一种具有镂空孔的F型3dB电桥制造技术

本实用新型专利技术公开一种具有镂空孔的F型3dB电桥，包括有重叠设置在一起的、中间设有绝缘垫片的第一电桥以及第二电桥；所述第一电桥包括有第一耦合段、第二耦合段以及连接第一耦合段和第二耦合段的第一连接段；所述第二电桥包括有第三耦合段、第四耦合段以及连接第三耦合段和第四耦合段的第二连接段；通过如此形状设计，在计算机软件的仿真下，测算出，本实用新型专利技术的阻抗系数较小，耦合性高，耦合率达95%以上；其隔离度大于10db，干扰性低，有效满足了4G网络的要求。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一种具有镂空孔的F型3dB电桥，包括有重叠设置在一起的、中间设有绝缘垫片的第一电桥以及第二电桥；所述第一电桥包括有第一耦合段、第二耦合段以及连接第一耦合段和第二耦合段的第一连接段；所述第二电桥包括有第三耦合段、第四耦合段以及连接第三耦合段和第四耦合段的第二连接段；通过如此形状设计，在计算机软件的仿真下，测算出，本技术的阻抗系数较小，耦合性高，耦合率达95%以上；其隔离度大于10db，干扰性低，有效满足了4G网络的要求。【专利说明】-种具有镂空孔的F型3dB电桥
本技术涉及3dB电桥领域，具体涉及一种具有镂空孔的F型3dB电桥。
技术介绍
3dB电桥也叫同频合路器，一般指同频合路器中的耦合电桥部分，其作用是将两个 同频率的信号耦合，其广泛应用在通信
，而3dB电桥最主要的性能包括干扰性、耦 合度、隔离度等等性能，随着4G网络时代的到来，其对通信产品要求越来越高，尤其是3dB 电桥，其对耦合度等要求较高，因此市场需要一种能有较高耦合度、较低干扰性的3dB电 桥。
技术实现思路
本技术的目的在于克服以上所述的缺点，提供一种高性能的具有镂空孔的F 型3dB电桥。 为实现上述目的，本技术的具体方案如下：具有镂空孔的F型3dB电桥，包 括有重叠设置在一起的、中间设有绝缘垫片的第一电桥以及第二电桥；所述第一电桥包括 有第一耦合段、第二耦合段以及连接第一耦合段和第二耦合段的第一连接段；所述第一电 桥还包括有设于第一耦合段的自由端的第一输入端以及设于第二耦合段自由端的第一输 出端；所述第二电桥包括有第三耦合段、第四耦合段以及连接第三耦合段和第四耦合段的 第二连接段；所述第二电桥还包括有设于第三耦合段的自由端的第二输入端以及设于第四 耦合段自由端的第二输出端；所述第一耦合段设有第一连接段的一侧斜向下延伸有复数个 第一耦合翼；所述第三耦合段设有第二连接段的一侧斜向下延伸有复数个第三耦合翼；所 述第一耦合翼以及第三耦合翼的自由端均设有一个三角形的阻扰缺口；所述第一耦合段与 第二耦合段均设有复数个三角形的第一镂空孔，所述第三耦合段与第四耦合段均设有复数 个三角形的第二镂空孔。 其中，所述第二耦合段设有第一连接段的一侧斜向上延伸有复数个第二耦合翼； 所述第四耦合段设有第二连接段的一侧斜向上延伸有复数个第四耦合翼。 其中，所述第一耦合翼与第三耦合翼与水平方向的夹角均为30°。 其中，所述第二耦合翼与第四耦合翼与水平方向的夹角均为30°。 其中，所述第一耦合翼与第三耦合翼的数量为4个。 其中，所述第二耦合翼与第四耦合翼的数量为4个。 其中，所述第二耦合翼以及第四耦合翼的自由端均设有一个三角形的阻扰缺口。 本技术的有益效果为：具有镂空孔的F型3dB电桥，包括有重叠设置在一起 的、中间设有绝缘垫片的第一电桥以及第二电桥；所述第一电桥包括有第一耦合段、第二耦 合段以及连接第一耦合段和第二耦合段的第一连接段；所述第二电桥包括有第三耦合段、 第四耦合段以及连接第三耦合段和第四耦合段的第二连接段；通过如此形状设计，在计算 机软件的仿真下，测算出，本技术的阻抗系数较小，耦合性高，耦合率达95%以上；其隔 离度大于l〇db，干扰性低，有效满足了 4G网络的要求。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术的第一电桥的示意图； 图2是本技术的第二电桥的示意图； 图3是图2的局部放大图； 图4是本技术的示意图； 图5是本技术的第一电桥的示意图； 图6是本技术在计算机仿真软件下的耦合性测试图； 图1至图6中的附图标记说明： 1-第一电桥；11-第一输入端；12-第一输出端；13-第一f禹合段；13a-第一f禹合 翼；14-第二耦合段；14a-第二耦合翼；15-第一连接段；16-第一隔离段；17-第一镂空孔； 2-第二电桥；21-第二输入端；22-第二输出端；23-第三耦合段；23a-第三耦合 翼；24-第四耦合段；24a-第四耦合翼；25-第二连接段；26-第二隔离段；27-第二镂空孔； 3-阻扰缺口。 【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步详细的说明，并不是把本实用 新型的实施范围局限于此。 如图1、图2、图3、图4、图5以及图6所示，本实施例所述的具有镂空孔的F型3dB 电桥，包括有重叠设置在一起的、中间设有绝缘垫片的第一电桥1以及第二电桥2 ;所述第 一电桥1包括有第一稱合段13、第二稱合段14以及连接第一稱合段13和第二稱合段14的 第一连接段15 ;所述第一电桥1还包括有设于第一耦合段13的自由端的第一输入端11以 及设于第二耦合段14自由端的第一输出端12 ;所述第二电桥2包括有第三耦合段23、第四 耦合段24以及连接第三耦合段23和第四耦合段24的第二连接段25 ;所述第二电桥2还 包括有设于第三耦合段23的自由端的第二输入端21以及设于第四耦合段24自由端的第 二输出端22 ;所述第一电桥1与第二电桥2之间设有绝缘垫片，它们之间也可以设有绝缘 支柱，绝缘支柱或绝缘垫片均需要将第一电桥1以及第二电桥2绝缘隔开；信号从第一输入 端11以及第二输入端21输入，第一连接段15与第二连接段25将信号耦合；通过计算机软 件仿真，其耦合度高达到95%以上，其隔离度较大、阻抗小、驻波小；如图6,其通过仿真软件 测算出的耦合频率可以达2950KHZ，其耦合线非常光滑，大大的满足了目前主流4G的LTE技 术标准的要求，其实用性大大的增加，另外其结构简单，不易损坏，使用寿命长，通过如此形 状设计，在计算机软件的仿真下，测算出，本技术的阻抗系数较小，耦合性高，耦合率达 95%以上，其隔离度大于10db，干扰性低，有效满足了 4G网络的要求。 本实施例所述的具有镂空孔的F型3dB电桥，所述第一耦合段13设有第一连接 段15的一侧斜向下延伸有复数个第一耦合翼13a ;所述第三耦合段23设有第二连接段25 的一侧斜向下延伸有复数个第三耦合翼23a ;第一电桥1与第二电桥2重叠时，第一耦合翼 13a与第三耦合翼23a也重叠，如图3,呈现交叉状态，通过第一耦合翼13a与第三耦合翼 23a之间耦合，在计算机软件仿真下，能得出进一步增强了本技术的耦合系数；所述第 一耦合翼13a以及第三耦合翼23a的自由端均设有一个三角形的阻扰缺口 3 ;通过仿真，其 进一步减少了整体耦合器的驻波阻抗。 本实施例所述的具有镂空孔的F型3dB电桥，所述第二耦合段14设有第一连接段 15的一侧斜向上延伸有复数个第二耦合翼14a ;所述第四耦合段24设有第二连接段25的 一侧斜向上延伸有复数个第四耦合翼24a ;如图3,呈现交叉状态，通过第二耦合翼14a与第 四耦合翼24a之间耦合，在计算机软件仿真下，能得出进一步增强了本技术的耦合系 数；所述第二耦合翼14a以及第四耦合翼24a的自由端均设有一个三角形阻扰缺口 3 ;通过 仿真，其进一步减少了整体耦合器的驻波阻抗。 本实施例所述的具有镂空孔的F型3dB电桥，所述第一耦合翼13a与第三耦合翼 2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有镂空孔的F型3dB电桥，其特征在于：包括有重叠设置在一起的、中间设有绝缘垫片的第一电桥（1）以及第二电桥（2）；所述第一电桥（1）包括有第一耦合段（13）、第二耦合段（14）以及连接第一耦合段（13）和第二耦合段（14）的第一连接段（15）；所述第一电桥（1）还包括有设于第一耦合段（13）的自由端的第一输入端（11）以及设于第二耦合段（14）自由端的第一输出端（12）；所述第二电桥（2）包括有第三耦合段（23）、第四耦合段（24）以及连接第三耦合段（23）和第四耦合段（24）的第二连接段（25）；所述第二电桥（2）还包括有设于第三耦合段（23）的自由端的第二输入端（21）以及设于第四耦合段（24）自由端的第二输出端（22）；所述第一耦合段（13）设有第一连接段（15）的一侧斜向下延伸有复数个第一耦合翼（13a）；所述第三耦合段（23）设有第二连接段（25）的一侧斜向下延伸有复数个第三耦合翼（23a）；所述第一耦合翼（13a）以及第三耦合翼（23a）的自由端均设有一个三角形的阻扰缺口（3）；所述第一耦合段（13）与第二耦合段（14）均设有复数个三角形的第一镂空孔（17），所述第三耦合段（23）与第四耦合段（24）均设有复数个三角形的第二镂空孔（27）。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊伟，
申请(专利权)人：吴俊伟，
类型：新型
国别省市：浙江;33