疏水嵌段共聚物/SiO2砂岩保护杂化材料的制备与应用制造技术

疏水嵌段共聚物/SiO2砂岩保护杂化材料的制备与应用，将0.01g嵌段共聚物聚苯乙烯-b-聚乙烯基吡啶溶解在1mL四氢呋喃中，再在PS-b-P4VP的四氢呋喃溶液中滴加0.1mol/L的草酸水溶液至70μL；滴加完毕之后，将溶液加热到50℃，磁力搅拌10h；最后一次性加入正硅酸乙酯TEOS，再继续搅拌24h，即得到PS-b-P4VP/SiO2杂化纳米粒子；在成膜过程中，PS-b-P4VP/SiO2杂化纳米粒子通过自聚集和自组装形成微纳结构，从而表现出超疏水自清洁性质；采用甲苯溶剂退火法将PS-b-P4VP/SiO2杂化粒子应用于砂岩古建筑类文物表面，有利于P4VP-b-PS/SiO2杂化纳米粒子从砂岩文物表面向内部自动渗透和吸收，同时有利于P4VP-b-PS/SiO2杂化纳米粒子在砂岩表面重构形成超疏水自清洁保护层；该发明专利技术具有制备方法简单可控，保护工艺操作方便、效果明显的特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
疏水嵌段共聚物/SiO2砂岩保护杂化材料的制备，其特征在于，包括以下步骤： 一、先将嵌段共聚物聚苯乙烯‑b‑聚乙烯基吡啶(PS‑b‑P4VP)0.01g溶解在1mL的四氢呋喃中； 二、再在PS‑b‑P4VP的四氢呋喃溶液中以10μL/min的速度逐滴加入0.1mol/L的草酸水溶液至70μL； 三、滴加完毕之后，将溶液加热到50℃，磁力搅拌10h； 四、最后一次性加入正硅酸乙酯TEOS，其中V(TEOS)/V(P4VP‑b‑PS)＝18.7～26.6，再继续搅拌24h，即得到制备超疏水薄膜材料的PS‑b‑P4VP/SiO2杂化纳米粒子悬浮液。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁军艳，和玲，王丽，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61