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本发明涉及低能量离子铣削或沉积。样本必须在从晶片挖出所述样本之后被薄化，以形成具有例如20nm的厚度的薄片。这一般地通过在带电粒子设备中用离子进行溅射来完成。当将薄片铣削成这样的厚度时，问题是：薄片的一大部分由于离子的轰击而变成无定形的并且...
该专利属于FEI公司所有，仅供学习研究参考，未经过FEI公司授权不得商用。

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