薄膜、工件加工用片材基材及工件加工用片材制造技术

提供一种薄膜，所述薄膜可用作切割片材等各种工件加工用片材的基材，应力缓和性和扩展性高，而且无工件污染的问题且可降低表面粘着性。本发明专利技术的薄膜的特征在于：是将含有25℃下的粘度为100~5,000,000mPa·S的能量线固化性树脂和聚合性硅酮化合物的能量线固化性组合物成膜、固化而成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】提供一种薄膜，所述薄膜可用作切割片材等各种工件加工用片材的基材，应力缓和性和扩展性高，而且无工件污染的问题且可降低表面粘着性。本专利技术的薄膜的特征在于：是将含有25℃下的粘度为100~5,000,000mPa·S的能量线固化性树脂和聚合性硅酮化合物的能量线固化性组合物成膜、固化而成。【专利说明】薄膜、工件加工用片材基材及工件加工用片材
本专利技术涉及一种薄膜，所述薄膜适合用作在进行半导体晶片等被加工物（以下有 时记为"工件"）的临时性表面保护、研磨、切割等加工时粘贴、保持该工件的工件加工用片 材的基材，另外，涉及含有该薄膜的工件加工用片材基材和具备该基材的工件加工用片材。
技术介绍
硅、砷化镓等半导体晶片以大直径的状态进行制备。半导体晶片在表面形成电路 后，通过背面研磨从而研磨至规定的厚度，在切断分离（切割）为元件小片（半导体芯片） 后转移至作为下一道工序的接合工序。在这些一系列的工序中，使用各种粘合片材或薄膜 状粘接剂。 在背面研磨工序中，为了在研磨过程中保持晶片而且保护电路表面免于研磨屑 等，使用被称为背面研磨片材的粘合片材。另外，在背面研磨工序之后，有时也会在研磨面 进行电路形成等，此时也用粘合片材保护和固定晶片后进行加工。背面研磨片材等背面加 工时的表面保护片材由基材和具有压敏粘接性的粘合剂层构成。特别是为了确实地保护表 面具有凹凸的电路面，有时会使用利用了较软性且应力缓和性高的基材的粘合片材。 另外，用于切割工序的粘合片材也被称为切割片材，由基材和具有压敏粘接性的 粘合剂层构成，在切割半导体晶片等工件时，固定该工件；另外，在切割后用于保持芯片。在 切割后，为了使用于增大芯片间隔的扩展（expand)变得容易，有时会使用具有较软性的基 材的粘合片材。 在切割工序结束后，拾取芯片，进行模片（夕)接合。此时，有时也会使用液态 的粘接剂，但近年来多使用薄膜状粘接剂。薄膜状粘接剂被粘贴于半导体晶片的一面，在切 割工序中与晶片一同被切断，然后，作为带有粘接剂层的芯片而被拾取，经由粘接剂层将芯 片粘接于规定的部位。这样的薄膜状粘接剂通过以下方法得到：在基材薄膜或粘合片材上 设置将环氧化合物或聚酰亚胺等粘接剂成膜、半固化而得的层。 此外，还提出了同时兼具切割时的晶片固定功能和模片接合时的模片固定功能的 切割?模片接合两用片材。切割?模片接合两用片材由兼具晶片保持功能和模片固定功能 的粘接性树脂层和基材构成。粘接性树脂层在切割工序中保持半导体晶片或芯片，在模片 接合时作为用以粘合芯片的粘接剂而起作用。粘接性树脂层在切割时与晶片一同被切断， 形成与切断的芯片相同形状的粘接性树脂层。在切割结束后，若进行芯片的拾取，则粘接性 树脂层与芯片一同从基材剥离。将带有粘接性树脂层的芯片放置于基板，进行加热等，经由 粘接性树脂层将芯片与基板粘接。这样的切割?模片接合两用片材是在基材上形成兼具晶 片固定功能和模片固定功能的粘接性树脂层而成。 即使在这些对应模片接合的粘接片材类中，为了使扩展工序变得容易，有时也会 使用较软性的基材。 另外，为了在芯片的背面形成保护膜，也提出了以下方法：在固化性的树脂层粘 贴半导体晶片，将树脂层固化，然后，将半导体晶片与树脂层切割，制备具有固化的树脂层 (保护膜）的芯片。这样的保护膜形成用片材在剥离性基材上具有形成保护膜的粘接性树 脂层。即使在用于该工序的片材类中，作为用以保持树脂层的基材，有时也会为了对应扩展 工序而使用较软性的基材。 以下，将如上所述的表面保护片材、背面研磨片材、切割片材、含有薄膜状粘接剂 层的层压片材、切割?模片接合两用片材、保护膜形成用片材统称，称为"工件加工用片材"。 另外，有时将具有如上所述的压敏粘接性的粘合剂层或薄膜状粘接剂层、兼具晶片保持功 能和模片固定功能的粘接性树脂层和形成保护膜的粘接性树脂层简单地记为"粘接性树脂 层"。 作为这样的工件加工用片材，目前将氯乙烯或聚烯烃薄膜等用作基材，但近年来 特别是为了确实地保护表面具有凹凸的电路面或为了对应扩展工序而需要使用较软质且 应力缓和性高的基材。在这样的工件加工用片材中，提出了各种用作软性基材的树脂薄膜。 例如，在专利文献1 (日本特许第3383227号）中，提出了将以下薄膜作为基材的背面研 磨片材，所述薄膜是将氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物等能量线固化性树脂成膜、固化而得；另 夕卜，在专利文献2 (日本特开2002-141306号公报）中，提出了将以下薄膜作为基材的切割 片材，所述薄膜是将氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物等能量线固化性树脂成膜、固化而得。由于 这些基材为软性且应力缓和性也优异，所以以表面具有凹凸的半导体晶片的表面保护为代 表，将其用作各种工件加工用片材的基材进行了研究。 先前技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特许第3383227号 专利文献2 :日本特开2002-141306号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题 但是，如专利文献1或专利文献2所记载的将氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物等能量线固 化性树脂成膜、固化而得的薄膜，多在表面具有微粘着性（弱的粘合性），静摩擦系数高。因 此，在将工件加工用片材放置于加工用工作台后，片材粘附于工作台，有时会对向之后工序 的输送造成障碍。另外，薄膜发生粘连，片材粘附于用以输送片材的辊类，有时也会中断片 材的制备或输送。 为了消除这样的问题，通常，作为降低薄膜的静摩擦系数的方法，已知有以下方 法：在形成基材的薄膜的表面形成静摩擦系数低的树脂层作为顶涂层的方法，或添加硅油 等润滑剂的方法等。但是，由于增加用以形成顶涂层的工序，所以成为制品的价格上升的主 要因素。另外，由于顶涂层的厚度薄至2~3 μ m，所以在涂布形成顶涂层的树脂时产生针孔或 发生涂布不均匀等，难以保证品质的均匀性。 另外，用作润滑剂的硅油有在薄膜的表面偏析或发生渗出等的可能性，有时会引 起工件的污染或薄膜物性不稳定等重大问题。 本专利技术鉴于如上所述的实际情况而完成，其目的在于：提供应力缓和性或扩展性 高，而且无工件污染的问题且可降低表面粘着性的基材薄膜。由于这样的薄膜作为各种工 件加工用片材的基材的适应性高，而且也无需形成顶涂层，所以可简化制备工序和降低制 备成本。 解决课题的手段 解决上述课题的本专利技术包含以下要点。 (1)薄膜，所述薄膜是将含有25°C下的粘度为100~5, 000, OOOmPa · S的能量线固 化性树脂和聚合性硅酮化合物的能量线固化性组合物成膜、固化而成。 (2) (1)所记载的薄膜，其中，聚合性硅酮化合物的质量比例为1. 0质量％以下。 (3) (1)所记载的薄膜，其中，上述聚合性硅酮化合物为有机改性聚合性硅酮化合 物。 (4) (3)所记载的薄膜，其中，上述有机改性聚合性硅酮化合物为氨基甲酸酯改性 硅酮（甲基）丙烯酸酯或氨基甲酸酯改性硅酮（甲基）丙烯酸酯低聚物。 (5) (1Γ(4)中任一项所记载的薄膜，其中，上述能量线固化性树脂为氨基甲酸酯 丙烯酸酯类低聚物与能量线聚合性单体的混合物。 (6)工件加工用片材基材，所述工件加工用片材基材含有上述（1Γ(5)本文档来自技高网...

【技术保护点】
薄膜，所述薄膜是将含有25℃下的粘度为100~5,000,000mPa·S的能量线固化性树脂和聚合性硅酮化合物的能量线固化性组合物成膜、固化而成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤本泰史，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP