一种同步整流驱动电路制造技术

技术编号:10342382 阅读:132 留言:0更新日期:2014-08-21 14:57
本发明专利技术公开了一种同步整流驱动电路,包括并联连接在电源端的四个MOS管,MOS管a和b接电源,四个MOS管接变压器初级,变压器的次级同名端接一同步整流管a再串接一输出滤波电感与变压器次级中心抽头并联一组输出滤波电容和负载,或变压器次级中心抽头串接一输出滤波电感后与同步整流管a并联输出滤波电容和负载;变压器的次级非同名端与同步整流管a和输出滤波电感之间的节点接一同步整流管b;变压器的次级非同名端与同步整流管a之间并联连接有源极电压调理电路;所述同步整流管b与有源极电压调理电路之间并联连接有智能同步整流控制芯片IR1167。该组合电路提高了同步整流驱动的稳定性,避免由于寄生振荡导致的同步整流管误动作。

【技术实现步骤摘要】
—种同步整流驱动电路
本专利技术涉及开关电源领域,特别涉及开关电源中的同步整流驱动电路。
技术介绍
在输入高压、输出低压大电流场合中,普遍采用如图1所示的全波整流电路,在一个半周内电流流过整流二极管120 (或121),而在另一个半周内电流流经另一个整流二极管121(或120)。相对于桥式整流电路而言,全波整流电路节省了一半的整流器件,整流回路也少了一次管压降,因此广泛应用于输出低压的场合,由于单个二极管导流能力有限,输出整流二极管120和121 —般由多个二极管并联。但由于整流二极管的导通压降较高,快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使是低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降,这就使得输出整流电路损耗增大,电源效率降低,在低压大电流场合这种损耗体现的尤为明显。而采用同步整流技术的变换器,则可极大降低输出大电流时的整流损耗。同步整流技术是用通态阻抗极低的电力MOSFET来取代传统整流二极管以降低整流损耗,采用同 步整流技术的全波整流如图2所示,其中122和123是同步整流M0SFET,大电流时其导通压降与二极管相比要低的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同步整流驱动电路,包括并联连接在电源端的四个MOS管a(100)、MOS管b(101)、MOS管c(102)、MOS管d(103),其特征在于,所述MOS管a(100)和MOS管b(101)的漏端、MOS管c(102)和MOS管d(103)的源端接电源,所述MOS管a(100)的源端和MOS管c(102)的漏端接变压器初级的同名端,所述MOS管b(101)的源端和MOS管d(103)的漏端接变压器初级的非同名端;所述变压器的次级同名端接一同步整流管a(122),同步整流管a(122)串接一输出滤波电感(130)后与变压器次级中心抽头并联一组输出滤波电容(140)和负载(150);或者变压器...

【技术特征摘要】
1.一种同步整流驱动电路,包括并联连接在电源端的四个MOS管a(100)、MOS管b (101)、MOS 管 c (102)、MOS 管 d (103),其特征在于, 所述MOS管a (100)和MOS管b (101)的漏端、MOS管c (102)和MOS管d (103)的源端接电源,所述MOS管a(100)的源端和MOS管c(102)的漏端接变压器初级的同名端,所述MOS管b(101)的源端和MOS管d(103)的漏端接变压器初级的非同名端; 所述变压器的次级同名端接一同步整流管a(122),同步整流管a(122)串接一输出滤波电感(130)后与变压器次级中心抽头并联一组输出滤波电容(140)和负载(150);或者变压器次级中心抽头串接一输出滤波电感(130),同步整流管a(122)与输出滤波电感(130)并联一组输出滤波电容(140)和负载(150); 所述变压器的次级非同名端与同步整流管a(122)和输出滤波电感(130)之间的节点接一同步整流管b (123); 所述变压器的次级非同名端与同步整流管a(122)之间并联连接有源极电压调理电路(160);所述同步整流管b (123)与有源极电压调理电路(160)之间并联连接有智能同...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕剑代杰仕
申请(专利权)人:西安唯电电气技术有限公司
类型:发明
国别省市:陕西;61

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