一种氧化锌薄膜图形化的方法技术

本发明专利技术公开了一种氧化锌薄膜图形化的方法：首先清洗基片及光刻显影，获得图形化的光刻胶；再将基片放入真空室中，进行ZnO薄膜的沉积，薄膜厚度为100nm～200nm；最后在有机溶剂中对基片进行超声剥离，得到图形化的氧化锌薄膜。本发明专利技术的图形精度高，器件具有良好的导电性和透光性，流程简单，介电性能优良，具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子信息材料与元器件领域，特别涉及一种用于全透明薄膜晶体管材 料的图形化的新方法。
技术介绍
透明导电薄膜因具有在可见光透明和电阻率低等优异的光电特性，被广泛应用在 多种光电器件中，如太阳能透明电极、节能视窗以及平面液晶显示器等领域。当前应用最 为广泛的是ΙΤ0透明导电薄膜，ΙΤ0中因含有昂贵的稀缺金属铟，导致其成本较高。相比于 ITO, ZnO薄膜具有较宽的禁带宽度，在可见光范围内具有很高的透射率，通过Al、Ga、In等 掺杂可降低电阻率。并且，ZnO透明导电薄膜原料丰富，成本低廉，化学稳定性好，易大规模 生产，具有良好的应用前景。 除此之外，宽禁带材料氧化锌薄膜是一种N型半导体，由于其具有较大的光电耦 合系数，较低的温度系数和较小的介电常数，以C轴取向生长的氧化锌薄膜具有较强的压 电和光电效应，可用作电、声装置，例如在立体声表面波方面（BAW)，可用于超声显微镜和薄 膜谐振器等；另外，氧化锌作为传输材料，在滤波器、放大器以及体传感器方面具有相当大 的前景。此外，氧化锌薄膜制作工艺与集成电路工艺相容，可与硅等多种半导体器件实现集 成化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化锌薄膜图形化的方法，具有如下步骤： (1)清洗基片及光刻显影 (a)将基片放入有机溶剂中超声清洗，用去离子水冲洗后在氮气流中干燥； (b)将光刻胶旋涂在基片上，涂层厚度为1um～2um，烘干后使用光刻掩膜版做曝光处理； (c)使用显影液将图形显影出来，获得图形化的光刻胶； (2)将显影后的基片放入真空室中，在相应的射频靶上装置氧化锌靶材，当磁控溅射的真空度<9×10‑6Pa时，开启射频源，通入工作气体，进行ZnO薄膜的沉积，所述薄膜厚度为100nm～200nm； (3)步骤(2)结束后，取出基片，在有机溶剂中对基片进行超声剥离，剥离后得到图形化的氧化锌薄膜。

【技术特征摘要】
1. 一种氧化锌薄膜图形化的方法，具有如下步骤： (1) 清洗基片及光刻显影 (a) 将基片放入有机溶剂中超声清洗，用去离子水冲洗后在氮气流中干燥； (b) 将光刻胶旋涂在基片上，涂层厚度为lum?2um，烘干后使用光刻掩膜版做曝光处 理； (c) 使用显影液将图形显影出来，获得图形化的光刻胶； (2) 将显影后的基片放入真空室中，在相应的射频靶上装置氧化锌靶材，当磁控溅射的 真空度〈9 X l(T6Pa时，开启射频源，通入工作气体，进行ZnO薄膜的沉积，所述薄膜厚度为 lOOnm ?200nm ; (3) 步骤（2)结束后，取出基片，在有机溶剂中对...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玲霞，许丹，于士辉，董和磊，金雨馨，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12