本发明专利技术提供一种能够发射闪烁光的闪烁晶体，所述闪烁晶体可以具有主体和沿着闪烁晶体的侧面从主体延伸的特征。特征可以具有不大于闪烁光的波长的2.5倍的尺寸。在实施例中，特征和主体可以具有基本相同的组分，并且在另一实施例中闪烁晶体可以在特征和主体之间无接口。可以通过去除闪烁晶体的部分沿着闪烁晶体的侧面形成特征。特别地，可以通过用研磨材料研磨闪烁晶体的表面形成特征。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供一种能够发射闪烁光的闪烁晶体，所述闪烁晶体可以具有主体和沿着闪烁晶体的侧面从主体延伸的特征。特征可以具有不大于闪烁光的波长的2.5倍的尺寸。在实施例中，特征和主体可以具有基本相同的组分，并且在另一实施例中闪烁晶体可以在特征和主体之间无接口。可以通过去除闪烁晶体的部分沿着闪烁晶体的侧面形成特征。特别地，可以通过用研磨材料研磨闪烁晶体的表面形成特征。【专利说明】具有在侧面上的特征的闪烁晶体、包括这样的闪烁晶体的 辐射检测装置、以及形成这样的闪烁晶体的方法
本公开涉及具有在侧面上的特征的闪烁晶体，包括闪烁晶体的装置、例如辐射检 测装置，以及形成闪烁晶体的方法。
技术介绍
闪烁晶体可以用于医学成像和用于石油和天然气工业中的测井以及用于环境监 测、安全应用和用于核物理分析和应用。特别地，当暴露于某些形式的辐射时闪烁晶体可以 发射光子。光子可以传到检测器，所述检测器将被检测光子转换成电脉冲，所述电脉冲然后 可以传输到分析设备。辐射检测装置的进一步改进是期望的。 【专利附图】【附图说明】 实施例通过例子被示出并且不在附图中被限制。 图1包括根据特定实施例的辐射检测装置的图示。 图2包括根据特定实施例的生产具有沿着侧面形成的特征的闪烁晶体的方法的 图示。 图3、4和5包括根据特定实施例的闪烁晶体的横截面图的图示。 图6和7包括根据特定实施例的闪烁晶体的俯视图的图示。 熟练技术人员应当领会图中的元件为了简化和清楚而示出并且不必按比例绘制。 例如，图中的一些元件的尺寸可以相对于其它元件放大以帮助改善本专利技术的实施例的理 解。相同附图标记在不同图中的使用指示相似或相同项。 【具体实施方式】 与附图组合的以下描述被提供以帮助理解本文中公开的教导。以下论述将集中于 教导的具体实现方式和实施例。该集中被提供以帮助描述教导并且不应当被理解为对教导 的范围或可应用性的限制。 当在本文中使用时，术语"包括"、"包含"、"具有"或它们的任何其它变型旨在涵盖 非排他包括。例如，包括特征的列表的工艺、方法、制品或装置不必仅仅被限制到那些特征， 而是可以包括为明确列出的其它特征或这样的工艺、方法、制品或装置固有的其它特征。此 夕卜，除非相反地明确说明，"或"表示兼或而不是异或。例如，条件A或B由以下的任何一个 满足:A为真（或存在）并且B为假（或不存在），A为假（或不存在）并且B为真（或存 在），以及A和B都为真（或存在）。 "一"的使用用于描述本文中所述的元件和部件。这样做仅仅是为了方便和赋予本 公开的实施例的范围的一般意义。该描述应当被理解为包括一个或至少一个并且单数也包 括复数，反之亦然，除非明确地它具有另外含义。 除非另外限定，本文中使用的所有技术和科学术语具有与本公开所属的领域中的 普通技术人员的通常理解相同的含义。材料、方法和例子仅仅是示例性的并且不旨在限制。 在本文中未描述的范围内，关于具体材料和处理行动的许多细节是常规的并且可以在闪烁 和辐射检测领域内的教科书和其它资源中找到。 图1包括根据特定实施例的辐射检测装置100的图示。辐射检测装置100可以包 括医学成像装置、测井装置或安全检查装置。在实施例中，辐射检测装置100可以包括或者 是计算机断层摄影（"CT"）装置、单正电子发射计算机断层摄影（"SPECT"）装置或正电 子发射断层摄影（"PET"）装置、例如飞行时间PET装置的部件。 辐射检测装置100可以包括光电传感器101、光学接口 103和闪烁装置105。光电 传感器101可以是光电二极管、光电倍增管（"PMT"）、硅光电倍增管（"SiPM"）、雪崩光电 二极管（"APD"）或包括光电阴极和电子传感器的混合PMT。在实施例中，光学接口 103可 以包括光f禹合材料，例如有机聚合物或另一合适的光f禹合材料。例如，光学接口 103可以包 括硅橡胶、环氧树脂、塑料或它们的任何组合。在另一实施例中，光学接口 103包括布置在 光电传感器101和闪烁装置105之间的窗口 107。窗口 107可以经由光f禹合材料的第一层 109和光耦合材料的第二层111光耦合到光电传感器101和闪烁装置105。在实施例中，窗 口 107包括石英、蓝宝石或氮氧化铝，例如Raytran?。尽管光电传感器101、光学接口 103 和闪烁装置105示出为彼此分离，但是光电传感器101和闪烁装置105均可以适合于耦合 到光学接口 103,光学接口 103布置在光电传感器101和闪烁装置105之间。在其它实施例 中，光学接口 103可以包括窗口 107并且可以包括光耦合材料的一个或多个层，例如第一层 109、第二层111或两者。另外，光学接口 103可以包括窗口 107并且不包括第一层109、第 二层111或第一层109和第二层111两者。 闪烁装置105包括基本上由反射体115围绕的闪烁晶体113。在实施例中，闪烁晶 体 113 可以包括 Nal (Tl)，Csl (T1 或 Na)，LaBr3 (Ce)，CeBr3, Srl2 (Eu)，LuSi05 (Y 和 / 或 Ce)， Cs2LiYCl6(Ce)，或以下类别中的那些闪烁体：卤化碱闪烁体、碱性卤化物闪烁体、镧系卤化 物闪烁体或钾冰晶石闪烁体。另外，反射体115可以包括金属箔、聚四氟乙烯（PTFE)或能 够反射由闪烁晶体113发射的光的另一合适的材料。反射体115基本上由减震部件117围 绕。闪烁晶体113、反射体115和减震部件117容纳在壳体119内。壳体119可以包括接口 到远离光电传感器101的闪烁晶体113的端部的稳定机构121，例如弹簧、弹性体、另一合适 的稳定机构或它们的任何组合。稳定机构121可以适合于将侧向力、水平力或它们的任何 组合施加到闪烁晶体113以稳定闪烁晶体113相对于辐射检测装置100的一个或多个其它 特征的位置。在实施例中，辐射检测装置100可以包括比图1中所示的更多或更少的部件。 例如，辐射检测装置100可以不包括稳定机构121或者辐射检测装置100可以包括多个稳 定机构121，例如多个弹簧。在另一例子中，闪烁晶体113可以部分地由反射体115围绕。 当闪烁晶体113暴露于一种或多种形式的辐射时光电传感器101可以接收由闪烁 晶体113发射的闪烁光的光子。当光电传感器101接收来自闪烁装置105的光子时，光电 传感器101可以基于从闪烁装置105接收的光子的数量产生电脉冲。光电传感器101可以 将电脉冲提供给电耦合到光电传感器101的电子装置123。电脉冲可以由电子装置123进 行成形、数字化、分析或它们的任何组合以提供在光电传感器101处接收的光子的计数或 其它信息。电子装置123可以包括放大器、前置放大器、鉴别器、模数信号转换器、光子计数 器、另一电子部件或它们的任何组合。光电传感器101可以容纳在由能够保护光电传感器 101、电子装置123或它们的组合的材料（例如金属、金属合金、其它材料或它们的任何组 合）制造的管或外壳内。 在示例性实施例中，光子可以离开邻近光学接口 103的闪烁晶体113的侧面125。 特征（未在图1中示出并且本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种能够发射闪烁光的闪烁晶体，其包括：主体；特征，所述特征沿着所述闪烁晶体的侧面从所述主体延伸，其中：所述特征具有不大于闪烁光的波长的大约2.5倍的尺寸；所述特征和所述主体具有基本相同的组分；并且所述闪烁晶体在所述特征和所述主体之间无接口。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·R·蒙格，
申请(专利权)人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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