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本发明公开了一种氧化锌薄膜图形化的方法：首先清洗基片及光刻显影，获得图形化的光刻胶；再将基片放入真空室中，进行ZnO薄膜的沉积，薄膜厚度为100nm～200nm；最后在有机溶剂中对基片进行超声剥离，得到图形化的氧化锌薄膜。本发明的图形精度高...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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