一种大电流半桥电路制造技术

技术编号:10494150 阅读:156 留言:0更新日期:2014-10-04 12:34
本实用新型专利技术公开了一种大电流半桥电路,包括并联连接在电源端的两个MOS管S1和S2,MOS管S1的漏端并联连接一二极管D1和电容Cs1,MOS管S2的漏端并联连接一二极管D2和电容Cs2;MOS管S1源端接一电感Lk和MOS管S2源端接一电容Cb后接入变压器输入端,变压器输出端并联连接一对反向接入的二极管D3和二极管D4;二极管D3阴极连接一电感L1,并与变压器副边同名端相连,二极管D4阴极连接一电感L2,并与变压器副边非同名端相连,电感L1和电感L2相互连接后再连接一组并联的电容C3和负载RL,并联的电容C3和负载RL的另一端连接至二极管D3和二极管D4的阳极节点。该电路解决了现有技术中存在的损耗大、效率低、输出功率小的问题,降低了变换器损耗,增大了功率密度。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
一种大电流半桥电路
本技术属于开关电源
,涉及一种软开关以及副边大电流的半桥电路。
技术介绍
DC/DC变换器就是将输入的直流电压,经过高频斩波或高频逆变后,通过整流和滤波环节,转换成所需要幅值的直流电压。它在家用电器、工业控制、通信、国防、交通等领域都有广泛的应用。半桥电路拓扑由于其成本低、易实现等优点,在众多拓扑中占有重要地位。常用的半桥拓扑有以下两种: 1、传统半桥电路 如图1所示为传统半桥电路拓扑,由容值相等的电容器Cl和C2组成一组桥,MOS管SI和S2组成另一组桥,Dl与D2是MOS管的体二极管,Csl和Cs2是MOS管的寄生电容;两个桥臂中点连接变压器Tl,变压器后边接整流二极管D3和D4组成半桥电路; 其原理:此电路通过一对互补的驱动来驱动两个MOS管,SI和S2交替导通,在变压器一次测产生一幅值为Vi/2的正负脉冲,并通过高频变压器传输到二次侧,在经过整流二极管整流,储能电感LI及电容器C3滤波后向负载供电; 其特点:相对于全桥电路,此拓扑只用了两个MOS管,成本相对较低,由于是两只管子,没有同时通断的问题,其抗不平衡能力强本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大电流半桥电路,包括并联连接在电源E端的MOS管S1和MOS管S2,所述MOS管S1的漏端和MOS管S2的源端接电源E,其特征在于:所述MOS管S1的漏端并联连接一二极管D1和电容Cs1,MOS管S2的漏端并联连接一二极管D2和电容Cs2;所述MOS管S1源端接一电感Lk和MOS管S2源端接一电容Cb后接入变压器输入端,变压器输出端并联连接一对反向接入的二极管D3和二极管D4;二极管D3阴极连接一电感L1,并与变压器副边同名端相连,二极管D4阴极连接一电感L2,并与变压器副边非同名端相连,电感L1和电感L2相互连接后再连接一组并联的电容C3和负载RL,并联的电容C3和负载RL的另一端连接至...

【技术特征摘要】
1.一种大电流半桥电路,包括并联连接在电源E端的MOS管SI和MOS管S2,所述MOS管SI的漏端和MOS管S2的源端接电源E,其特征在于:所述MOS管SI的漏端并联连接一二极管Dl和电容Csl,MOS管S2的漏端并联连接一二极管D2和电容Cs2 ;所述MOS管SI源端接一电感Lk和MOS管S2源端接一电容Cb后接入变压器输入端,变压器输出端并联连接一对反向接入的二极管D3和二极管D4 ;二极管D3阴极连接一电感...

【专利技术属性】
技术研发人员:代杰仕吕剑
申请(专利权)人:西安唯电电气技术有限公司
类型:新型
国别省市:陕西;61

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