磷光体及包括磷光体的发光器件封装件制造技术

本发明专利技术的实施方案提供了一种包含发射具有黄色波长的光的硅酸盐基第一磷光体、发射具有绿色波长的光的氮化物基第二磷光体以及发射具有红色波长的光的氮化物基第三磷光体的磷光体。当磷光体通过具有蓝色波长的光激发时，从第一磷光体至第三磷光体发射的混合光的光谱的半高宽为110nm或更大。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的实施方案提供了一种包含发射具有黄色波长的光的硅酸盐基第一磷光体、发射具有绿色波长的光的氮化物基第二磷光体以及发射具有红色波长的光的氮化物基第三磷光体的磷光体。当磷光体通过具有蓝色波长的光激发时，从第一磷光体至第三磷光体发射的混合光的光谱的半高宽为110nm或更大。【专利说明】磷光体及包括磷光体的发光器件封装件相关申请的交叉引用本申请要求2013年5月16日在韩国提交的韩国专利申请第10-2013-0056027号和2013年10月I日在韩国提交的韩国专利申请的第10-2013-0117219号的优先权，通过引用将其全部内容如在本文中完全阐述的那样并入本文。
实施方案涉及磷光体和包括磷光体的发光器件封装件。
技术介绍
由于器件材料和薄膜生长技术的发展，使用II1-V族或者I1-VI族化合物半导体的发光器件(例如发光二极管(LED)或者激光二极管(LD))能够发射各种颜色的光，例如红光、绿光和蓝光、紫外光等。此外，与常规光源(例如荧光灯、白炽灯等)相比，这些发光器件能够通过利用荧光物质或者颜色组合来高效地发射白光，并且具有低功耗、半永久的寿命、快速的响应时间、安全以及环保的优势。 因此，发光二极管的应用领域扩展到光通信装置的传输模块、代替用作液晶显示(LCD)装置的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的LED背光、代替荧光灯或者白炽灯的白光LED发光装置、车辆的前灯以及交通信号灯。 发光器件包括设置在由例如蓝宝石形成的衬底上的发光结构。发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，并且在第一导电半导体层和第二导电半导体层上分别设置有第一电极和第二电极。 发光器件发射能量由构成有源层的材料的本征能带确定的光，在有源层中穿过第一导电半导体层引入的电子和穿过第二导电半导体层引入的空穴彼此相遇。从有源层发射的光可以根据构成有源层的材料的成分而变化，并且可以是例如蓝光、紫外线(UV)或深UVo 发光器件封装件包括铈掺杂的钇铝石榴石(YAG)磷光体。磷光体通过从发光器件发射的蓝光激发，因而生成黄光。如此，可以通过黄光和蓝光的混合产生白光。 已经进行了用硅酸盐磷光体或氮化物磷光体来代替上述的YAG磷光体的尝试。 然而，单独使用硅酸盐磷光体在热稳定性方面可能是有问题的。在长期使用发光器件封装件的情况下，硅酸盐磷光体由于从发光二极管辐射的热而劣化，引起发光度逐渐下降。 此外，单独使用氮化物磷光体导致比单独使用YAG磷光体更低的发光强度。 磷光体的劣化和发光度降低可能引起使用发光器件封装件的例如背光单元的发光度降低和颜色不协调。
技术实现思路
实施方案提供了一种具有优异的色彩还原和更小的由于热而引起的发光度降低的磷光体。 在一个实施方案中，磷光体包含:发射具有黄色波长的光的硅酸盐基第一磷光体；发射具有绿色波长的光的氮化物基第二磷光体；以及发射具有红色波长的光的氮化物基第三磷光体，其中，当磷光体通过具有蓝色波长的光激发时，从第一磷光体至第三磷光体发射的混合光的光谱的半高宽为IlOnm或更大。 在另一实施方案中，发光器件封装件包括:彼此电绝缘的第一电极和第二电极；电连接到第一电极和第二电极中的每一个电极上以发射具有第一波长的光的至少一个发光器件；以及通过从发光器件发射的具有蓝色波长的光激发以发射具有第二波长的光的磷光体，磷光体包含:发射具有黄色波长的光的硅酸盐基第一磷光体；发射具有绿色波长的光的氮化物基第二磷光体；以及发射具有红色波长的光的氮化物基第三磷光体，其中当磷光体通过具有蓝色波长的光激发时，从第一磷光体到第三磷光体发射的混合光的光谱的半高宽为IlOnm或更大。 根据又一实施方案，磷光体包含:发射具有黄色波长的光的第一磷光体；发射具有绿色波长的光的第二磷光体；以及发射具有红色波长的光的第三磷光体，其中，第一磷光体、第二磷光体和第三磷光体含有氮，当磷光体通过具有蓝色波长的光激发时，从第一磷光体到第三磷光体发射的混合光的光谱的半高宽为119nm或更大。 【专利附图】【附图说明】 可以参照下列附图详细描述布置和实施方案，其中相同的附图标记指代相同的元件，并且其中: 图1A和图1B为分别示出发光器件的不同的实施方案的图； 图2为示出包括发光器件的发光器件封装件的第一实施方案的图； 图3A和图3B为分别示出常规发光器件封装件的光发射光谱和包括根据一个实施方案的磷光体的发光器件封装件的光发射光谱的图； 图3C为示出包括根据另一实施方案的磷光体的发光器件封装件的光发射光谱图的图； 图4为对CIE颜色坐标、NTSC坐标和sRGB颜色坐标进行相互比较的图； 图5为示出包括发光器件的发光器件封装件的第二实施方案的图； 图6为示出包括发光器件的发光器件封装件的第三实施方案的图； 图7为示出包括发光器件的发光器件封装件的第四实施方案的图； 图8为示出包括发光器件的发光器件封装件的第五实施方案的图； 图9为示出包括发光器件封装件的图像显示装置的一个实施方案的图；以及 图10为示出包含发光器件封装件的照明装置的一个实施方案的图。 【具体实施方式】 在下文中，将参照附图描述用于具体实现上述目的的示例性实施方案。 在描述实施方案之前，将理解的是，当各个元件(例如层(膜)、区域、图案或结构)称作形成在其它元件(例如衬底、层(膜)、区域、焊盘或图案)的“上”或“下”时，其可以直接在其它元件的“上”或“下”或者通过插入一个或者多个元件间接地形成。此外，还将理解的是，可以相对于图来描述在元件的“上”或“下”。 在图中，为了清楚和便利起见，各层的厚度或尺寸可能被放大、省略或示意性示出。另外，各个构件的尺寸未完全反映其真实尺寸。 图1A为示出发光器件的一个实施方案的图。 发光结构120包括第一导电半导体层122，有源层124以及第二导电半导体层126。 第一导电半导体层122可以由例如II1-V族或I1-VI族化合物半导体形成，并且可以掺杂有第一导电掺杂剂。第一导电半导体层122可以由组成式为AlxlnyGa(1_x_y)N(0 ≤ X ≤ 1，O ≤ y ≤ 1，O ≤ x+y ≤ I)、AlGaN、GaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和AlGaInP的半导体材料中的任意一种或者更多种组成。 当第一导电半导体层122为η型半导体层时,第一导电掺杂剂可以包括η型掺杂剂，如S1、Ge、Sn、Se、Te等。第一导电半导体层122可以形成为单层或者形成为多层，但不限于此。 有源层124置于第一导电半导体122与第二导电半导体层126之间。有源层124可以具有单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、 多量子阱结构、量子点结构以及量子线结构中的任意一种。 有源层124可以由II1-V族化合物半导体形成，并且包括具有AlGaN/AlGaN、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN.GaAs (InGaAs)/AlGaAs和 GaP(InGaP) /AlGaP中的任意一个或更多个的成对结构的阱层和势垒层，但不限于此。阱层可以由具有比势鱼层的能带间隙更小能带间隙的材料形成。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磷光体，包括：发射具有黄色波长的光的硅酸盐基第一磷光体；发射具有绿色波长的光的氮化物基第二磷光体；以及发射具有红色波长的光的氮化物基第三磷光体，其中，当所述磷光体通过具有蓝色波长的光激发时，从所述第一磷光体至所述第三磷光体发射的混合光的光谱的半高宽为110nm或更大。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金泰勋，李智娜，韩美正，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR