本实用新型专利技术涉及半导体装置。本实用新型专利技术所要解决的技术问题之一是提供一种具有减小的漂移、倾斜或旋转的半导体管芯。提供了一种半导体装置，其包括：引线框架，其包括电耦接至第一引线的第一接触件，其中所述第一接触件包括所述第一接触件的第一侧上的一个或多个抬高区域，其中每个所述抬高区域包括所述第一接触件的所述第一侧上的平坦表面；半导体管芯，其包括一个或多个第一触板、第二触板和第三触板；第二引线，其电耦接至所述半导体管芯的所述第二触板；和第三引线，其电耦接至所述半导体管芯的所述第三触板。本实用新型专利技术可用于电子设备。本实用新型专利技术的有利技术效果之一是能够提供一种具有减小的漂移、倾斜或旋转的半导体管芯。
【技术实现步骤摘要】
本申请案大致涉及电子装置，更具体地涉及半导体装置。 半导体装置
技术介绍
半导体工业通常利用不同的方法和结构来形成囊封半导体管芯并且提供用于电 连接至半导体管芯的引线的封装。在一种类型的半导体封装中，半导体管芯被安装在引线 框架与芯片之间。下引线框架具有上方安装管芯的连续平坦表面，随后芯片用于在管芯顶 部上完成电路。这种构造可能提供半导体管芯至下引线框架的不准确定位。此外，相同的 不准确定位可能发生于与芯片之间。在安装管芯和芯片期间，焊膏通常用在管芯至引线框 架与芯片至管芯之间。在回流焊期间，管芯和芯片都可能移动、漂移、倾斜和/或旋转，其可 能降低半导体装置的质量和性能。 因此，需要一种具有减小的漂移、倾斜或旋转的半导体管芯。还需要具有不同的半 导体装置，其可各利用相同引线框架设计。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题之一是提供一种具有减小的漂移、倾斜或旋转的 半导体管芯。 根据本技术的一个方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：引线框 架，其包括电耦接至第一引线的第一接触件，其中所述第一接触件包括所述第一接触件的 第一侧上的一个或多个抬高区域，其中每个所述抬高区域包括所述第一接触件的所述第一 侧上的平坦表面；半导体管芯，其包括一个或多个第一触板、第二触板和第三触板，其中所 述第一触板被安置在所述半导体管芯的第一侧上，且其中每个所述第一触板被焊接至至少 一个所述抬高区域，使得每个所述第一触板具有两个或更多个线性边缘，所述线性边缘各 自与所述抬高区域上的所述平坦表面的至少一个边缘侧向对准且平行；第二引线，其电耦 接至所述半导体管芯的所述第二触板；和第三引线，其电耦接至所述半导体管芯的所述第 三触板。 在一种实施方式中，所述第一接触件包括至少两个抬高区域。 在一种实施方式中，所述第一接触件上的每个所述抬高区域被焊接至选自所述第 一触板的单独触板。 在一种实施方式中，所述第一接触件包括至少10个抬高区域。 在一种实施方式中，所述引线框架的所述第一接触件的所述第一侧上的所述抬高 区域的数量大于被焊接至所述半导体管芯的所述第一触板的所述抬高区域的数量。 在一种实施方式中，所述半导体装置还包括导电夹，所述导电夹被焊接至所述第 二触板，其中所述引线框架还包括被焊接至所述导电夹的第二接触件，且其中所述第二接 触件电耦接至所述第二引线。 根据本技术的另一方面，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：引线框 架，其包括电耦接至所述半导体装置的第一引线的第一接触件；导电夹，其电耦接至所述半 导体装置上的第二引线，其中所述导电夹包括所述导电夹的第一侧上的一个或多个抬高区 域，其中每个所述抬高区域包括所述导电夹的所述第一侧上的平坦表面；和半导体管芯，其 包括：所述半导体管芯的第一侧上的第一触板，其中所述第一触板被焊接至所述引线框架 上的所述第一接触件；所述半导体管芯的第二侧上的一个或多个第二触板，其中每个所述 第二触板被焊接至所述导电夹的所述第一侧上的至少一个所述抬高区域，使得每个所述第 二触板具有两个或更多个线性边缘，所述线性边缘各自与所述抬高区域上的所述平坦表面 的至少一个边缘侧向对准且平行；和所述半导体管芯上的第三触板，其中所述第三触板电 耦接至所述半导体装置的第三引线。 在一种实施方式中，所述导电夹包括至少两个抬高区域。 在一种实施方式中，所述导电夹的所述第一侧上的每个所述抬高区域被焊接至选 自所述第二触板的单独触板。 在一种实施方式中，所述引线框架的所述第一接触件包括所述第一接触件的第一 侧上的一个或多个第二抬高区域，其中每个所述第二抬高区域包括所述第一接触件的所述 第一侧上的平坦表面，且其中所述第一触板被焊接至所述第二抬高区域，使得所述第一触 板具有两个或更多个线性边缘，所述线性边缘各自与所述第二抬高区域上的所述平坦表面 的至少一个边缘侧向对准且平行。 本技术可用于电子设备。本技术的有利技术效果之一是能够提供一种具 有减小的漂移、倾斜或旋转的半导体管芯。 【附图说明】 将从【具体实施方式】和附图中更全面地理解本申请案的实施方案，其不旨在限制本 申请案的范围。 图1A是图示根据本申请案的一些实施方案的引线框架的一个实例的透视图。 图1B是根据本申请案的一些实施方案的引线框架的一个实例的俯视图。 图1C是根据本申请案的一些实施方案的引线框架的源极触板的横截面图。 图2A和图2B是分别图示根据本申请案的一些实施方案的半导体管芯200的一个 实例的仰视图和俯视图。 图3A是图示根据本申请案的一些实施方案的定位在引线框架100上的半导体管 芯200的一个实例的俯视图。 图3B是图示根据本申请案的一些实施方案的定位在引线框架100上的半导体管 芯200的横截面图。 图3C是图示根据本申请案的一些实施方案的定位在引线框架100上的半导体管 芯200的横截面图，其正交于图3B中的横截面图。 图4是图示根据本申请案的一些实施方案的半导体装置400的一个实例的透视 图。 图5A是示出根据本申请案的一些实施方案的包括朝向半导体管芯520延伸的多 个基座510的通用导电夹500的一个实例的仰视图。 图5B是根据本申请案的一些实施方案的被焊接至通用导电夹500的半导体管芯 521的一个实例的仰视图。 图5C是根据本申请案的一些实施方案的被焊接至通用导电夹500的半导体管芯 522的一个实例的仰视图。 图?是根据本申请案的一些实施方案的被焊接至通用导电夹500的半导体管芯 523的一个实例的仰视图。 图5E是根据本申请案的一些实施方案的被焊接至通用导电夹500的半导体管芯 524的一个实例的仰视图。 图5F是根据本申请案的一些实施方案的被焊接至通用导电夹500的半导体管芯 525的一个实例的仰视图。 图5G是根据本申请案的一些实施方案的被焊接至通用导电夹500的半导体管芯 526的一个实例的仰视图。 图5H是根据本申请案的一些实施方案的被焊接至通用导电夹500的半导体管芯 527的一个实例的仰视图。 图51是根据本申请案的一些实施方案的被焊接至通用导电夹500的半导体管芯 528的一个实例的仰视图。 图5J是根据本申请案的一些实施方案的被焊接至通用导电夹500的半导体管芯 529的一个实例的仰视图。 图6示出当根据本申请案的一些实施方案构造半导体管芯系列的通用导电夹时 的设计考虑的实例。 【具体实施方式】 为说明的简要和明了起见，图中的元件不一定按比例绘制，且不同图中的相同参 考数字指示相同元件。此外，为描述的简要起见，省略众所周知的步骤和元件的描述及细 节。如本文中所使用，载流电极意指携载电流穿过装置的装置元件，诸如M0S晶体管的源极 或漏极或双极晶体管的发射极或集电极或二极管的阴极或阳极，且控制电极意指控制穿过 装置的电流的装置元件，诸如M0S晶体管的栅极或双极晶体管的基极。虽然装置在本文中 被说明为特定N通道或P通道装置或特定N型或P型掺杂区域，但是本领域一般技术人员 将了解补充装置根据本技术也是可行的。本领域一般技术人员本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括： 引线框架，其包括电耦接至第一引线的第一接触件，其中所述第一接触件包括所述第一接触件的第一侧上的一个或多个抬高区域，其中每个所述抬高区域包括所述第一接触件的所述第一侧上的平坦表面； 半导体管芯，其包括一个或多个第一触板、第二触板和第三触板，其中所述第一触板被安置在所述半导体管芯的第一侧上，且其中每个所述第一触板被焊接至至少一个所述抬高区域，使得每个所述第一触板具有两个或更多个线性边缘，所述线性边缘各自与所述抬高区域上的所述平坦表面的至少一个边缘侧向对准且平行； 第二引线，其电耦接至所述半导体管芯的所述第二触板；和 第三引线，其电耦接至所述半导体管芯的所述第三触板。
【技术特征摘要】
2013.03.15 US 13/834,6121. 一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括： 引线框架，其包括电耦接至第一引线的第一接触件，其中所述第一接触件包括所述第 一接触件的第一侧上的一个或多个抬高区域，其中每个所述抬高区域包括所述第一接触件 的所述第一侧上的平坦表面； 半导体管芯，其包括一个或多个第一触板、第二触板和第三触板，其中所述第一触板被 安置在所述半导体管芯的第一侧上，且其中每个所述第一触板被焊接至至少一个所述抬高 区域，使得每个所述第一触板具有两个或更多个线性边缘，所述线性边缘各自与所述抬高 区域上的所述平坦表面的至少一个边缘侧向对准且平行； 第二引线，其电耦接至所述半导体管芯的所述第二触板；和 第三引线，其电耦接至所述半导体管芯的所述第三触板。2. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接触件包括至少两个抬 商区域。3. 根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接触件上的每个所述抬 高区域被焊接至选自所述第一触板的单独触板。4. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一接触件包括至少10个抬 商区域。5. 根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述引线框架的所述第一接触件 的所述第一侧上的所述抬高区域的数量大于被焊接至所述半导体管芯的所述第一触板的 所述抬高区域的数量。6. 根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括导电夹，所 述导电夹被焊接至所述第二触板，其中所述引线框架还包括被焊接至所述导电夹的第二接 触件，...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·M·阿巴斯诺特，S·ST·日尔曼，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国;US
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