阻值 96·3±3% Ω，在X频段以内衰减精度为5 土 Ο.ΜΒ，驻波要求在X频段内满足1.20:lmax， 能够满足目前4G网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的技术要求，打破了原来衰减片 只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于4G的网络。 上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段， 并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。 本专利技术的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术实施例的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细介绍。 如图1所示，该高效稳定氮化铝陶瓷基板100瓦5dB的衰减片包括一氮化铝基板 1，氮化错基板1的背面印刷有导体层，导体层由印刷银菜印刷而成。氮化招基板1的正面 印刷有电阻R1、R2、R3、R4、R5及银浆导线2,银浆导线2将电阻R1、R2、R3、R4、R5连接起来 形成TT型结构的衰减电路，电阻Ri、R2、R3、R4、R 5上均印刷有玻璃保护膜3,玻璃保护膜3 用于保护电阻Rl、R2、R3、R4、R5。在整个电路即银浆导线2及玻璃保护膜3的上表面还印 刷有一层黑色保护膜4,黑色保护膜4上再印刷有一层黑色保护膜 5,这样可对整个电路进 行包括，黑色保护膜5上还可印刷品牌和型号。 该衰减片输入端和接地的阻值为％.3±3% Ω，输出端和接地端的阻值为 %·3±3% Ω。信号从输入端进入衰减片，从输出端经过R1、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸 收，从输出端输出实际所需要的信号。 该衰减片以8·肿5· 7*1MM的氮化铝基板作为基准，在设计思路上优化了输出端的 电路结构，改善了输出端的驻波，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。同时 该衰减片在上述氮化铝基板的尺寸规格下可到达阻值96. 3 ± 3 % Ω，在3G频段以内衰减精 度为5±0. 5dB，驻波要求在3G频段内满足1. 20: lmax，能够满足目前4G网络的应用要求且 能够稳定的承受100瓦的功率的技术要求，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使 得衰减片能应用于4G的网络。 以上对本专利技术实施例所提供的一种高效稳定氮化铝陶瓷基板1〇〇瓦5dB衰减片进 行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本专利技术实施例的思想，在【具体实施方式】及 应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制,凡依本 专利技术设计思想所做的任何改变都在本专利技术的保护范围之内。【权利要求】1. 一种高效稳定氮化铝陶瓷基板100瓦5dB衰减片，其特征在于：其包括一 8. 9*5. 7*1MM的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化 铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减 电路，所述5个黑色电阻上均一一对应印刷有5个玻璃保护膜，所述5个玻璃保护膜及导线 上印刷有两层保护膜。2. 根据权利要求1所述的高效稳定氮化铝陶瓷基板100瓦5dB衰减片，其特征在于： 所述玻璃保护膜采用了二次高温烧结保护膜技术。3. 根据权利要求1所述的高效稳定氮化铝陶瓷基板100瓦5dB衰减片，其特征在于： 所述电阻采用电阻浆料印刷而成，所述电阻浆料采用高精度电阻混合技术。【文档编号】H01P1/22GK104218288SQ201410231934【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年5月28日 优先权日:2014年5月28日 【专利技术者】不公告专利技术人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高效稳定氮化铝陶瓷基板100瓦5dB衰减片，其特征在于：其包括一8.9*5.7*1MM的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述5个黑色电阻上均一一对应印刷有5个玻璃保护膜，所述5个玻璃保护膜及导线上印刷有两层保护膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：苏州市新诚氏电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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