一种钐掺杂稀土氮化硅发光材料，其化学式为Me2Si6N10∶xSm3+，其中，x为0.01～0.05，Me为镧离子，钆离子，镱离子或镥离子。该钐掺杂稀土氮化硅发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在638nm和727nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该钐掺杂稀土氮化硅发光材料的制备方法及其应用。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种钐掺杂稀土氮化硅发光材料，其化学式为Me2Si6N10∶xSm3+，其中，x为0.01～0.05，Me为镧离子，钆离子，镱离子或镥离子。该钐掺杂稀土氮化硅发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在638nm和727nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本专利技术还提供该钐掺杂稀土氮化硅发光材料的制备方法及其应用。【专利说明】钐掺杂稀土氮化硅发光材料、制备方法及其应用 【
】 本专利技术涉及一种钐掺杂稀土氮化硅发光材料、其制备方法、钐掺杂稀土氮化硅发 光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。 【
技术介绍
】 薄膜电致发光显示器（TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角 大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至 全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显 不器的杉掺杂稀土氮化娃发光材料，仍未见报道。 【
技术实现思路
】 基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的钐掺杂稀土氮化硅发光材 料、其制备方法、钐掺杂稀土氮化硅发光薄膜、其制备方法、使用该钐掺杂稀土氮化硅发光 材料的薄膜电致发光器件及其制备方法。 一种钐掺杂稀土氮化硅发光材料，其化学式为Me2Si6N 1(l : xSm3+，其中，X为0. 01? 0. 05, Me为镧离子，钆离子，镱离子或镥离子。 -种钐掺杂稀土氮化硅发光材料的制备方法，包括以下步骤： 根据Me2Si6N1(l : xSm3+各元素的化学计量比称取MeN，Si3N4和SmN粉体并混合均 匀，其中，X为〇. 〇1?〇. 05, Me为镧离子，钆离子，镱离子或镥离子；及 将混合均匀的粉体在900°C?1300°C下烧结0. 5小时?5小时即得到化学式为 Me2Si6N1Q : xSm3+的钐掺杂稀土氮化硅发光材料。 -种钐掺杂稀土氮化硅发光薄膜，该钐掺杂稀土氮化硅发光薄膜的材料的化学通 式为Me 2Si6N1(l : xSm3+，其中，X为0. 01?0. 05，1^为镧尚子，礼尚子，镱尚子或镥尚子。 -种钐掺杂稀土氮化硅发光薄膜的制备方法，包括以下步骤： 根据Me2Si6N1(l : xSm3+各元素的化学计量比称取MeN，Si3N4和SmN粉体并混合均 匀在900°C?1300°C下烧结0.5小时?5小时制成靶材，其中，X为0.01?0.05, Me为镧 离子，钆离子，镱离子或镥离子； 将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度 设置为 1. 〇 X l(T3Pa ?1. 0 X l(T5Pa ;及 调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm?95mm，磁控溅射工作压强 0. 2Pa?4Pa，工作气体的流量为lOsccm?35sccm，衬底温度为250°C?750°C，激光能量 为80W?300W，接着进行制膜，得到化学式为Me 2Si6N1(l : xSm3+的钐掺杂稀土氮化硅发光薄 膜，Me为镧离子，钆离子，镱离子或镥离子。 所述真空腔体的真空度为5. 0Xl(T4Pa，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强为 2Pa，工作气体为氧气，工作气体的流量为25 SCCm，衬底温度为500°C，激光能量为150W。 一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光 层以及阴极层，所述发光层的材料为钐掺杂稀土氮化硅发光材料，该钐掺杂稀土氮化硅发 光材料的化学式为Me2Si6N1(l : xSm3+，其中，X为0. 01?0. 05，Me为镧离子，礼离子，镱离子 或镥离子。 一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤： 提供具有阳极的衬底； 在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为钐掺杂稀土氮化硅发光材料，该 钐掺杂稀土氮化硅发光材料的化学式为Me 2Si6N1(l : xSm3+，其中，X为0. 01?0. 05，Me为镧 离子，钆离子，镱离子或镥离子； 在所述发光层上形成阴极。 所述发光层的制备包括以下步骤： 根据Me2Si6N1(l : xSm3+各元素的化学计量比称取MeN，Si3N4和SmN粉体粉体并混 合均匀在900°C?1300°C下烧结0. 5小时?5小时制成靶材，其中，X为0. 01?0. 05, Me 为镧离子，钆离子，镱离子或镥离子； 将所述靶材以及所述衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真 空度设置为 1. 〇 X l〇_3Pa ?1. 0 X 10_5Pa ; 调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm?95mm，磁控溅射工作压强 0. 2Pa?4Pa，工作气体的流量为lOsccm?35sccm，衬底温度为250°C?750°C，激光能量 为80W?300W，接着进行制膜，得到化学式为Me 2Si6N1(l : xSm3+的钐掺杂稀土氮化硅发光薄 膜，在所述阳极上形成发光层。 上述杉掺杂稀土氮化娃发光材料(Me2Si6N1(l : xSm3+)制成的发光薄膜的电致发光 光谱（EL)中，在638nm和727nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示 器中。 【【专利附图】【附图说明】】 图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图； 图2为实施例1制备的钐掺杂稀土氮化硅发光薄膜的电致发光谱图； 图3为实施例1制备的钐掺杂稀土氮化硅发光薄膜的XRD图； 图4是实施例1制备的薄膜电致发光器件的电压与电流密度和电压与亮度之间的 关系曲线图。 【【具体实施方式】】 下面结合附图和具体实施例对钐掺杂稀土氮化硅发光材料、其制备方法、钐掺杂 稀土氮化硅发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法进一步阐明。 -实施方式的杉掺杂稀土氮化娃发光材料，其化学式为Me2Si6N 1(l : xSm3+，其中，X 为0. 01?0. 05, Me为镧离子，钆离子，镱离子或镥离子。 优选的，X 为 0.03。 该杉掺杂稀土氮化娃发光材料中Me2Si6N1(l是基质，杉离子是激活元素。该杉掺杂 稀土氮化硅发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL)中，在638nm和727nm波长区都 有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。 上述钐掺杂稀土氮化硅发光材料的制备方法，包括以下步骤： 步骤S11、根据Me2Si6N1Q : xSm3+各元素的化学计量比称取MeN，Si3N4和SmN粉体， 其中，X为0. 01?0. 05, Me为镧离子，钆离子，镱离子或镥离子。 该步骤中，优选的，X为0· 03。 步骤S12、将混合均的粉体在900°C?1300°C下烧结0. 5小时?5小时即可得到钐 掺杂稀土氮化硅发光材料，其化学式为Me2Si6N 1(l : xSm3+，其中，X为0. 01?0. 05, Me为镧 离子，钆离子，镱离子或镥离子。 该步骤中，优选的在1250°C下烧结3小时。 -实施方式的钐掺杂稀土氮化硅发光薄膜，该钐掺杂稀土氮化硅发光薄膜的材料 的化学通式为Me 2Si6N1(l : xSm3+的杉掺杂稀土氮化娃发光材料，Me为镧离子，礼离子，镱离 子或镥离子。 优选的，X 为 0.03。 上述钐掺杂稀土本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种钐掺杂稀土氮化硅发光材料，其特征在于：其化学式为Me2Si6N10∶xSm3+，其中，x为0.01～0.05，Me为镧离子，钆离子，镱离子或镥离子。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，钟铁涛，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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