低能量离子铣削或沉积制造技术

本发明专利技术涉及低能量离子铣削或沉积。样本必须在从晶片挖出所述样本之后被薄化，以形成具有例如20nm的厚度的薄片。这一般地通过在带电粒子设备中用离子进行溅射来完成。当将薄片铣削成这样的厚度时，问题是：薄片的一大部分由于离子的轰击而变成无定形的并且离子变得被注入样本中。本发明专利技术通过在GIS的毛细管（201）与样本（200）之间施加电压差并将离子或电子束（206）引导到气体喷射（207）来提供所述问题的解决方案。束从而使被加速至样本的气体电离，其中（当在样本与GIS之间使用低电压时）发生低能量铣削，并且因此几乎没有样本厚度变成无定形的。

【技术实现步骤摘要】
低能量离子铣削或沉积本专利技术涉及一种用于使用带电粒子设备从工件去除材料或在工件上沉积材料的方法，该带电粒子设备装配有：•安装在可抽空样本室上、用于产生带电粒子束的柱，•位于样本室中的样本位置，以及•气体注入系统，用于将气体喷射引导到样本位置，所述方法包括•在样本位置处提供工件，•将样本室抽空，以及•将从气体注入系统出现的气体喷射引导到工件。这种方法被用于例如薄化工件（样本），例如半导体样本，以用于用透射电子显微镜（TEM）或扫描电子显微镜（SEM）进行进一步检查。用现有技术方法薄化的样本具有下至25nm或更小的厚度。被技术人员称为“聚焦离子束铣削”或“FIB铣削”的这种方法还包括将带电粒子束、典型地是具有在例如1keV至40keV之间的能量的高能离子束引导到工件。结果，由于碰撞离子和被吸附气体而发生局部蚀刻和/或沉积。为了进行蚀刻，将例如XeF2或H2O的蚀刻剂引导到样本，而为了沉积，将诸如MeCpPtMe3（被用于Pt沉积）、W(CO)6（被用于钨沉积）和萘（被用于碳沉积）的前体引导到样本。还参见美国希尔巴罗市的FEI公司的ApplicationNoteAN002403-2010。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于使用带电粒子设备从工件（200、300）去除材料或在工件上沉积材料的方法，该带电粒子设备装配有： • 安装在可抽空样本室上、用于产生带电粒子束的柱， • 位于样本室中的样本位置，以及 • 气体注入系统（201、301），用于将气体喷射（207、307）引导到所述样本位置， 该方法包括• 在样本室中的所述样本位置处提供所述工件，该样本室被抽空，以及 • 将从所述气体注入系统出现的气体喷射引导到所述工件， 该方法的特征在于 所述带电粒子设备装配有被相对于所述工件被电偏置的电极，所述电极在气体喷射的至少一部分上引发电势，并且带电粒子束被引导到所述气体注入系统与所述工件之间的气体喷射或被引导到...

【技术特征摘要】
2013.04.03 EP 13162084.11.一种用于使用带电粒子设备从工件去除材料或在工件上沉积材料的方法，该带电粒子设备装配有：安装在可抽空样本室上、用于产生带电粒子束的柱，位于样本室中的样本位置，以及气体注入系统，用于将气体喷射引导到所述样本位置，该方法包括：在样本室中的所述样本位置处提供所述工件，该样本室被抽空，以及将从所述气体注入系统出现的气体喷射引导到所述工件，其中：所述气体注入系统装配有毛细管，所述气体喷射从所述毛细管出现，所述毛细管是相对于所述工件被电偏置的电极，所述电极在气体喷射的至少一部分上引发电压差，并且带电粒子束被引导到所述气体注入系统与所述工件之间的气体喷射或被引导到所述气体注入系统的表面上，作为其结果，所述带电粒子束直接地或间接地产生被加速至所述工件的二次离子。2.权利要求1的方法，其中，所述带电粒子束是电子束。3.权利要求2的方法，其中，所述电子束撞击所述毛细管，从而产生后向散射电子，所述后向散射电子继而使气体电离并因此产生二次离子。4.权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：JJL穆德斯，RTJP格尔特斯，PHF特罗姆佩纳亚斯，EGT博世，
申请(专利权)人：FEI公司，
类型：发明
国别省市：美国;US