一种适应性耦合等离子刻蚀机制造技术

本实用新型专利技术提供一种适应性耦合等离子刻蚀机，其至少包括：具有反应空间并在反应空间中产生等离子体的反应腔、设置于所述反应腔中且用于支撑所述晶圆的下电极、设置于所述反应腔上部中心区域的衬套、以及从所述衬套螺旋地延伸形成的凸面线圈组件；所述衬套与一射频电源相连接；所述下电极与至少一个射频偏压源相连接；所述衬套和下电极均由同步脉冲控制。本实用新型专利技术提供的适应性耦合等离子刻蚀机中的衬套和下电极均由同步脉冲控制，实现同时开关的功能，可以降低反应腔内的电子温度；并且凸面的线圈组件可以调节反应腔中的电子温度，使电子温度更加均匀。另外，与下电极连接射频电源可以不止一个，当连接高频射频时，可以进行硅刻蚀；当连接中频或低频射频时，可以进行电介质刻蚀。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体设备领域，特别是涉及一种适应性耦合等离子刻蚀机。
技术介绍
一般而言，刻蚀过程，尤其是干法刻蚀过程，是使用等离子来根据半导体晶片上的光阻剂层图样或硬掩模光罩图样去除低层的预先确定部分的过程，为了使得该干法刻蚀能够进行，需要在反应腔内生成等离子。用于生成等离子的源能够分为感应耦合等离子源（Inductively Coupled Plasma，ICP）和电容耦合等离子源（Capacitively Coupled Plasma，CCP）。图1是常规的电容耦合等离子源的剖面示意图。如图1所示，所述电容耦合等离子源包括下电极120和上电极100，下电极120位于反应腔100中的下部，上电极110位于所述反应腔100上部且面对下电极120。上电极110和下电极120都是平板状的，利用由所述两电极所形成的电容的特性在反应腔内生成等离子。在使用这种CCP源时，尽管有高的过程再现性和高的光阻剂层刻蚀选择比的优点，但是同时具有等离子密度低从而导致高能耗的缺点。图2是常规的感应耦合等离子源的示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适应性耦合等离子刻蚀机，用于刻蚀晶圆，其特征在于，所述适应性耦合等离子刻蚀机包括： 具有反应空间并在反应空间中产生等离子体的反应腔、设置于所述反应腔中且用于支撑所述晶圆的下电极、设置于所述反应腔上部中心区域的衬套、以及从所述衬套螺旋地延伸形成的凸面线圈组件； 所述衬套与一射频电源相连接；所述下电极与一个或一个以上的射频偏压源相连接；所述衬套和下电极均由同步脉冲控制。

【技术特征摘要】
1.一种适应性耦合等离子刻蚀机，用于刻蚀晶圆，其特征在于，所述适应性耦合等离子刻蚀机包括： 
具有反应空间并在反应空间中产生等离子体的反应腔、设置于所述反应腔中且用于支撑所述晶圆的下电极、设置于所述反应腔上部中心区域的衬套、以及从所述衬套螺旋地延伸形成的凸面线圈组件； 
所述衬套与一射频电源相连接；所述下电极与一个或一个以上的射频偏压源相连接；所述衬套和下电极均由同步脉冲控制。 
2.根据权利要求1所述的适应性耦合等离子刻蚀机，其特征在于：所述衬套为可旋转型衬套，其旋转轴与反应腔的上壁垂直。 
3.根据权利要求1所述的适应性耦合等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，张城龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11