【技术实现步骤摘要】
—种基于QLED光源的光刻机
本技术涉及微电子、微纳光子器件制备等微纳加工领域,尤其涉及一种基于QLED光源的光刻机。
技术介绍
光刻机适用于在晶片、印刷电路板、掩膜板、平板显示器、光学玻璃平板等存底材料上印刷构图的设备,光刻机曝光光源部分是各种接近式、步进式光刻机的重要部件之一,其曝光量、寿命、均匀性、发热量都直接和其他各部件的设计相关;光源影响着光刻机使用的最终关键特征尺寸的质量,使用和维护成本。目前基于紫外光线的光刻机大多以高压汞灯做曝光光源,采用Hg的i线(365nm)曝光。其存在的主要问题为: 1、光学系统复杂。汞灯光源属于立体全方位辐照,为实现单一波长均匀辐照,其光学系统包括光栏、快门、准直镜、i线滤光片、场景、反射镜等等。复杂的光学系统成为光刻机价格闻昂和小型化的瓶颈。 2、稳定性低。汞灯的发光极金属在使用中容易加热变形,导致其光斑容易移动,所以需要经常调节,特别是刚完成预热的时候。 3、寿命短。光刻机使用的高压汞灯一般在2000小时左右。加之高压汞灯需提前预热,且开启后不能关闭,这进一步导致了汞灯在曝光中其有效利用率进一步降低。 4、温度高。汞灯在使用时温度高达一千摄氏度以上,这对光学系统级附属器件有很大的影响,故基于汞灯光源的光刻机需要加入风冷或水冷系统,这进一步增加了设备的价格和操作的复杂性。 5、能耗高。现有光刻机使用的高压汞灯功率一般到在一千瓦以上,经过一系列的光学元件后,其有效的曝光功率密度在5?20MW/cm2,故其能量利用率很低,加之汞灯开启后不能关闭,导致其不能曝光期间能量进一步浪费。 6 ...
【技术保护点】
一种基于QLED光源的光刻机,其特征在于,包括发光控制器(1),QLED阵列(3),透镜组(4),图形发生器(5),投影光路(6),基片(7)和移动平台(8);所述QLED阵列(3)安装在发光控制器(1)上,组成QLED光源光学系统(2);所述透镜组(4)位于QLED光源光学系统(2)的右上方,与QLED阵列(3)同轴,所述图形发生器(5)位于透镜组(4)同轴的右上方,所述投影光路(6)位于图形发生器(5)与移动平台(8)之间,并垂直于移动平台(8),所述基片(7)固定于移动平台(8)上;所述发光控制器(1)设置QLED阵列(3)的曝光时间和相对辐照强度,所述透镜组(4)用于对光束进行整形,光束经由所述图形发生器(5)以及投影光路(6)实现对基片(7)的曝光。
【技术特征摘要】
1.一种基于QLED光源的光刻机,其特征在于,包括发光控制器(I), QLED阵列(3),透镜组(4),图形发生器(5),投影光路(6),基片(7)和移动平台(8);所述QLED阵列(3)安装在发光控制器(I)上,组成QLED光源光学系统(2);所述透镜组(4)位于QLED光源光学系统(2)的右上方,与QLED阵列(3)同轴,所述图形发生器(5)位于透镜组(4)同轴的右上方,所述投影光路(6)...
【专利技术属性】
技术研发人员:盛晨航,彭娟,李喜峰,张建华,
申请(专利权)人:上海大学,
类型:新型
国别省市:上海;31
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