基于忆阻器的带通滤波电路制造技术

基于忆阻器的带通滤波电路，所述一阶广义忆阻器的二极管文氏电桥电路其特征在于：该电路由二极管1N4148、电容和电阻组成，二极管1N4148实现文氏电桥功能，电容和电阻组成RC震荡电路。本新型提出了以一阶广义忆阻器的二极管文氏电桥电路为基础，实现模拟电路中的滤波电路，比如一阶低通滤波器、二阶低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和全通滤波器，为研究有二极管文氏电桥组成的一阶广义忆阻器提供了一种简便的方法和电路。

Bandpass filter circuit based on memristor

The band-pass filter circuit based on memristor is the generalized memristor diode circuit features: the Wien bridge circuit composed of a diode 1N4148 and a capacitor and a resistor, a diode 1N4148 Wien bridge function, a capacitor and a resistor RC oscillating circuit. The utility model is put forward based on the generalized Wien bridge circuit of diode memristor based filtering circuit in analog circuits, such as a low-pass filter, two order low-pass filter, high pass filter, bandpass and allpass filters, in order to study the diode's bridge consisting of a generalized memristor provides a simple and convenient method and circuit.

【技术实现步骤摘要】
基于忆阻器的带通滤波电路
本专利技术涉及模拟电路中的基本电路，特别是基于忆阻器的带通滤波电路。
技术介绍
忆阻器是一种非线性电路元件，自一阶广义忆阻器的物理可实现性报道以来，基于改忆阻器的各种应用电路，特别是忆阻混沌电路得到了较为广泛的研究，利用简单的基本电路元件进行有机连接，很容易构建出各种基于忆阻器，忆阻器被用于混沌学的研究已经产生了比较深远的影响，但是将忆阻器单独的运用到模拟电路中，实现信号处理中的滤波功能在国内外还比较少，为此，本专利技术提出了以一阶广义忆阻器的二极管文氏电桥电路为基础，实现模拟电路中的滤波电路，比如一阶低通滤波器、二阶低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和全通滤波器，为研究有二极管文氏电桥组成的一阶广义忆阻器提供了一种简便的方法和电路。
技术实现思路
1.基于忆阻器的带通滤波电路，其特征在于：所述一阶广义忆阻器的由二极管1N4148文氏电桥电路和电容及电阻组成，其特征在于：该电路由二极管(1N4148)、电容和电阻组成，二极管(1N4148)实现文氏电桥功能，电容和电阻组成RC振震荡电路；所述二极管D1的正极接二极管D4的正极，接忆阻器的输入端，所述二极管D1的负极接电容C0的一端，接二极管D2的负极，所述二极管D2的正极接二极管D3的负极，接忆阻器的输出端，所述二极管D2的负极接电容的一端，所述二极管D3的负极接二极管D2的正极，接忆阻器的输出端，所述二极管D3的正极接二极管D4的正极，接电容C0的另一端，接地，所述二极管D4的正极接二极管D3的正极，接电容C0的另一端，接地，所述二极管D4的负极接二极管D1的正极，接忆阻器的输入端，所述电容C0的一端接电阻R0的一端，所述电容C0的另一端接电阻R0的另一端，接地；根据二极管文氏电桥的电路得出以下关系式：设定广义忆阻器两端输入电压和电流分别为Vm和Im，电容C0两端电压为V0，其数学模型为：其中，ρ＝1/(2nVT)；Is，n和VT分别表示二极管反向饱和电流、发射系数和热电压，由此，可以推导出广义忆阻器的忆导表达式为2、根据权利要求1所述基于忆阻器的带低通滤波电路基于忆阻器的滤波电路，基于忆阻器的一阶低通滤波器其特征在于：该电路由由电阻、电容、忆阻器和运算放大器LF347BN(U4)组成；所述运算放大器LF347BN(U4)的负输入端通过电阻Ri4接地，通过忆阻器Rm4接运算放大器LF347BN(U4)的输出端，运算放大器LF347BN(U4)的正输入端通过电容C5和电阻R6接带通滤波器的输入端，通过电阻R7接地，通过电容C5和电容C6接地，通过电容C5和电阻R8接运算放大器LF347BN(U4)的输出端，运算放大器LF347BN(U4)的正电源端接VCC，负电源端接VEE，根据带通滤波器的电路结构得出以下关系式：设带通滤波器的传递函数为Au(s)，二阶低通滤波器的输入电压为Ui4，输出电压为Uo4，运算放大器U4的正输入端电压为Up根据运算电路“虚短”，“虚断”和拉普拉斯变换原则得出：当C5＝C6＝C，R6＝R，R7＝2R时令电阻，电容，忆阻器和运算放大器(LF347BN)组成，所述运算放大器(LF347BN)(U1)的负输入端通过电阻Ri1接地，通过忆阻器Rm1接运算放大器(LF347BN()U1)的输出端，运算放大器(LF347BN)(U1)的正输入端通过电阻R1接低通滤波器的输入，通过电容C1接地，运算放大器(LF347BN()U1)的正电源端接VCC，运算放大器(LF347BN()U1)的负电源端接VEE；根据一阶低通滤波器电路得出以下关系式：设一阶低通滤波器的传递函数为Au(s)，输入电压为Ui1，输出电压为Uo1，运算放大器正输入端的电压为Up，根据“虚短”，“虚断”和拉普拉斯变换原则得出：令s＝jω，有益效果：本专利技术提出了以一阶广义忆阻器的二极管文氏电桥电路为基础，实现模拟电路中的滤波电路，比如一阶低通滤波器、二阶低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和全通滤波器，为研究有二极管文氏电桥组成的一阶广义忆阻器提供了一种简便的方法和电路。附图说明图1为实现基于忆阻器的带通滤波电路。图2为实现一阶广义忆阻器的二极管文氏电桥电路。具体实施方式下面结合附图和优选实施例对本专利技术作更进一步的详细描述，参见图1-图2。1.基于忆阻器的带通滤波电路，其特征在于：所述一阶广义忆阻器的由二极管1N4148文氏电桥电路和电容及电阻组成，其特征在于：该电路由二极管(1N4148)、电容和电阻组成，二极管(1N4148)实现文氏电桥功能，电容和电阻组成RC振震荡电路；所述二极管D1的正极接二极管D4的正极，接忆阻器的输入端，所述二极管D1的负极接电容C0的一端，接二极管D2的负极，所述二极管D2的正极接二极管D3的负极，接忆阻器的输出端，所述二极管D2的负极接电容的一端，所述二极管D3的负极接二极管D2的正极，接忆阻器的输出端，所述二极管D3的正极接二极管D4的正极，接电容C0的另一端，接地，所述二极管D4的正极接二极管D3的正极，接电容C0的另一端，接地，所述二极管D4的负极接二极管D1的正极，接忆阻器的输入端，所述电容C0的一端接电阻R0的一端，所述电容C0的另一端接电阻R0的另一端，接地；根据二极管文氏电桥的电路得出以下关系式：设定广义忆阻器两端输入电压和电流分别为Vm和Im，电容C0两端电压为V0，其数学模型为：其中，ρ＝1/(2nVT)；Is，n和VT分别表示二极管反向饱和电流、发射系数和热电压，由此，可以推导出广义忆阻器的忆导表达式为2、根据权利要求1所述基于忆阻器的带低通滤波电路基于忆阻器的滤波电路，基于忆阻器的一阶低通滤波器其特征在于：该电路由由电阻、电容、忆阻器和运算放大器LF347BN(U4)组成；所述运算放大器LF347BN(U4)的负输入端通过电阻Ri4接地，通过忆阻器Rm4接运算放大器LF347BN(U4)的输出端，运算放大器LF347BN(U4)的正输入端通过电容C5和电阻R6接带通滤波器的输入端，通过电阻R7接地，通过电容C5和电容C6接地，通过电容C5和电阻R8接运算放大器LF347BN(U4)的输出端，运算放大器LF347BN(U4)的正电源端接VCC，负电源端接VEE，根据带通滤波器的电路结构得出以下关系式：设带通滤波器的传递函数为Au(s)，二阶低通滤波器的输入电压为Ui4，输出电压为Uo4，运算放大器U4的正输入端电压为Up根据运算电路“虚短”，“虚断”和拉普拉斯变换原则得出：当C5＝C6＝C，R6＝R，R7＝2R时令电阻，电容，忆阻器和运算放大器(LF347BN)组成，所述运算放大器(LF347BN)(U1)的负输入端通过电阻Ri1接地，通过忆阻器Rm1接运算放大器(LF347BN()U1)的输出端，运算放大器(LF347BN)(U1)的正输入端通过电阻R1接低通滤波器的输入，通过电容C1接地，运算放大器(LF347BN()U1)的正电源端接VCC，运算放大器(LF347BN()U1)的负电源端接VEE；根据一阶低通滤波器电路得出以下关系式：设一阶低通滤波器的传递函数为Au(s)，输入电压为Ui1，输出电压为Uo1，运算放大器正输入端的电压为Up，根据“虚短”，“虚断”和拉普拉斯变换原则得出：令s＝本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于忆阻器的带滤波电路，其特征在于：所述忆阻器由二极管1N4148文氏电桥电路和电容及电阻组成，二极管1N4148实现文氏电桥功能，电容和电阻组成RC振荡电路；二极管D1的正极接二极管D4的正极，接忆阻器的输入端，所述二极管D1的负极接电容C0的一端，接二极管D2的负极，所述二极管D2的正极接二极管D3的负极，接忆阻器的输出端，所述二极管D2的负极接电容的一端，所述二极管D3的负极接二极管D2的正极，接忆阻器的输出端，所述二极管D3的正极接二极管D4的正极，接电容C0的另一端，接地，所述二极管D4的正极接二极管D3的正极，接电容C0的另一端，接地，所述二极管D4的负极接二极管D1的正极，接忆阻器的输入端，所述电容C0的一端接电阻R0的一端，所述电容C0的另一端接电阻R0的另一端，接地；根据二极管文氏电桥的电路得出以下关系式：设忆阻器两端输入电压和电流分别为Vm和Im，电容C

【技术特征摘要】
1.基于忆阻器的带滤波电路，其特征在于：所述忆阻器由二极管1N4148文氏电桥电路和电容及电阻组成，二极管1N4148实现文氏电桥功能，电容和电阻组成RC振荡电路；二极管D1的正极接二极管D4的正极，接忆阻器的输入端，所述二极管D1的负极接电容C0的一端，接二极管D2的负极，所述二极管D2的正极接二极管D3的负极，接忆阻器的输出端，所述二极管D2的负极接电容的一端，所述二极管D3的负极接二极管D2的正极，接忆阻器的输出端，所述二极管D3的正极接二极管D4的正极，接电容C0的另一端，接地，所述二极管D4的正极接二极管D3的正极，接电容C0的另一端，接地，所述二极管D4的负极接二极管D1的正极，接忆阻器的输入端，所述电容C0的一端接电阻R0的一端，所述电容C0的另一端接电阻R0的另一端，接地；根据二极管文氏电桥的电路得出以下关系式：设忆阻器两端输入电压和电流分别为Vm和Im，电容C0两端电压为V0，其数学模型为：其中，ρ＝1/(2nV...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴新华，
申请(专利权)人：滨州学院，
类型：发明
国别省市：山东,37