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氮化物半导体器件制造技术
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文档序号:10568006
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氮化物半导体器件包括:衬底(10);氮化物半导体叠层体(20);和由TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12)。氮化物半导体叠层体(20)具有:形成在上述衬底(10)上的第一氮化物半导体层(1);和与第一氮化物半导体层(1)形成异质界面的第...
该专利属于夏普株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过夏普株式会社授权不得商用。
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