一种阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术涉及一种阵列基板及显示面板，属于液晶显示领域，本发明专利技术提供的阵列基板包括交叉设置的第一引线和第二引线，第一引线和第二引线分别位于不同层，且二者之间设有绝缘层，绝缘层包括位于第一引线和第二引线交叠的区域的第一绝缘层和位于交叠区域外的第二绝缘层，第一绝缘层用于减小第一引线和第二引线在二者交叠区域的耦合电容。上述阵列基板的第一绝缘层可以减小第一引线和第二引线之间的耦合电容，使第一引线和第二引线之间的信号干扰减小，从而有助于提高显示画面的品质。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种阵列基板及显示面板，属于液晶显示领域，本专利技术提供的阵列基板包括交叉设置的第一引线和第二引线，第一引线和第二引线分别位于不同层，且二者之间设有绝缘层，绝缘层包括位于第一引线和第二引线交叠的区域的第一绝缘层和位于交叠区域外的第二绝缘层，第一绝缘层用于减小第一引线和第二引线在二者交叠区域的耦合电容。上述阵列基板的第一绝缘层可以减小第一引线和第二引线之间的耦合电容，使第一引线和第二引线之间的信号干扰减小，从而有助于提高显示画面的品质。【专利说明】一种阵列基板及显示面板
本专利技术涉及液晶显示
，具体地，涉及一种阵列基板及显 示面板。
技术介绍
在薄膜晶体管液晶显不器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，以 下简称为TFT-LCD)中，阵列基板上设有多行栅极线和多列数据线。多行栅极线和多列数据 线分别沿阵列基板的横向和纵向依次设置。在相邻的两行栅极线和相邻的两列数据线之间 的区域形成有像素电极和薄膜晶体管；其中，薄膜晶体管的栅极与栅极线连接，源极与数据 线连接，漏极与像素电极连接。此外，在阵列基板上还设有公共电极线，用于向公共电极输 出电压信号（Vcom信号）；具体地，公共电极线一般与栅极线平行设置。 在上述阵列基板中，在公共电极线与数据线，以及栅极线与数据线的交叠区域，会 产生稱合电容；以公共电极线为例，该稱合电容会将Vcom信号拉偏，从而使Vcom信号不 稳定且不均匀，导致公共电极上的电压不稳定，使TFT-LCD会出现闪烁、残像等不良，影响 TFT-IXD的画面显示效果。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阵列基板及显 示面板，其可以减小交叉设置的第一引线和第二引线在其二者的交叠区域处产生的耦合电 容，从而减小第一引线和第二引线之间的信号干扰，有助于提高显示画面的品质。 为实现本专利技术的目的而提供一种阵列基板，包括交叉设置的第一引线和第二引 线，所述第一引线和第二引线分别位于不同层，且二者之间设有绝缘层，所述绝缘层包括位 于所述第一引线和第二引线交叠的区域的第一绝缘层和位于上述交叠区域外的第二绝缘 层，所述第一绝缘层用于减小所述第一引线和第二引线在二者交叠区域的耦合电容。 其中，所述第一绝缘层包括第一介质层，所述第一介质层的介电常数小于所述第 二绝缘层的介电常数。 其中，所述第一介质层的厚度等于或大于所述第二绝缘层的厚度。 其中，所述第一绝缘层还包括第二介质层，所述第二介质层的材料与所述第二绝 缘层的材料相同。 其中，所述第一介质层和第二介质层的厚度之和等于或大于所述第二绝缘层的厚 度。 其中，所述第二介质层的厚度等于或大于所述第二绝缘层的厚度。 其中，所述第二绝缘层的材料为SiNxl。 其中，所述第一介质层的材料为Si02 ;或者，所述第一介质层的材料为SiNx2，且x2 > xl〇 其中，所述第一绝缘层的材料和第二绝缘层的材料相同，且所述第一绝缘层的厚 度大于所述第二绝缘层的厚度。 其中，所述第一引线为数据线，所述第二引线为公共电极线和/或栅极线。 作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板 采用本专利技术提供的上述阵列基板。 本专利技术具有以下有益效果： 本专利技术提供的阵列基板，与现有技术相比，其第一绝缘层可以减小第一引线和第 二引线在二者交叠区域的耦合电容，从而减小第一引线和第二引线之间的信号干扰，进而 有助于提商显不画面的品质。 本专利技术提供的显示面板，其采用本专利技术提供的上述阵列基板，可以减小第一引线 和第二引线之间的耦合电容，从而减小二者之间的信号干扰，进而有助于提高显示面板显 示画面的品质。 【专利附图】【附图说明】 附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具 体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中： 图1为本专利技术第一实施例提供的阵列基板的示意图； 图2为图1所示阵列基板的绝缘层的示意图； 图3为图1所不阵列基板的另一种绝缘层的不意图； 图4为本专利技术第二实施例提供的阵列基板的示意图； 图5为第一介质层和第二介质层的厚度之和大于第二绝缘层的示意图； 图6为第二介质层的厚度等于第二绝缘层的厚度的示意图； 图7为本专利技术第三实施例提供的阵列基板的示意图； 图8为本专利技术第三实施例中制备绝缘层的示意图； 图9为本专利技术第四实施例提供的阵列基板的示意图。 附图标记说明 10 :阵列基板；11 :第一引线；12 :第二引线；13 :绝缘层；14 :第一绝缘层；15 :第 二绝缘层；16 :半色调掩模板；17 :半透膜；18 :玻璃基板；140 :第一介质层；141 :第二介质 层。 【具体实施方式】 以下结合附图对本专利技术的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描 述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。 请参看图1和图2,图1为本专利技术第一实施例提供的阵列基板的不意图；图2为图 1所示阵列基板的绝缘层的示意图。阵列基板10包括玻璃基板18,以及在玻璃基板18上 交叉设置的第一引线11和第二引线12,第一引线11和第二引线12分别位于不同层，且二 者之间设有绝缘层13,绝缘层13包括位于第一引线11和第二引线12交叠的区域的第一绝 缘层14和位于上述交叠区域外的第二绝缘层15,第一绝缘层14用于减小第一引线11和 第二引线12在二者交叠区域的耦合电容。具体地，在本实施例中，第一引线11可以为数据 线，第二引线12可以为公共电极线或栅极线。 具体地，第一绝缘层14包括第一介质层140,第一介质层140的介电常数小于第二 绝缘层15的介电常数；并且，如图2所示，第一介质层140的厚度与第二绝缘层15的厚度 相等。在本实施例中，优选地，第二绝缘层的材料为SiN xl，第一介质层140的材料为Si02。 由于第一介质层140的材料和第二绝缘层15的材料为介电常数不同的材料，因 此，在制备阵列基板10的构图工艺中，采用两次光刻（Mask)工艺来分别制备出第一介质层 140和第二绝缘层15。并且，本实施例不对上述两次Mask工艺的顺序作任何限制。 在上述阵列基板10中，第一介质层140的介电常数小于第二绝缘层15的介电常 数，与现有技术相比，可以减小第一引线11和第二引线12在二者的交叠区域的耦合电容， 从而减小第一引线11和第二引线12之间的信号干扰，有助于提高显示画面的品质。具体 地，以第一引线11为数据线，第二引线12为公共电极线为例，在二者之间的耦合电容降低 时，可以提高Vcom信号的稳定性和均匀性，从而保证公共电极上电压的稳定性，进而可以 提商显不画面的品质。 在本实施例中，第一介质层140的厚度等于第二绝缘层15的厚度，这样可以使绝 缘层13在第一引线11和第二引线12的交叠区域具有平坦的表面，有助于进行构图工艺； 但需要说明的是，在实际应用中，本专利技术并不限于此，在实际应用中，如图3所示，第一介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括交叉设置的第一引线和第二引线，所述第一引线和第二引线分别位于不同层，且二者之间设有绝缘层，其特征在于，所述绝缘层包括位于所述第一引线和第二引线交叠的区域的第一绝缘层和位于上述交叠区域外的第二绝缘层，所述第一绝缘层用于减小所述第一引线和第二引线在二者交叠区域的耦合电容。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马禹，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11