本发明专利技术的目的在于，在半导体装置的制造工序中，在不对半导体晶片、芯片实施使工序数目增加、工艺繁杂化那样的特别处理的情况下，对所得的半导体装置赋予散热特性。本发明专利技术的芯片用树脂膜形成用片材具有支承片和形成于该支承片上的树脂膜形成层，该树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)及无机填料(C)，该树脂膜形成层的热扩散率为2×10－6m2/s以上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术的目的在于，在半导体装置的制造工序中，在不对半导体晶片、芯片实施使工序数目增加、工艺繁杂化那样的特别处理的情况下，对所得的半导体装置赋予散热特性。本专利技术的芯片用树脂膜形成用片材具有支承片和形成于该支承片上的树脂膜形成层，该树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)及无机填料(C)，该树脂膜形成层的热扩散率为2×10－6m2/s以上。【专利说明】芯片用树脂膜形成用片材
本专利技术涉及一种可以在半导体芯片的任一面有效地形成热扩散率高的树脂膜、而 且能够制造可靠性高的半导体装置的芯片用树脂膜形成用片材。
技术介绍
近年来，进行了使用被称作所谓的倒装（face down)方式的安装方法的半导体装 置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸起等电极的半导体芯片（以下也简称为 "芯片"。），将该电极与基板接合。因此，芯片的与电路面相反一侧的面（芯片背面）有时 就会露出。 该露出了的芯片背面有时由有机膜保护。以往，具有由该有机膜构成的保护膜的 芯片是将液状的树脂通过旋涂法涂敷在晶片背面、并干燥、固化后与晶片一起将保护膜切 断而得。但是，由于如此形成的保护膜的厚度精度并不充分，因此会有产品的成品率降低的 情况。 为了解决上述问题，公开了具有支承片和形成于该支承片上的由热或能量射线固 化性成分和粘合剂聚合物成分构成的保护膜形成层的芯片用保护膜形成用片材（专利文 献1)。 另外，以大直径的状态制造的半导体晶片在被切断分离（划片）为元件小片（半 导体芯片）后，有时也要转移到作为下一工序的键合工序。此时，在将半导体晶片以预先贴 附在粘接片上的状态下施加划片、清洗、干燥、延展（expanding)及拾取的各工序后，移送 到下一工序的键合工序。 这些工序当中，为了简化拾取工序及键合工序的工艺，提出过各种同时兼备晶片 固定功能和小片（die)粘接功能的划片/小片键合用粘接片（例如参照专利文献2)。专利 文献2中公开的粘接片可以实现所谓的直接小片键合，从而可以省略小片粘接用粘接剂的 涂敷工序。例如，通过使用所述粘接片，可以得到在背面贴附有粘接剂层的半导体芯片，可 以实现有机基板一芯片间、引线框一芯片间、芯片一芯片间等的直接小片键合。此种粘接片 通过使粘接剂层具有流动性而实现了晶片固定功能和小片粘接功能，具有支承片和形成于 该支承片上的由热或能量射线固化性成分和粘合剂聚合物成分构成的粘接剂层。 另外，在对使芯片的凸起（电极）形成面与芯片搭载部对置来进行小片键合的倒 装方式的芯片中使用粘接片的情况下，将粘接剂层贴附在凸起形成面、即芯片的表面，来进 行小片键合。 随着近年来的半导体装置的高密度化及半导体装置的制造工序的高速化，来自半 导体装置的发热逐渐成为问题。由于半导体装置的发热，会有半导体装置变形而成为造成 故障或破损的原因、或者导致半导体装置的运算速度的降低或误动作而降低半导体装置的 可靠性的情况。因此，在高性能的半导体装置中，要求有效的散热特性，研究了将热扩散率 良好的填充剂用于保护膜形成层或粘接剂层等树脂膜中的做法。例如，专利文献3中，公开 了对含有氮化硼粉末的薄膜组合物施加磁场并使组合物中的氮化硼粉末沿一定方向取向 而使之固化的热传导性粘接膜。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2002 - 280329号公报 专利文献2:日本特开2007 - 314603号公报 专利文献3:日本特开2002 - 69392号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题 但是，使用专利文献3中所述的薄膜组合物形成的热传导性粘接膜如上所述在制 造工序中具有施加磁场的工序，因而其制造工序繁杂。另外，如果使用专利文献3的实施例 中公开的平均粒径1?2 μ m的氮化硼粉末来形成树脂膜，就会因粒径小而有使树脂膜形成 层用组合物增稠的情况。当树脂膜形成层用组合物增稠时，树脂膜形成层用组合物的涂敷 适应性就会降低，会有难以形成平滑的树脂膜的情况。另一方面，在为了避免树脂膜形成层 用组合物的增稠而减少氮化硼粉末的添加量的情况下，无法获得树脂膜的高的热扩散率。 所以，希望能提供一种方案，其基于简单的制造方法，而且不增加氮化硼粉末的添加量就能 提高热扩散率。 本专利技术是鉴于上述的情况而完成的，其目的在于，在半导体装置的制造工序中，在 不对半导体晶片、芯片实施使工序数目增加、工艺繁杂化那样的特别处理的情况下，对所得 的半导体装置赋予散热特性。 用于解决问题的方案 本专利技术人等以解决上述问题为目的进行了深入研究，其结果是，着眼于如下的情 况而完成了本专利技术，即，通过将形成于半导体芯片的任一面的树脂膜的热扩散率设为规定 的范围，从而可以提高半导体装置的散热特性。 本专利技术包含以下的主旨。 〔1〕一种芯片用树脂膜形成用片材，其具有支承片和形成于该支承片上的树脂膜 形成层， 该树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分（A)、固化性成分（B)及无机填料（C)， 该树脂膜形成层的热扩散率为2X 10 - 6m2/s以上。 〔2〕根据〔1〕中所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，该树脂膜形成层含有30? 60质量％的无机填料（C)。 〔3〕根据〔1〕或〔2〕中所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，无机填料（C)含有 纵横比为5以上、平均粒径为20 μ m以下的各向异性形状粒子（C1)、和平均粒径大于20 μ m 的干扰粒子（C2)。 〔4〕根据〔3〕中所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，各向异性形状粒子（C1)的 长轴方向上的热导率为60?400W/m · K。 〔5〕根据〔3〕或〔4〕中所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，各向异性形状粒子 (C1)为氮化物粒子。 〔6〕根据〔3〕?〔5〕中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，干扰粒子 (C2)的平均粒径为树脂膜形成层的厚度的0. 6?0. 95倍。 〔7〕根据〔3〕?〔6〕中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，各向异性形 状粒子（C1)与干扰粒子（C2)的重量比率为5 :1?1 :5。 〔8〕根据〔1〕?〔7〕中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，该树脂膜形 成层的厚度为20?60 μ m。 〔9〕根据〔1〕?〔8〕中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，树脂膜形成 层作为用于将半导体芯片固定在基板或其他半导体芯片上的薄膜状粘接剂发挥作用。 〔10〕根据〔1〕?〔8〕中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，树脂膜形成 层为半导体晶片或芯片的保护膜。 〔 11〕一种半导体装置的制造方法，其使用上述〔1〕?〔10〕中任一项所述的芯片用 树脂膜形成用片材。 专利技术的效果 通过在半导体芯片的任一面形成树脂膜时，使用本专利技术的芯片用树脂膜形成用片 材，从而能在不对半导体晶片、芯片实施特别处理的情况下提高所得的半导体装置的可靠 性。 【具体实施方式】 以下，对于本专利技术，也包含其最佳的方式在内进行更具体的说明。本专利技术的芯片用 树脂膜形成用片材具有支承片和形成于该支承片上的树脂膜形成层。 (树脂膜形成层） 树脂膜形成层含有本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种芯片用树脂膜形成用片材，其具有支承片和形成于该支承片上的树脂膜形成层，该树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)及无机填料(C)，该树脂膜形成层的热扩散率为2×10－6m2/s以上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：吾妻祐一郎，市川功，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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