发光二极管及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种。发光二极管包含：一基板，基板包含一上表面、一底面相对于上表面以及一侧表面；一第一型态半导体层位于上表面上，其中第一型态半导体层包含一第一部分以及一第二部分，且第二部分包含一边缘围绕第一部分；一发光层在第一部分上；以及一第二型态半导体层在发光层上，其中，第二部分包含一第一表面以及一第二表面，在第一表面以及上表面之间具有一第一距离，在第二表面以及上表面之间具有一第二距离小于第一距离，其中，第一表面比第二表面粗糙，且第二表面位于边缘。【专利说明】
本专利技术涉及一种切割晶片的方法，用以提升发光二极管的产能以及降低生产的成 本。
技术介绍
近年来随着发光二极管（LED)的发光效率逐渐提升，发光二极管的应用已经从装 饰灯扩展至一般照明。发光二极管也逐渐取代传统的荧光灯成为下一世代的光源。 制造发光二极管的最后一个步骤为切割晶片。在切割晶片的步骤中，首先以激光 切割晶片，接着再劈裂晶片形成多个发光二极管。一般激光是从晶片的表面开始往晶片内 部进行切除或融解。晶片具有半导体叠层在其表面上，因此，当以激光切除或融解晶...
【技术保护点】
一发光二极管，包含：基板，该基板包含一上表面、一底面相对于该上表面以及一侧表面；第一型态半导体层，位于该上表面上，其中该第一型态半导体层包含第一部分以及第二部分，且该第二部分包含一边缘围绕该第一部分；发光层，在该第一部分上；以及第二型态半导体层，在该发光层上，其中，该第二部分包含第一表面以及第二表面，在该第一表面以及该上表面之间具有第一距离，在该第二表面以及该上表面之间具有第二距离小于该第一距离，其中，该第一表面比该第二表面粗糙，且该第二表面位于该边缘。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：纪喨胜，陈佩佳，陈之皓，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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