【技术实现步骤摘要】
双区离子束碳沉积
技术介绍
当沉积用于耐磨防护的类金刚石碳层时，沉积两层或更多层的碳一一各层具有不同的厚度；较厚的层位于激光纹理区而较薄的层位于数据区_一是有益的。较厚的层提供耐磨防护，而较薄的层给予磁头更接近于 介质飞行因此提供更好的磁性能的优势。当通过离子束沉积法来沉积碳时，由于空间原因或实际成本原因，因 为处理室的数量有限，所以利用两个或更多离子源通常是不可能的。
技术实现思路
本专利技术涉及一种用于离子束沉积的离子源，其包括多个阳极，其中离 子源沉积源材料的多个区，而且多个区中的至少两个的厚度不同。在以下详细描述中，通过阐述所构想的用于实现本专利技术的最佳模式， 示出和描述了本专利技术的优选实施方式。正如可以认识到的，本专利技术能够有 其他且不同的实施方式，并且其细节能有多个显而易见的方面上的修改， 所有这些均没有背离本专利技术。因此，附图和描述本质上被认为是说明性的 而非限制性的。附图说明通过参考结合附图的详细描述，能更好地理解本专利技术，其中 图1示意性地示出包括两个共轴阳极圆柱体的离子束沉积源。 图2描述处于接地状态的本专利技术的实施方式的静电场。具体实施例方...
【技术保护点】
一种用于离子束沉积工艺的离子源，其中所述源包括至少两个共轴圆柱阳极的布置。
【技术特征摘要】
US 2008-7-24 12/179,2341、一种用于离子束沉积工艺的离子源，其中所述源包括至少两个共轴圆柱阳极的布置。2、 如权利要求l所述的离子源，其特征在于，所述离子源包括两个阳极。3、 一种方法，包括对如权利要求1或2中的任一项所述的离子源施加电压； 其中对所述离子源中的所述共轴圆柱阳极施加的所述电压被调节，以在衬 底上沉积源材料的多个共轴区；以及其中源材料的所述共轴区各自的厚度不同。4、 如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述衬底是磁记录介质圆盘。...
【专利技术属性】
技术研发人员：PS麦克莱奥德，KW舒尔，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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