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一种用于X射线安检装置的双能量线阵探测器制造方法及图纸

技术编号:10347910 阅读:101 留言:0更新日期:2014-08-22 12:35
本发明专利技术提供一种用于X射线安检装置的双能量线阵探测器,包括多个通道板和一个通讯板;通道板设置有双能光电二极管阵列、信号调理模块、多路开关、AD转换模块和ARM处理器;双能光电二极管阵列包括高能光电二极管阵列和低能光电二极管阵列,高能光电二极管阵列和低能光电二极管阵列之间设置有铜滤波片;通讯板设置有FPGA,FPGA通过通讯总线与ARM处理器相连。本发明专利技术的双能量线阵探测器有较低的制造成本,提高了探测器抗干扰能力,抗潮湿环境的能力和探测灵敏度。同时,模块化的设计可根据探测需要方便的改变探测器的扫描宽度和扫描速度,可实现即插即用的功能。

【技术实现步骤摘要】
—种用于X射线安检装置的双能量线阵探测器
本专利技术属于安检设备
,具体是一种用于X射线安检装置的双能量线阵探测器。
技术介绍
目前,X射线探测技术已广泛应用于安检、医疗、探伤等领域的无损检测。X射线安检设备或系统,主要有双能量系统、背散射系统和CT系统。而双能量系统由于其较高的性价比成为当前的主流产品。其核心部件探测器子系统,存在如扫描速度慢,由于信号噪声等造成的图像质量差,探测精度低,可靠性差,制造成本高等缺点。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题,本专利技术提供一种用于X射线安检装置的双能量线阵探测器。本专利技术的技术方案是: 一种用于X射线安检装置的双能量线阵探测器,包括多个通道板和一个通讯板;所述通道板设置有双能光电二极管阵列、信号调理模块、多路开关、AD转换模块和ARM处理器; 所述双能光电二极管阵列包括高能光电二极管阵列和低能光电二极管阵列,高能光电二极管阵列和低能光电二极管阵列之间设置有铜滤波片; 高能光电二极管阵列包括多组高能闪烁晶体和第一光电二极管,高能闪烁晶体包有感光材料并与第一光电二极管通过光学耦合剂粘贴固定; 低能光电二极管阵列包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于X射线安检装置的双能量线阵探测器,其特征在于:包括多个通道板和一个通讯板;所述通道板设置有双能光电二极管阵列、信号调理模块、多路开关、AD转换模块和ARM处理器;所述双能光电二极管阵列包括高能光电二极管阵列和低能光电二极管阵列,高能光电二极管阵列和低能光电二极管阵列之间设置有铜滤波片;高能光电二极管阵列包括多组高能闪烁晶体和第一光电二极管,高能闪烁晶体包有感光材料并与第一光电二极管通过光学耦合剂粘贴固定;低能光电二极管阵列包括多组低能闪烁晶体和第二光电二极管,低能闪烁晶体与第二光电二极管通过光学耦合剂粘贴固定;所述第一光电二极管的引脚、第二光电二极管的引脚分别与信号调理模块的输入端连接...

【技术特征摘要】
1.一种用于X射线安检装置的双能量线阵探测器,其特征在于:包括多个通道板和一个通讯板; 所述通道板设置有双能光电二极管阵列、信号调理模块、多路开关、AD转换模块和ARM处理器; 所述双能光电二极管阵列包括高能光电二极管阵列和低能光电二极管阵列,高能光电二极管阵列和低能光电二极管阵列之间设置有铜滤波片; 高能光电二极管阵列包括多组高能闪烁晶体和第一光电二极管,高能闪烁晶体包有感光材料并与第一光电二极管通过光学耦合剂粘贴固定; 低能光电二极管阵列包括多组低能闪烁晶体和第二光电二极管,低能闪烁晶体与第二光电二极管通过光学耦合剂粘贴固定; 所述第一光电二极管的引脚、第二光电二极管的引脚分别与信号调理模块的输入端连接,信号调理模块的输出端与多路开关连接,多路开关还连接AD转换模块的输入端,AD转换模块的输出端连接ARM处理器的输入端,ARM处理器连接到通讯总线上; 所述通讯板设置有FP...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙丽娜谭俊原培新巴德纯
申请(专利权)人:东北大学
类型:发明
国别省市:辽宁;21

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