【技术实现步骤摘要】
本技术属于多晶硅生产设备领域,尤其涉及一种用于多晶铸锭生产的二次掺 杂装置。 -种用于多晶铸锭生产的二次掺杂装置
技术介绍
目前光伏行业的主要原材料是半导体材料硅,完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净 半导体称为本征半导体。常温下,本征半导体的电导率较小,载流子对温度变化敏感,所以 很难对其半导体特性进行控制。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体,半导体中的杂质 对电导率的影响非常大,本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体,一般可分为N型半导体 和P型半导体。在本征半导体硅或锗中掺入微量的5价元素,形成N型半导体;在本征半导 体硅或锗中,若掺入微量的3价元素,形成P型半导体。 在实际的多晶娃铸淀生广中,目如以P型为主。在对谢祸内的多晶娃料进行惨杂 时,现有的方法需要先停止多晶铸锭炉的运行,然后打开炉腔,对坩埚内进行掺杂,这种方 法操作较为复杂,因需要打开炉腔,所以要先停止设备的运行,从而影响了生产效率,另外 这种方法的掺杂剂的用量难以控制,因此会影响多晶硅的电阻率。
技术实现思路
为了解决上述的技术问题,本技术的目的是提供一种结构设计合理,使用方 便,无需打开炉腔进行操作的用于多晶铸锭生产的二次掺杂装置。 为了实现上述的目的,本技术采用了以下的技术方案: -种用于多晶铸锭生产的二次掺杂装置,包括多晶铸锭炉、坩埚和进气管,所述坩 埚固定安装在多晶铸锭炉内,所述进气管的一端与坩埚上部相连接,进气管的另一端延伸 到多晶铸锭炉的外部,所述进气管位于多晶铸锭炉外部的一端还依次连接有进气支管和三 通容器,所述三通容器的三个接口分别为 ...
【技术保护点】
一种用于多晶铸锭生产的二次掺杂装置,包括多晶铸锭炉(1)、坩埚(2)和进气管(3),所述坩埚(2)固定安装在多晶铸锭炉(1)内,所述进气管(3)的一端与坩埚(2)上部相连接,进气管(3)的另一端延伸到多晶铸锭炉(1)的外部,其特征在于:所述进气管(3)位于多晶铸锭炉(1)外部的一端还依次连接有进气支管(4)和三通容器(5),所述三通容器(5)的三个接口分别为用于连接氩气供应装置的氩气进气口(51)、用于与进气支管(4)连接的进气接口(52)和用于将掺杂剂加入三通容器(5)的掺杂接口(53),所述氩气进气口(51)处设有一号阀(54),所述进气接口(52)处设有二号阀(55),所述掺杂接口(53)处设有三号阀(56)。
【技术特征摘要】
1. 一种用于多晶铸锭生产的二次掺杂装置,包括多晶铸锭炉(1)、坩埚(2)和进气管 (3),所述坩埚(2)固定安装在多晶铸锭炉(1)内,所述进气管(3)的一端与坩埚(2)上部相 连接,进气管(3)的另一端延伸到多晶铸锭炉(1)的外部,其特征在于:所述进气管(3)位于 多晶铸锭炉(1)外部的一端还依次连接有进气支管(4)和三通容器(5),所述三通容器(5) 的三个接口分别为用于连接氩气供应装置的氩气进气口(51)、用于与进气支管(4)连接的 进气接口( 52 )和用于将掺杂剂加入三通容器(5 )的掺杂接口( 53 ),所述氩气进气口( 51)处 设有一号...
【专利技术属性】
技术研发人员:张苏州,
申请(专利权)人:浙江溢闳光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
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