一种基于负反馈的二阶带通滤波器制造技术

本发明专利技术涉及一种基于负反馈的二阶带通滤波器，属于模拟滤波器设计领域。采用PMOS管或NMOS管实现，该二阶带通滤波器包括第一NMOS管M3l、第二NMOS管M3r、第三NMOS管M2l、第四NMOS管M2r、第五NMOS管M1l、第六NMOS管M1r、第一电容C1l、第二电容C2l、第三电容C2r、第四电容C1r、第一电流源Ib1和第二电流源Ib2；本发明专利技术基于负反馈技术，不需要共模反馈电路，有效地降低功耗；仅仅使用了八个晶体管实现一个双二阶单元，要实现四阶带通滤波器仅需要十六个晶体管，结构对称简单，易于设计，有效地降低了带通滤波器电路结构的复杂度；还可以通过控制第一PMOS管和第二PMOS管与第五PMOS管和第六PMOS管的跨导比例来调整通带增益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于模拟滤波器
，特别是一种基于负反馈的二阶带通滤波器。
技术介绍
通常，二阶带通滤波器(带通双二阶单元)传输函数如下AH O) =--ο UJn->S2+Qo(1)公式(1)中可知二阶带通滤波器要有复数极点，因此要求一个晶体管级双二阶单元中要有可以综合复数极点的电路结构。在实际应用中，对高阶滤波器的需求更多。通常二阶带通滤波器主要应用在采用级联法设计高阶低通滤波器中。有关有源滤波器的级联法和电感替代法设计高阶滤波器相关知识可参考 Deliyannis, T. , Sun, Y. , and Fidler, J. , K. 'Continuous-Time Active Filter Design' Boca Raton, FL :CRC，1999。在传统超外差接收机在第一次变频之后要通过一级带通滤波器实现选频，通常采用片外声表面波滤波器(SAW filter)，硬件代价很大。目前集成电路朝着片上全集成 (System on Chip)方向发展，由片上全集成带通滤波器取代片外声表面波滤波器。Le-Thai 在参考文献《Ha Le-Thai,Huy-Hieu本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种负反馈的二阶带通滤波器，其特征在于，采用ＰＭＯＳ管实现，该二阶带通滤波器包括第一ＰＭＯＳ管（Ｍ３ｌ）、第二ＰＭＯＳ管（Ｍ３ｒ）、第三ＰＭＯＳ管（Ｍ２ｌ）、第四ＰＭＯＳ管（Ｍ２ｒ）、第五ＰＭＯＳ管（Ｍ１ｌ）、第六ＰＭＯＳ管（Ｍ１ｒ）、第一电容（Ｃ１ｌ）、第二电容（Ｃ２ｌ）、第三电容（Ｃ２ｒ）、第四电容（Ｃ１ｒ）、第一电流源（Ｉｂ１）和第二电流源（Ｉｂ２）；其中，第一ＰＭＯＳ管（Ｍ３ｌ）的漏极接输出节点的负端（Ｖｏｐ），第一ＰＭＯＳ管（Ｍ３ｌ）的栅极接输入节点的正端（Ｖｉｐ），第一ＰＭＯＳ管（Ｍ３ｌ）的源极接电源电压（ＶＤＤ）；第二ＰＭＯＳ管（Ｍ３ｒ）的漏极接输出节点的正端（Ｖｏｐ），第二...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇，杨佳乐，张莉，王燕，钱鹤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11