天窗电机控制电路制造技术

技术编号:10558593 阅读:247 留言:0更新日期:2014-10-22 13:32
本实用新型专利技术提供一种天窗电机控制电路,包括:一体化集成电路、场效应晶体管模块、霍尔传感器、电机(M)、电源正、负端子(KL30、KL31)、点火端子、天窗关闭端子、及天窗开启端子;所述场效应晶体管模块包括第一Mosfet(T1)、第二Mosfet(T2)、第三Mosfet(T3)及第四Mosfet(T4);所述第一Mosfet(T1)、第二Mosfet(T2)、第三Mosfet(T3)及第四Mosfet(T4)构成H桥连接电路;该天窗电机控制电路还包括:电阻(R1)、二极管(D1)及电容(C1)。本实用新型专利技术有效的减少了天窗模块外部的盖子,且可以得到更好的噪音水平和电磁干扰性能,降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种天窗电机控制电路,包括:一体化集成电路、场效应晶体管模块、霍尔传感器、电机(M)、电源正、负端子(KL30、KL31)、点火端子、天窗关闭端子、及天窗开启端子;所述场效应晶体管模块包括第一Mosfet(T1)、第二Mosfet(T2)、第三Mosfet(T3)及第四Mosfet(T4);所述第一Mosfet(T1)、第二Mosfet(T2)、第三Mosfet(T3)及第四Mosfet(T4)构成H桥连接电路;该天窗电机控制电路还包括:电阻(R1)、二极管(D1)及电容(C1)。本技术有效的减少了天窗模块外部的盖子,且可以得到更好的噪音水平和电磁干扰性能,降低了生产成本。【专利说明】天窗电机控制电路
本技术涉及一种控制电路,尤其涉及一种天窗电机控制电路。
技术介绍
随着汽车工业的不断发展,各类汽车上都配置有自动天窗。汽车天窗安装于车顶, 能够有效地使车内空气流通,增加新鲜空气的进入,为车主带来健康、舒适的享受。该天窗 通过电机来驱动,所述电机则通过对应的控制电路来控制。请参阅图1,为现有的天窗电机 控制电路,包括:一体化集成电路Γ (Integrated 1C)、继电器2'(Relay)、霍尔传感器3' (Hall)、电机(M')、电源正、负端子(此30'、此31')、点火端子、天窗关闭端子、及天窗开启 端子。所述一体化集成电路Γ与霍尔传感器3 '、电源正端子(KL30 ')电性连接;所述继电器 2'与电源正、负端子(KL30'、KL31')及电机(M')电性连接;所述一体化集成电路Γ包括:用 于进行数据处理的 MCU(Micro Control Unit,微控制单兀)、LD0(Low Dropout Regulator, 低压差线性稳压器)、1/0 接口电路(1/0 circuit)、ADC (Analog-to-digital converter, 模拟数字转换器)、继电器驱动器(Relay Driver)、及霍尔传感器控制模块(Hall module); 所述1/0接口电路与点火端子、天窗关闭端子、及天窗开启端子电性连接;所述霍尔传感器 控制模块与霍尔传感器3'电性连接;所述霍尔传感器3'为两个。该天窗电机控制电路还 包括:电阻(R1')、二极管(D1')及电容(C1'),所述电阻(R1')、二极管(D1')及电容(C1') 均电性连接于电源正端子(KL30') ;所述电阻(R1')、二极管(D1')串联后与LD0形成汇合处 (al'),电容(C1')串接在所述汇合处(al')和地之间。 目前,汽车天窗电机控制电路中通常采用继电器来控制电机的方向和速度,由于 继电器本身的体积较大,导致印刷电路板(PCB)的面积较大,使天窗电机的噪声水平和电磁 干扰性能均较差,且该种天窗模块的整体尺寸较大,不利于生产成本的控制。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种天窗电机控制电路,其结构简单,能有效降低天 窗模块的尺寸,且可以得到更好的噪声水平和电磁干扰性能。 为实现上述目的,本技术提供一种天窗电机控制电路,包括:一体化集成电 路、场效应晶体管模块、霍尔传感器、电机(M)、电源正、负端子(KL30、KL31)、点火端子、天 窗关闭端子、及天窗开启端子。所述一体化集成电路与场效应晶体管模块、霍尔传感器及 电源正端子(KL30)电性连接;所述场效应晶体管模块与电源正端子(KL30)、电源负端子 (KL31)、及电机(M)电性连接。 所述一体化集成电路包括:用于进行数据处理的MCU、LD0、1/0接口电路、ADC、场 效应晶体管驱动器、及霍尔传感器控制模块;所述场效应晶体管驱动器包括第一场效应晶 体管驱动器(MD1)与第二场效应晶体管驱动器(MD2);所述1/0接口电路与点火端子、天窗 关闭端子、及天窗开启端子电性连接;所述霍尔传感器控制模块与霍尔传感器电性连接; 所述MCU通过1/0接口电路检测天窗开启与关闭信号,该MCU根据检测到的信号相应控制 所述场效应晶体管驱动器驱动场效应晶体管模块,进而控制电机(Μ)的运转状态,实现天窗 的开启与关闭;所述霍尔传感器检测电机(Μ)运转状态并产生脉冲信号,该脉冲信号通过 霍尔传感器控制模块传送到MCU进行计数和鉴别处理,进而判断天窗的位置状态。 所述场效应晶体管模块包括第一 Mosfet (Τ1)、第二Mosfet (Τ2)、第三Mosfet (T3)及第四Mosfet (T4);所述第一 Mosfet (T1)与第二Mosfet (T2)电性连接电源一端 (KL30)及第一场效应晶体管驱动器(MD1);所述第三Mosfet (T3)与第四Mosfet (T4)电性 连接于电源另一端(KL31)及第二场效应晶体管驱动器(MD2);所述第一 Mosfet (T1)、第二 Mosfet (T2)、第三Mosfet (T3)及第四Mosfet (T4)构成Η桥连接电路;其中上半桥包括 第一 Mosfet (Τ1)与第二 Mosfet (Τ2),下半桥包括第三 Mosfet (Τ3)与第四 Mosfet (Τ4)。 还包括电阻(R1)、二极管(D1)及电容(C1),所述电阻(R1)、二极管(D1)及电容 (C1)均电性连接于电源正端子(KL30);所述电阻(R1)、二极管(D1)串联后与LD0形成汇合 处(al),电容(C1)串接在所述汇合处(al)和地之间。 所述第一 Mosfet (T1)包括第一栅极(gl)、第一源极(si)及第一漏极(dl);所述 第二Mosfet (T2)包括第二栅极(g2)、第二源极(s2)及第二漏极(d2);所述第三Mosfet (T3)包括第三栅极(g3)、第三源极(s3)及第三漏极(d3);所述第四Mosfet (T4)包括第四 栅极(g4)、第四源极(s4)及第四漏极(d4)。 第一源极(si)与第三漏极(d3)的连接节点(Ml)和第二源极(s2)与第四漏极(d4) 的连接节点(M2)组成Η桥连接电路的输出端,所述输出端电性连接于电机(Μ)。 所述第一栅极(gl)与第二栅极(g2)电性连接于第一场效应晶体管驱动器(MD1); 所述第三栅极(g3)与第四栅极(g4)电性连接于第二场效应晶体管驱动器(MD2)。 所述第一漏极(dl)与第二漏极(d2)电性连接于电源正端子(KL30);所述第三源 极(s3)与第四源极(s4)电性连接于电源负端子(KL31)。 所述霍尔传感器为两个。 本技术的有益效果:本技术提供一种天窗电机控制电路,采用场效应晶 体管结合成的Η桥电路,来取代继电器,使印刷电路板和电源电路变短,进而使印刷电路板 面积减少了 40%,有效的减少了天窗模块外部的盖子。较短的印刷电路板导致较短的悬臂, 可以使天窗电机获得更好的噪音水平;而较短的电源电路可以使天窗电机获得更好的电磁 干扰性能。本技术通过场效应晶体管结合成的Η桥电路来控制天窗电机的方向和速 度,有效的降低了生产成本。 为了能更进一步了解本技术的特征以及
技术实现思路
,请参阅以下有关本实用新 型的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说本文档来自技高网
...

【技术保护点】
一种天窗电机控制电路,其特征在于,包括:一体化集成电路、场效应晶体管模块、霍尔传感器、电机(M)、电源正、负端子(KL30、KL31)、点火端子、天窗关闭端子、及天窗开启端子;所述一体化集成电路与场效应晶体管模块、霍尔传感器及电源正端子(KL30)电性连接;所述场效应晶体管模块与电源正、负端子(KL30、KL31)、及电机(M)电性连接; 所述一体化集成电路包括:用于进行数据处理的MCU、LDO、I/O接口电路、ADC、场效应晶体管驱动器、及霍尔传感器控制模块;所述场效应晶体管驱动器包括第一场效应晶体管驱动器(MD1)与第二场效应晶体管驱动器(MD2);所述I/O接口电路与点火端子、天窗关闭端子、及天窗开启端子电性连接;所述霍尔传感器控制模块与霍尔传感器电性连接;所述MCU通过I/O接口电路检测天窗开启与关闭信号,该MCU根据检测到的信号相应控制所述场效应晶体管驱动器驱动场效应晶体管模块,进而控制电机(M)的运转状态,实现天窗的开启与关闭;所述霍尔传感器检测电机(M)运转状态并产生脉冲信号,该脉冲信号通过霍尔传感器控制模块传送到MCU进行计数和鉴别处理,进而判断天窗的位置状态; 所述场效应晶体管模块包括第一Mosfet(T1)、第二Mosfet(T2)、第三Mosfet(T3)及第四Mosfet(T4);所述第一Mosfet(T1)与第二Mosfet(T2)电性连接于电源正端子(KL30)及第一场效应晶体管驱动器(MD1);所述第三Mosfet(T3)与第四Mosfet(T4)电性连接于电源负端子(KL31)及第二场效应晶体管驱动器(MD2);所述第一Mosfet(T1)、第二Mosfet(T2)、第三Mosfet(T3)及第四Mosfet(T4)构成H桥连接电路;其中上半桥包括第一Mosfet(T1)与第二Mosfet(T2),下半桥包括第三Mosfet(T3)与第四Mosfet(T4)。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王晓明屈年鹤寇智涛陈浩
申请(专利权)人:广东德昌电机有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1