半导体设备及其制造方法技术

一种半导体设备，包括：第一电极；第二电极；由多孔绝缘材料制成并且形成在第一电极和第二电极之上的层间绝缘膜；以及分别电连接到第一电极和第二电极的连接部，其中在层间绝缘膜与第一电极的表面、第二电极的表面以及连接部的部分表面之间形成空腔。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种半导体设备，包括：第一电极；第二电极；由多孔绝缘材料制成并且形成在第一电极和第二电极之上的层间绝缘膜；以及分别电连接到第一电极和第二电极的连接部，其中在层间绝缘膜与第一电极的表面、第二电极的表面以及连接部的部分表面之间形成空腔。【专利说明】 相关申请的交叉引用 该申请基于2013年4月16日提交的在先日本专利申请No. 2013-086099的优先 权并主张其权利，在此引入其全部内容作为参考以用于所有目的。
本文中所讨论的实施例涉及。
技术介绍
化合物半导体设备，特别是氮化物半导体设备，通过利用其特性(例如高饱和电子 速度和宽带隙)而被积极地开发为高耐压和高功率半导体设备。已经关于场效应晶体管(特 别是作为氮化物半导体设备的HEMT (高电子迁移率晶体管)）而作了许多报告。特别地，使 用GaN作为电子传输层并且使用AlGaN作为电子供给层的AlGaN/GaN HEMT已经受到关注。 在AlGaN/GaN HEMT中，AlGaN中发生由于GaN与AlGaN之间的晶格常数上的差异而引起 的畸变。因为由畸变引起的压电极化以及AlGaN的自发极化，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体设备，包括：第一电极；第二电极；形成在所述第一电极和所述第二电极之上的层间绝缘膜；以及分别电连接到所述第一电极和所述第二电极的连接部，其中，在所述层间绝缘膜与所述第一电极的表面、所述第二电极的表面以及所述连接部的部分表面之间形成空腔。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：尾崎史朗，冈本直哉，牧山刚三，多木俊裕，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP