氮化物半导体器件制造技术

氮化物半导体器件包括：衬底(10)；氮化物半导体叠层体(20)；和由TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12)。氮化物半导体叠层体(20)具有：形成在上述衬底(10)上的第一氮化物半导体层(1)；和与第一氮化物半导体层(1)形成异质界面的第二氮化物半导体层(2)。该氮化物半导体器件，在从上述欧姆电极(11、12)至上述氮化物半导体叠层体(20)的深度方向的氧浓度分布中，在比上述欧姆电极(11、12)与上述氮化物半导体叠层体(20)的界面更靠上述衬底(10)侧的区域的上述界面附近的位置，具有第一氧浓度峰，在比上述第一氧浓度峰深的位置具有氧浓度为3×1017cm-3以上并且1.2×1018cm-3以下的第二氧浓度峰。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物半导体器件
本专利技术涉及氮化物半导体器件。
技术介绍
以往，作为氮化物半导体器件，有对n型GaN接触层的表面进行氧等离子体处理形成氧掺杂层后，在该n型GaN接触层上形成欧姆电极，由此使n型GaN接触层与欧姆电极的接触电阻降低的氮化物半导体器件(参照日本特许第2967743号公报(专利文献1))。然而，对于上述氮化物半导体器件，本专利技术人实际进行实验，在对GaN层进行氧等离子体处理后形成有欧姆电极的情况下，欧姆电极的接触电阻高，无论怎么做也未能得到充分低的接触电阻。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许第2967743号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题因此，本专利技术要解决的技术问题在于，提供能够使氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻降低的氮化物半导体器件。用于解决技术问题的手段本专利技术人对在氮化物半导体层上形成的欧姆电极的接触电阻进行了专心致志的研究，结果发现，当在由TiAl类材料构成的欧姆电极与氮化物半导体层的界面的衬底侧的区域产生了在上述界面附近产生的第一氧浓度峰和位于比第一氧浓度峰深的位置的第二氧浓度峰的情况下，氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻的特性根据上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底(10)；形成在所述衬底(10)上并且具有异质界面的氮化物半导体叠层体(20、120)；和至少一部分形成在所述氮化物半导体叠层体(20、120)上或所述氮化物半导体叠层体(20、120)内的由TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12、111、112)，所述氮化物半导体叠层体(20、120)具有：形成在所述衬底(10)上的第一氮化物半导体层(1、101)；和形成在所述第一氮化物半导体层(1、101)上并且与所述第一氮化物半导体层(1、101)形成异质界面的第二氮化物半导体层(2、102)，在从由所述TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12、111、11...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.15 JP 2012-0306901.一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底(10)；形成在所述衬底(10)上并且具有异质界面的氮化物半导体叠层体(20、120)；和至少一部分形成在所述氮化物半导体叠层体(20、120)上或所述氮化物半导体叠层体(20、120)内的由TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12、111、112)，所述氮化物半导体叠层体(20、120)具有：形成在所述衬底(10)上的第一氮化物半导体层(1、101)；和形成在所述第一氮化物半导体层(1、101)上并且与所述第一氮化物半导体层(1、101)形成异质界面的第二氮化物半导体层(2、102)，在从由所述TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12、111、112)至所述氮化...

【专利技术属性】
技术研发人员：森下敏，藤田耕一郎，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP