【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种二极管模组，包括半导体基底层、二极管外延层及光波导。该半导体基底层具有一表面，该表面包括依次相邻设置的外延层生长区、光波导固定区及光纤接入区，该光纤接入区开设有光纤收容沟槽，该光纤收容沟槽的延伸方向指向该光波导固定区。该二极管外延层形成于该外延层生长区，该二极管外延层包括沿远离该表面依次排列的半导体缓冲层和PN结，该PN结之间形成有多重量子井结构层。该光波导形成于该光波导固定区，该光波导其中一侧面与该多重量子井结构层一侧面相对。本专利技术还涉及该二极管模组的制作方法及光互连装置。【专利说明】二极管模组和其制作方法及光互连装置
本专利技术涉及光电半导体磊晶及光互连装置，特别涉及一种二极管磊晶模组和其制 作方法，以及利用该二极管磊晶模组的光互连装置。
技术介绍
在光通讯装置中，通常包括激光二极管、光电二极管及设置于激光二极管与光电 二极管之间用于将激光二极管发出的光线传输至光电极体的光波导和光纤。一般地，激光 二极管和光电二极管为分离的结构，使用时，将已经封装的激光二极管和光电二极管与光 波导作进一步封装形成模组化的结构，进...
【技术保护点】
一种二极管模组，包括：半导体基底层，具有一表面，该表面包括依次相邻设置的外延层生长区、光波导固定区及光纤接入区，该光纤接入区开设有光纤收容沟槽，该光纤收容沟槽的延伸方向指向该光波导固定区；二极管外延层，形成于该外延层生长区，该二极管外延层包括沿远离该表面依次排列的半导体缓冲层和PN结，该PN结之间形成有多重量子井结构层；及光波导，形成于该光波导固定区，该光波导其中一侧面与该多重量子井结构层一侧面相对。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许义忠，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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