一种荷叶离褶伞菌丝体富硒胞内粗多糖的发酵工艺制造技术

技术编号:10659126 阅读:158 留言:0更新日期:2014-11-19 19:02
本发明专利技术公开了一种荷叶离褶伞菌丝体富硒胞内粗多糖的发酵工艺,采用价格较低的无机Na2SeO3作为硒源,以液体发酵培养的方式,在用马铃薯葡萄糖制备的液体培养基中加入Na2SeO3溶液,通过荷叶离褶伞菌丝体的富集转化为有机硒,降低了硒的毒性,提高菌丝体的利用价值;将Na2SeO3在液体培养基的发酵中期加入,有效地降低硒对延滞期荷叶离褶伞菌丝体的抑制和毒害作用,提高荷叶离褶伞菌丝体中富硒胞内多糖的积累量。通过单因素试验和Box-Behnken试验设计以及响应面分析法,对富硒荷叶离褶伞胞内粗多糖发酵条件进行优化,得出最佳发酵条件,得到胞内粗多糖与各发酵条件各因素变量的二次回归方程模型,该模型回归极显著,对试验拟合较好,有一定的应用价值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种荷叶离褶伞菌丝体富硒胞内粗多糖的发酵工艺,其特征在于:具体包括以下步骤:a)       菌种活化将荷叶离褶伞母种菌块接入新鲜的固体培养基上,置于22℃恒温培养箱中培养15d后,再转接一次,22℃培养15d,备用;b)      液体培养基制备将200g马铃薯洗净,去皮挖眼,切成2cm2的小块,加水煮沸20~30min,至马铃薯小块煮烂能被玻璃棒戳破即可,过300目筛得滤液,取其滤液800~900mL加入20g葡萄糖,使葡萄糖溶化后加水至1000mL定容,备用;c)       荷叶离褶伞菌丝体富硒胞内粗多糖的发酵生产取100mL步骤b制备的液体培养基置于115~121℃下灭菌15~30min,冷却后接入6片直径为6mm荷叶离褶伞活化菌种块,接种后放在20~25℃、121rpm下培养发酵,发酵期间加入同等条件下灭菌的Na2SeO3溶液,使硒在液体培养基中的浓度为0~10ug/mL,然后继续在20~25℃、121rpm下培养,每天测定荷叶离褶伞菌丝体富硒胞内粗多糖的含量。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:高慧娟魏生龙席亚丽梁倩倩刘志芳袁承玲赵丽
申请(专利权)人:甘肃祁连食用菌工程技术研究中心
类型:发明
国别省市:甘肃;62

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